KR970053251A - 반도체 소자 제조시의 포커스(Focus) 측정방법 - Google Patents

반도체 소자 제조시의 포커스(Focus) 측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970053251A
KR970053251A KR1019950058891A KR19950058891A KR970053251A KR 970053251 A KR970053251 A KR 970053251A KR 1019950058891 A KR1019950058891 A KR 1019950058891A KR 19950058891 A KR19950058891 A KR 19950058891A KR 970053251 A KR970053251 A KR 970053251A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
focus
semiconductor device
measuring
manufacturing
device manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019950058891A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100192433B1 (ko
Inventor
권오경
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950058891A priority Critical patent/KR100192433B1/ko
Publication of KR970053251A publication Critical patent/KR970053251A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100192433B1 publication Critical patent/KR100192433B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641Focus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD 값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 좌표는 포커스와 CD의 좌표임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950058891A 1995-12-27 1995-12-27 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 KR100192433B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970053251A true KR970053251A (ko) 1997-07-31
KR100192433B1 KR100192433B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19445113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100192433B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100732742B1 (ko) * 2001-06-27 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 포커스 모니터링 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100192433B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4352498B2 (ja) パターン露光方法とこれに用いる処理装置
KR960024647A (ko) 반도체소자용 노광마스크
KR970053251A (ko) 반도체 소자 제조시의 포커스(Focus) 측정방법
KR960005756A (ko) 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법
JPH0619115A (ja) 投影露光装置用マスク
KR970012976A (ko) 반도체 소자의 셀 영역과 주변 영역 패턴의 현상률 차이 조정방법
KR970053273A (ko) 웨이퍼 결함 검사방법
KR100334978B1 (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
JPH10142769A (ja) フォトマスク及び半導体装置のパターン形成方法
KR960001906A (ko) 웨이퍼 노광방법
KR960002587A (ko) 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법
KR950033684A (ko) 반사율 곡선에 의한 감광막 최적 두께 선정방법
KR950025891A (ko) 반도체 소자의 감광막패턴 제조방법
KR20050065161A (ko) 웨이퍼 얼라인먼트 방법
KR950004486A (ko) 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법
KR960008984A (ko) 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법
KR970022503A (ko) 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크
KR960005036B1 (ko) 노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법
KR950021048A (ko) 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법
KR20030058582A (ko) 반도체 소자의 노광 마스크
KR980003860A (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
KR940004749A (ko) 정확한 노광기 촛점을 검출하는 포토마스크
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
KR970022517A (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
KR930008952A (ko) 반도체 기판 절단방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061211

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee