KR940016645A - 노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법 - Google Patents

노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 제조공정의 노광공정시 포카스상태를 측정하기 위하여 아주 작은 홀과 순차적으로 지름이 커지는 다수의 홀을 직선상에 소정의 개수만큼 나열하여서 된 포카스상태측정용패턴을 사용하고, 이 패턴을 이용하여 웨이퍼상에 적정한 노광에너지로 포카스상태를 여러단계로 변화시키면서 스프리트시키고, 현상하여 홀 지름이 작은 홀까지 뚜렷이 현상된 것이 최적의 노광상태라고 판단하는 것이 특징인 노광공정에서의 포카스상태 측정 방법.

Description

노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명의 측정용 마스크 패턴의 평면도, 제 4 도는 본 발명의 측정용 마스크 패턴으로 노광단계를 변화시키면서 웨이퍼상에 스프리트시켜 현상한 모양을 보여 주는 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 제조공정의 노광공정시 포카스상태를 측정하기 위한 패턴에 있어서, 아주작은 홀과 순차적으로 지름이 커지는 다수의 홀을 직선상에 소정의 개수만큼 나열하여서 된 것이 특징인 포카스상태측정용패턴.
  2. 반도체 제조공정의 노광공정시 포카스상태를 측정하는 방법에 있어서, 아주작은 홀과 순차적으로 지름이 커지는 다수의 홀을 직선상에 소정의 개수만큼 나열하여서 된 포카스상태측정용패턴으로 웨이퍼상에 적정한 노광에너지로 포카스상태를 여러단계로 변화시키면서 스프리트시키고, 현상하여, 홀 지름이 작은 홀까지 뚜렷이 현상된 것이 최적의 노광상태라고 판단하는 것이 특징인 노광공정에서의 포카스상태 측정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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