KR100192433B1 - 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 - Google Patents
반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100192433B1 KR100192433B1 KR1019950058891A KR19950058891A KR100192433B1 KR 100192433 B1 KR100192433 B1 KR 100192433B1 KR 1019950058891 A KR1019950058891 A KR 1019950058891A KR 19950058891 A KR19950058891 A KR 19950058891A KR 100192433 B1 KR100192433 B1 KR 100192433B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- focus
- semiconductor device
- manufacturing
- measuring
- coordinates
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD 값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면으로써, 먼저 제1도(a)와 같이 웨이퍼상에 PR을 도포하고, 매트릭스(matrix)형태의 칩이 다수 구성되도록 함과 동시에 게이트라인이 정의되도록 정열(align)하여 레티클(Reticle)로 패터닝한 후, 일정한 노광 에너지를 투사하여 게이트전극이 형성될 소정부분을 제외한 불필요한 PR부분을 제거한다.
여기서, 상기 레티클은 마스크(Mask)이다.
이어, 게이트전극을 형성하고 제1도(b)와 같이 상기 공정으로 형성된 한 칩을 선택하여 임의의 게이트전극의 임계 치수(CD : Critical Dimonsions)를 정확히 측정한다.
그리고, 제1도 (c)와 같이 최적의 노광 포커스를 하기 위해 상기 측정된 CD값이 여러개의 에너지 커브중 그에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 포커스 포인터를 결정한다.
상술한 바와같은 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 게이트라인이 형성되도록 노광공정을 실시한 후 작업자가 최적의 포커스 포인터를 측정하기 때문에 시간 소요가 많으며, 작업자에 따라 포커스 포인터가 다르게 측정되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반도체 소자 제조방법의 PR공정중 전공정에서 형성된 단차의 CD값 의해서 노광 작업시에 최적의 포커스 포인터 측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면으로써 게이트전극 형성의 이전 공정에서 웨이퍼상에 기억소자단위로 나누어지는 칩과 칩사이의 영역 즉, 칩이외의 영역에 단차를 미리 형성하여 단차가 있는 부분과 단차가 없는 부분에 동일한 패턴을 형성하면 현재의 포커스가 최적의 포커스에서 어느 정도 벗어나 있는지를 알 수 있다.
즉, 제2도(a)와 같이 현공정진행시 레티클(Reticle)상의 가장자리에 포커스 측정패턴으로 단차부와 비단차부에 동일한 모양을 만든다.
이어, 제2도(b)와 같이 노광하여 소정의 패턴을 형성시킨후 단차부와 비단차부의 CD값을 측정한다.
상기 CD값을 제2도(c)와 같이 포커스, CD값의 그래프에 대응하도록 옮겨 표기한다.
이때, 비단차부의 노광진행 포커스 값이고, 단차부의 포커스값을 상기 노광진행 포커스에서 단차를 뺀값이다.
그러면, 상기 제2도 (c)에 도시된 그래프의 두값이 만족되는 에너지 커브를 제1도(c)에 도시된 그래프에서 유측하여 상기 두값에 대응되는 에너지 커브를 찾아낸다.
그리하여, 상기 에너지 커브상에서 최적의 포커스 포인터를 결정하여 이 포커스 포인터에 맞게 이후 공정을 수행한다.
상술한 바와같은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (2)
- 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 좌표는 포커스와 CD의 좌표임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053251A KR970053251A (ko) | 1997-07-31 |
| KR100192433B1 true KR100192433B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19445113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100192433B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732742B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포커스 모니터링 방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950058891A patent/KR100192433B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732742B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포커스 모니터링 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970053251A (ko) | 1997-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20110012271A1 (en) | Integrated alignment and overlay mark | |
| US7541136B2 (en) | Mask, manufacturing method for mask, and manufacturing method for semiconductor device | |
| KR100192433B1 (ko) | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 | |
| JPH06180210A (ja) | スペーサの寸法を測定するための方法 | |
| JP2002190442A (ja) | 校正用プレート、校正用プレート生成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267430A (ja) | アライメントシステムによって導入されたエラーの直接の測定に特定的に適した計測学的構造を生産するための方法 | |
| US5928820A (en) | Method for measuring pattern line width during manufacture of a semiconductor device | |
| US5043236A (en) | Process for determining the focussing of a photolithographic apparatus | |
| KR20010104236A (ko) | 리소그래피 방법 | |
| KR20040062341A (ko) | 하나의 테스트 웨이퍼를 사용하여 공정 모니터링을반복하여 실시하는 방법 | |
| KR100319386B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 오버레이 측정 방법 | |
| KR100457223B1 (ko) | 정렬 마크로 이용 가능한 중첩도 측정 패턴 형성방법 | |
| US6225134B1 (en) | Method of controlling linewidth in photolithography suitable for use in fabricating integrated circuits | |
| JP2003224061A (ja) | 合わせずれ測定方法 | |
| KR0172287B1 (ko) | 중첩 정확도와 노광장비의 포커스를 동시에 측정하기 위한 측정마크를 이용한 중첩 정확도 및 노광장비의 포커스 측정 방법 | |
| KR100328361B1 (ko) | 선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클 | |
| KR960011469B1 (ko) | 감광막 두께 설정 방법 | |
| KR970011654B1 (ko) | 선폭 측정용 측정마크 형성방법 | |
| KR100688721B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 오버레이 측정 방법 | |
| KR960005036B1 (ko) | 노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법 | |
| KR0167269B1 (ko) | 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴 | |
| KR100234171B1 (ko) | 박막 자기헤드용 코어 제조방법 | |
| KR20020024928A (ko) | 감광막을 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR100197519B1 (ko) | 감광막 현상율 측정방법 | |
| KR100188022B1 (ko) | 반도체 구성 막질의 식각률 측정 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061211 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |