KR100328361B1 - 선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클 - Google Patents
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Abstract
목적: 양산용 레티클을 이용하여 제품의 양산 공정 중에 각 사이즈별 선폭 조건을 정밀하게 모니터링 할 수 있는 선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클에 관한 것이다.
구성: 반도체 소자의 회로 차광패턴이 형성되는 소자형성 영역의 주위인 스크라이빙 영역에, 선폭(Critical Dimension, CD) 조건을 모니터링하기 위한 각 사이즈 별 선폭이 스플릿한 형태로 배열된 테스트용 차광패턴을 갖추고 있다.
상기 테스트용 차광패턴에는 기준 선폭 사이즈 및 이보다 가감된 여러 선폭 사이즈의 선폭을 포함하고 있으므로, 이 레티클을 이용한 한번의 사진공정에 의해 설비 조건과 연계된 선폭 조건을 확인할 수 있다.
Description
본 발명은 노광 공정에 사용되는 레티클에 관한 것으로, 특히 양산용 레티클을 이용하여 제품의 양산 공정 중에 각 사이즈별 선폭 조건을 정밀하게 모니터링 할 수 있는 선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화에 따라 내부 회로를 이루는 패턴의 선폭이 수백 nm이하로 미세화된 최근의 반도체 제조 기술에서 포토설비에 의해 구현되는 사진공정의 해상도와 식각 정밀도는 반도체 소자의 집적도를 향상시키는데 핵심적인 역할을 한다.
최근 개발된 1G급 DRAM으로부터 16G급 DRAM으로 이르기까지 반도체 소자의 스캐일 축소가 급속화되면서 디바이스의 회로패턴을 이루는 선폭(CD; Critical Dimension) 조건에 대한 정밀한 평가를 필요로 하게 되었다.
선폭 조건의 평가는 주로 규격이 변경되는 신규 반도체 소자의 개발 과정이나 설비 및 재료 조건의 변경시에 달라지는 공정 조건에 맞추어 선폭의 규격을 확정해 주는데 이용된다.
선폭 조건에 대한 평가는 테스트용 레티클에 소망의 선폭을 구현하기 위한 소정 사이즈의 차광패턴을 제작하여, 이를 스테퍼 장치를 이용하여 레티클에 단파장광을 투과시켜 웨이퍼에 노광함으로써 레티클의 차광패턴을 웨이퍼에 전사한 후 현상 및 식각 공정을 행하는 단계에서 현미경을 통해 웨이퍼에 형성된 패턴의 양불 여부를 검사하는 과정으로 행해진다.
이러한 선폭 조건의 평가 과정에서 양호한 선폭 패턴의 검증이 구체화된 경우에만 이 선폭의 회로 패턴을 실제 양산용 레티클에 적용하도록 하고 있다.
선폭 조건을 변경하게 하는 요인으로는 레티클의 패턴 사이즈에 이상이 있는 경우, 혹은 스테퍼 설비 및 식각 챔버의 각종 파라미터 변경에 의한 것 등을 예로 들 수 있다.
이러한 요인들은 선폭 조건의 규격을 양산 제품에 적용하는 단계까지 구체화하는 과정에서 많은 문제점을 노출시키게 되고, 이러한 문제에 직면하여 선폭 조건을 확인하면서 적정히 대응하기까지는 대부분 여러 장의 웨이퍼를 소모하게 되고 노출시간 등 스테퍼 설비의 동작 조건을 여러 번 변경해 주는 작업이 필요하게 된다.
이와 같이 종래에는 선폭 조건을 원하는 정도까지 모니터링하는데 설비를 여러 번 가동시킴에 따른 시간적 손실 및 작업상의 노고가 있었으며, 웨이퍼 및 공정에 소요되는 재료를 낭비하게 되는 문제점이 있었다.
전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 한번의 공정에 의하여 선폭 조건을 정확히 모니터링할 수 있도록 하는 동시에 양산 공정에도 적용할 수 있는 선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 반도체 소자의 회로 차광패턴이 형성되는 소자형성 영역의 주위인 스크라이빙 영역에, 선폭(Critical Dimension, CD) 조건을 모니터링하기 위한 각 사이즈 별 선폭이 스플릿한 형태로 배열된 테스트용 차광패턴을 갖춘 것이다.
상기 테스트용 차광패턴의 각 사이즈 별 선폭은 기준 사이즈를 A0라 할 때, 수학식 을 만족하되, 상기 B는 0.05 내지 0.2 로 됨이 바람직하다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 레티클은 테스트용 차광패턴에 기준 선폭 사이즈 및 이보다 가감된 여러 선폭 사이즈의 선폭을 포함하고 있으므로, 이 레티클을 이용한 한번의 사진공정에 의해 설비 조건과 연계된 CD 조건을 확인할 수 있게 된다.
도 1 은 본 발명의 실시예를 보인 레티클의 전체 구조를 보인 평면도; 및
도 2 는 도 1의 테스트용 차광패턴의 확대도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
2: 레티클 22: 회로 차광패턴
SCL: 스크라이브 라인 24: 테스트용 차광패턴
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명에 의한 실시예를 보인 레티클의 전체 구조를 보인 평면도로서, 이를 참조하면, 본 발명이 적용되는 레티클(2)의 일측면에는 네 개의 셀(22a,22b,22c,22d)이 하나의 메모리 소자를 이루는 원샷 퍼 다이(one shot two die)의 회로로 디자인한 회로 차광패턴(22)이 형성되어 있다.
이러한 반도체 소자의 회로 차광패턴(22)은 노광 및 현상 후 식각하는 과정을 통해 웨이퍼에 전사되고, 이러한 과정을 거쳐서 제조된 칩들은 웨이퍼의 소잉(sawing) 과정을 통해 분리된다.
따라서, 레티클(2)에는 상기 칩 소잉을 위한 스크라이브 라인(scribe line, SCL)이 구비되는데, 본 발명은 이러한 스크라이브 라인(SCL) 지역에 테스트용 차광패턴(24)이 형성되는 특징이 있다. 도면에서, 상기 테스트용 차광패턴(24)은 하나의 메모리 소자 별 하나씩 소자영역, 즉 회로 차광패턴(22)의 좌상측에 형성되어 있다.
도 2 는 도 1 의 테스트용 차광패턴(24)의 확대해서 보인 일예이다.
이를 참조하면, 테스트용 차광패턴(24)은 선폭(Critical Dimension,CD) 조건을 모니터링하기 위한 각 사이즈 별 선폭이 스플릿(split)한 형태로 배열된다.
좀더 구체적으로, 테스트용 차광패턴(24)은 임의의 개수로 영역 분할되어, 이 분할된 영역(A-n,…,A0,…,An)들 중, 정 중앙의 영역(A0)에는 선폭 관리를 위한 기준이 되는 선폭 사이즈의 패턴, 일예로 트랜지스터의 액티브 패턴 간의 기준 선폭이 배치되고, 그 전후로 상기 정 중앙의 영역(A0)의 기준 선폭의 사이즈보다 가감된 사이즈의 패턴이 배치된다.
즉, 테스트용 차광패턴의 분할된 영역(A-n,…,A0,…,An)들의 각 선폭 사이즈의 대소 관계는 A-n< A-3< A-2< A-1< A0< A-1< A-2< A-3< An가 된다.
상기 분할된 영역(A-n,…,A0,…,An)들의 각 영역 별 선폭 사이즈는 5∼20% 정도씩 가감되게 하는 것이 바람직하다.
이는 다음과 같이 표현될 수도 있다.
테스트용 차광패턴(24)의 분할된 각 영역(A-n,…,A0,…,An) 별 선폭 사이즈는 기준 사이즈를 A0라 할 때, 수학식 을 만족하되, 상기 B는 0.05 내지 0.2 로 한다.
상기 테스트용 차광패턴(24)은 석영(quartz) 등으로 형성되는 레티클(2) 원판에 상기 회로 차광패턴(22)과 동일하게 크롬막으로 형성할 수 있다.
이러한 구조로 된 본 발명의 레티클(2) 내에 구비된 테스트용 차광패턴(24)을 이용하여 선폭 조건을 모니터링하기 위한 검사는 상기 테스트용 차광패턴(24)의 각 선폭 사이즈가 웨이퍼에 정상적으로 형성되는지 여부를 확인하는 검사로, 이러한 선폭 사이즈의 검사는 레티클(2)을 마스크로 하여 웨이퍼를 노광 및 현상한 후에 행하는 ADI(After Development Inpection)와, 현상된 웨이퍼를 세정한 후 행하는 ACI(After Cleaning Inpection)으로 행할 수 있다. 검사는 광학 스코프,SEM(Scanning Electron Microscope), TEM(Transmission Electron Microscope) 등의 계측 장비를 이용한다.
본 발명은 이와 같이 테스트용 차광패턴(24)에 의해 웨이퍼 상에 형성된 여러 사이즈의 선폭에 결함이 있는지 여부를 각각 확인함으로써 현재 행하고 있는 공정 조건에서의 해상도 한계를 정밀하게 검증할 수 있게 된다.
또, 이러한 테스트용 차광패턴(24)을 이용한 여러 선폭 사이즈의 검사 결과는 해상도 한계를 극복하기 위한 설비 및 공정 조건에 기인하는 선폭 조건의 개선을 위한 자료로 활용할 수도 있다. 즉, 본 발명의 테스트용 차광패턴에 의한 선폭 사이즈의 검사 결과는 현재 진행하는 공정의 패턴 조건 설정에도 이용할 수 있지만 추후 공정에서 설정할 패턴과 연계되는 상관 관계를 분석하는 것으로 응용할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 여러 사이즈의 선폭이 배열된 테스트용 패턴이 구비된 것이므로, 이러한 레티클을 이용한 한번의 공정에 의해 여러 사이즈의 선폭이 형성되는 상태를 검사할 수 있다.
또, 상기 테스트용 패턴은 반도체 소자의 회로 패턴이 없는 스크라이빙 영역에 형성된 것으므로 반도체 소자를 제조하는 양산 과정에서 선폭 조건을 함께 모니티링할 수 있게 된다.
따라서, 본 발명은 정밀한 선폭 조건의 평가를 가능하게 함으로써 해상도 한계를 극복하는데 유용하게 활용될 수 있으며, 아울러 선폭 조건의 평가에 소요되는 물적 및 인적 자원의 소모를 줄일 수 있도록 한다.
한편, 본 발명은 특정의 바람직한 실시예에 국한하지 않고 청구범위에 기재된 기술적 권리 내에서는 당업계의 통상적인 지식에 의하여 다양한 응용이 가능함은 물론이다.
Claims (1)
- 반도체 소자의 스크라이빙 영역에 각 사이즈 단위의 선폭이 스플릿한 형태로 배열된 테스트용 차광 패턴을 포함하되,상기 차광 패턴의 각 사이즈 단위의 선폭은식 를 만족하고;상기는 기준 사이즈의 선폭을 나타내며; 그리고상기 B는 0.05 내지 0.2의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 레티클.
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|---|---|---|---|---|
| US11488877B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including test structure |
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| JPH08248620A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nippon Precision Circuits Kk | レチクルおよびこれを用いたデフォーカスレベル判定方法 |
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1999
- 1999-05-20 KR KR1019990018212A patent/KR100328361B1/ko not_active IP Right Cessation
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