KR970053251A - 반도체 소자 제조시의 포커스(Focus) 측정방법 - Google Patents
반도체 소자 제조시의 포커스(Focus) 측정방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD 값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (2)
- 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 좌표는 포커스와 CD의 좌표임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
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KR970053251A true KR970053251A (ko) | 1997-07-31 |
KR100192433B1 KR100192433B1 (ko) | 1999-06-15 |
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Family Applications (1)
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KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100192433B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100732742B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포커스 모니터링 방법 |
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1995
- 1995-12-27 KR KR1019950058891A patent/KR100192433B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100192433B1 (ko) | 1999-06-15 |
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