JPS5954269A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
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- JPS5954269A JPS5954269A JP16522282A JP16522282A JPS5954269A JP S5954269 A JPS5954269 A JP S5954269A JP 16522282 A JP16522282 A JP 16522282A JP 16522282 A JP16522282 A JP 16522282A JP S5954269 A JPS5954269 A JP S5954269A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
↓発明は、絶縁井智トに形Ｄν（た半涛、体尚膜をｆｆ
ｌいて構成さｉする池暎半導体装１ｒｌ′Ｋ ｆｉｌす
る、従来、ガラス等のイイ・′縁県析十に形成し、た、
アモルファスンリコンヌｄ名結晶ンリ：１ン竺の刊〈型
体薄１換を甲（ハ、マトリックスアト− スターツエを構成する事は−１−でに知らＪｌている。
ｌいて構成さｉする池暎半導体装１ｒｌ′Ｋ ｆｉｌす
る、従来、ガラス等のイイ・′縁県析十に形成し、た、
アモルファスンリコンヌｄ名結晶ンリ：１ン竺の刊〈型
体薄１換を甲（ハ、マトリックスアト− スターツエを構成する事は−１−でに知らＪｌている。
しかるにこの様な半導イイ，氾宿において１Ｆｉ、基板
全体が絶縁層である為に、静ｎｔ気による重荷カマ）
ｌ）ソクスアレー、薄膜１ランジスタ〜１７）半導体薄
膜に蓄積し易く、基板を通じて外部には放電しない為に
、賓易に空気中へ＋７１ ｊＪ’ｉ． ’Ｎ限界工λノ
上に′肛夕「の蓄積する。メジらに、この様？ｊ．湖膜
半嗜体装埴の製造にイオン打込みによる不純物拡散工程
を用いた場合，半導体装１漠内に高濃度のイオンが打込
まね静電気の場合と同様に放電限界ｊＪｌ−に？Ｆ荷が
蓄積される。この結果、半導体薄膜内の１１．荷ｋｊ空
気中へ放電し、この時半導体薄膜がｆＵ傷し、ハＬ′線
ノ切断、素子の破壊が発生する。この様にＰ縁基＆土に
薄膜半導体により素子を構成する」ん′１合、齢Ｎ偲に
極めて弱く、イオン打ち込ノ・技術を月１いる事はでき
１７．い等の不都合が矛・つ介。
全体が絶縁層である為に、静ｎｔ気による重荷カマ）
ｌ）ソクスアレー、薄膜１ランジスタ〜１７）半導体薄
膜に蓄積し易く、基板を通じて外部には放電しない為に
、賓易に空気中へ＋７１ ｊＪ’ｉ． ’Ｎ限界工λノ
上に′肛夕「の蓄積する。メジらに、この様？ｊ．湖膜
半嗜体装埴の製造にイオン打込みによる不純物拡散工程
を用いた場合，半導体装１漠内に高濃度のイオンが打込
まね静電気の場合と同様に放電限界ｊＪｌ−に？Ｆ荷が
蓄積される。この結果、半導体薄膜内の１１．荷ｋｊ空
気中へ放電し、この時半導体薄膜がｆＵ傷し、ハＬ′線
ノ切断、素子の破壊が発生する。この様にＰ縁基＆土に
薄膜半導体により素子を構成する」ん′１合、齢Ｎ偲に
極めて弱く、イオン打ち込ノ・技術を月１いる事はでき
１７．い等の不都合が矛・つ介。
木登、明の目的Ｃ１、この様ブエ不都合をｈ ＜ ｌ−
た新規な薄膜半導体装置を提伊することにある。
た新規な薄膜半導体装置を提伊することにある。
本発明は岸結晶シリコン基板にシリコン酸化膜を介して
薄膜半導体装置を構成した場合、絶糾物基板上へ薄膜半
導体装値を構成したものに比べ、静電気に強く、イオン
打ち込みにおいても半導体薄膜層の損傷が生じにくい事
を巧みに刊用したものである。Ｊユ１下図面により本発
明の詳細な説明する。第１図一本発明による薄膜トラン
ジスターの基本的構法を示すものである。１けガラス等
の絶縁基板でありこの表面全面に導電、′＃膜２を形成
する。一般にカラス基板上に薄膜半導体ｆ構成する装置
は液晶表示パネル等の様に光ｌ・通過し易い事が特徴で
ある為に、第１図内の導電性被膜２も透明ヌは平透明で
ｔｘ （、てはならｌ！い。４゛イ料として、二酸化ス
ズのネー＋ｌ−膜、二酸化スズ含有の酸化インジウム膜
（工、 Ｔ、 Ｏ，膜）等のいわゆる透明導電性膜があ
り、又金属薄膜の場合も膜厚が２００オンゲストｂ−ム
以下てあれげ竿透明とブ、ｒす１８［”目的の導′ｒＭ
悼被膜２として用いる事が司能で力）る。次にこの導電
性被膜２の上に二酸化シリコン、空化シリコン等の絶、
縁＋′Ａ＃′膜３を５０００〜１００００ 、＋ ７
ダストロームの膜ルで形成し、導電性被膜２をおおう。
薄膜半導体装置を構成した場合、絶糾物基板上へ薄膜半
導体装値を構成したものに比べ、静電気に強く、イオン
打ち込みにおいても半導体薄膜層の損傷が生じにくい事
を巧みに刊用したものである。Ｊユ１下図面により本発
明の詳細な説明する。第１図一本発明による薄膜トラン
ジスターの基本的構法を示すものである。１けガラス等
の絶縁基板でありこの表面全面に導電、′＃膜２を形成
する。一般にカラス基板上に薄膜半導体ｆ構成する装置
は液晶表示パネル等の様に光ｌ・通過し易い事が特徴で
ある為に、第１図内の導電性被膜２も透明ヌは平透明で
ｔｘ （、てはならｌ！い。４゛イ料として、二酸化ス
ズのネー＋ｌ−膜、二酸化スズ含有の酸化インジウム膜
（工、 Ｔ、 Ｏ，膜）等のいわゆる透明導電性膜があ
り、又金属薄膜の場合も膜厚が２００オンゲストｂ−ム
以下てあれげ竿透明とブ、ｒす１８［”目的の導′ｒＭ
悼被膜２として用いる事が司能で力）る。次にこの導電
性被膜２の上に二酸化シリコン、空化シリコン等の絶、
縁＋′Ａ＃′膜３を５０００〜１００００ 、＋ ７
ダストロームの膜ルで形成し、導電性被膜２をおおう。
その徒絶縁性薄膜乙の上へ半漕薄ｌｌωによる７１−リ
ンクヌアレー薄膜トランノスターを作り込む。すなわち
、第１図において、第一層目の多結晶ンリコン４を形成
（−１冬結晶ンリコン４の上へ、ゲート絶縁膜７を形成
し、ゲート絶糾膜７の上へゲート電４ｆｉ８を形成し、
Ｎｉｌ昧トシトランジスター成する。第１図内の５．６
はトランジスターのソース及びドレインである。この様
にガラス等の絶縁基板１上に導電性被膜２人び絶縁膜１
］φ３を介して半導体薄膜層よる素子を構成すれば、邦
結晶シリコン基板十へ二酸化シリコン膜を介して半導体
薄膜による素子を構成した場合と同様に、半導体薄膜に
蓄積ζねた電荷ｄ絶縁被膜ろを渥Ｊ主て、導電性被膜２
に達する。この導電性被膜２一基板１の全面をお卦って
おり半導体薄膜４７！び８」、り面積が大きい為に、導
電性被膜２内の電荷密彦は棒めて小ジ（ｔｒ ｈ、イＩ
Ｙって、半導体薄膜４ヌに８から空気中へ電荷が放電す
る車Ｈ全（ｆｒ くなる。例えば半導体薄膜４及び８の
面積が導電性被膜２の１０分の１であるとすれば本発明
におはる薄膜半導体素子に従来に比べ約１ａ倍静電勿に
強くブｒす、又イオン打し込みにおいでもドーズ閉九し
２て約１０倍の余裕が生−４゛る。
ンクヌアレー薄膜トランノスターを作り込む。すなわち
、第１図において、第一層目の多結晶ンリコン４を形成
（−１冬結晶ンリコン４の上へ、ゲート絶縁膜７を形成
し、ゲート絶糾膜７の上へゲート電４ｆｉ８を形成し、
Ｎｉｌ昧トシトランジスター成する。第１図内の５．６
はトランジスターのソース及びドレインである。この様
にガラス等の絶縁基板１上に導電性被膜２人び絶縁膜１
］φ３を介して半導体薄膜層よる素子を構成すれば、邦
結晶シリコン基板十へ二酸化シリコン膜を介して半導体
薄膜による素子を構成した場合と同様に、半導体薄膜に
蓄積ζねた電荷ｄ絶縁被膜ろを渥Ｊ主て、導電性被膜２
に達する。この導電性被膜２一基板１の全面をお卦って
おり半導体薄膜４７！び８」、り面積が大きい為に、導
電性被膜２内の電荷密彦は棒めて小ジ（ｔｒ ｈ、イＩ
Ｙって、半導体薄膜４ヌに８から空気中へ電荷が放電す
る車Ｈ全（ｆｒ くなる。例えば半導体薄膜４及び８の
面積が導電性被膜２の１０分の１であるとすれば本発明
におはる薄膜半導体素子に従来に比べ約１ａ倍静電勿に
強くブｒす、又イオン打し込みにおいでもドーズ閉九し
２て約１０倍の余裕が生−４゛る。
第２図は本発明における仙の実施例を示したものであり
、第１図におけると同一部分にＱ」同一・省号を付して
その詳細な説明を省略−する。この実施例における特徴
は絶縁性被膜３入びゲート絶、縁膜７を通してコンタク
トホールを開し１、配、線剖利９により外部と導電性被
膜２が導ガηｎｌ能とｔ【す。コンタクトホールｄ通常
σ’７ｉ）エリチングで行ない、配線部材９は、辻漕体
薄膜の４でも８でもどちらでもμい。第２図の様な構成
にする事により配ａ９をさらに外部へアースする事が可
能であり静電気及びイオン打ち込入等により半導体薄膜
４及び８に蓄積する電荷を導電性簿膜２を通して積権的
に外部へ放電する事となり、静電気に対しても又イメン
杓ち込みにし′？イ、智らに破壊ＩＴＩＩ丘が向上する
効果をもたらす。
、第１図におけると同一部分にＱ」同一・省号を付して
その詳細な説明を省略−する。この実施例における特徴
は絶縁性被膜３入びゲート絶、縁膜７を通してコンタク
トホールを開し１、配、線剖利９により外部と導電性被
膜２が導ガηｎｌ能とｔ【す。コンタクトホールｄ通常
σ’７ｉ）エリチングで行ない、配線部材９は、辻漕体
薄膜の４でも８でもどちらでもμい。第２図の様な構成
にする事により配ａ９をさらに外部へアースする事が可
能であり静電気及びイオン打ち込入等により半導体薄膜
４及び８に蓄積する電荷を導電性簿膜２を通して積権的
に外部へ放電する事となり、静電気に対しても又イメン
杓ち込みにし′？イ、智らに破壊ＩＴＩＩ丘が向上する
効果をもたらす。
旬十オ・発Ｉ叫によれば半導体薄膜のＦ’ ｆｌｌ＋に
顔・ｔ＃膜折−介して導電被膜を設ける事により、薄膜
半導体素子の静電気耐弾が増（、イオン↑］ち泌みによ
る１ｆ１傷も防１１する事が可能となる。
顔・ｔ＃膜折−介して導電被膜を設ける事により、薄膜
半導体素子の静電気耐弾が増（、イオン↑］ち泌みによ
る１ｆ１傷も防１１する事が可能となる。
第１図は本発明にｂ ｌ−する笑施例を示した断面図で
あり、第２図は本発明におし）る仙σ）′＃施例を示し
ｐ断面図である。 １・・・・・・ガラス基（Ｎ ２・・・・透明導筒（／１被膜 ３・・・・・絶縁性被膜 ４．８・・・・・・半導体薄膜 ７・・・・・・ゲート絶縁膜 ？ ・・・へｅ線部椙 り上
あり、第２図は本発明におし）る仙σ）′＃施例を示し
ｐ断面図である。 １・・・・・・ガラス基（Ｎ ２・・・・透明導筒（／１被膜 ３・・・・・絶縁性被膜 ４．８・・・・・・半導体薄膜 ７・・・・・・ゲート絶縁膜 ？ ・・・へｅ線部椙 り上
Claims (2)
- （１）カラス基板等の絶Ｒ＆ ＆土へ、アモルファスシ
リコン、多結晶シリコン等の半導体物質により素子を形
成して成る半導体装置において、前記絶縁基板上へまず
、ネサ膜、］’ ｉ’ ０膜等の透明導電性被膜か又は
２００オンゲスト「「−ム旬下の膜１坪の半透明金属層
膜を形成し、該透明導電、膜又Ｖま、半透明金属層膜の
」ニへ二酸化シリコンヌは窒化シリコン等の絶縁層を形
成し、該絶縁層の上べ前記半導体物質による素子を形成
する事を特徴とする半導体装置。 - （２）前記透明導電性被膜５／、は半透明金属層は、前
記絶縁基板外へ導通をとる構造を有している事を特徴と
する特許語意の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522282A JPS5954269A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522282A JPS5954269A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954269A true JPS5954269A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15808167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16522282A Pending JPS5954269A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954269A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171161A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Nec Corp | 薄膜半導体素子 |
| EP0601652A2 (en) * | 1992-12-11 | 1994-06-15 | Philips Electronics Uk Limited | Electronic device manufacture using ion implantation |
| WO2002039504A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Citizen Watch Co., Ltd. | Module de cellule solaire et appareil electronique portatif comprenant ce dernier |
| US7491969B2 (en) | 2005-09-15 | 2009-02-17 | Au Optronics Corp. | Organic light emitting diode display |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104260A (en) * | 1980-11-03 | 1982-06-29 | Xerox Corp | Thin film transistor and method of producing same array |
| JPS57104261A (en) * | 1980-11-03 | 1982-06-29 | Xerox Corp | Film transistor array and method of producing same |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16522282A patent/JPS5954269A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104260A (en) * | 1980-11-03 | 1982-06-29 | Xerox Corp | Thin film transistor and method of producing same array |
| JPS57104261A (en) * | 1980-11-03 | 1982-06-29 | Xerox Corp | Film transistor array and method of producing same |
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|---|---|---|---|---|
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| US7057102B2 (en) | 2000-11-10 | 2006-06-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell module and portable electronic apparatus with it |
| US7491969B2 (en) | 2005-09-15 | 2009-02-17 | Au Optronics Corp. | Organic light emitting diode display |
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