KR950015579A - 현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크 및 현상율 측정방법 - Google Patents

현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크 및 현상율 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그라피 (photolithography) 공정에 의한 포토마스크 패턴헝성시 웨이퍼의 서로 다른 지역에서의 현상율을 측정하는 현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크 및 현상율 측정방법에 관한 것으로, 웨이퍼의 서로 다른 부위에서의 현상율 차이를 측정하는 포토마스크에 있어서, 포토마스크 중앙의 소정영역을 이등분하여 어느 한 영역에 凸형 점(dot)을, 나머지 다른 한 영역에는 凹형 점을 포토마스크 형성물질과 동일한 물질로 다수개 형성하되, 왼쪽에서 오른쪽으로, 위쪽에서 아래쪽으로 갈수록 점의 크기가 증대되는 현상을 측정 패턴이 포함됨으로써 현상기의 현상균일정도를 쉽고, 빠르게 점검할 수 있으며, 현상 기간의 현상율을 조정해야 할 경우 조정이 용이하고 절차의 복잡성이나 시간절약의 효과를 기할 수 있다.

Description

현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크 및 현상율 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 포토마스크상의 최대노광영역을 나타낸 평면도,
제2도는 본 발명에 따른 현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크의 개략도,
제3도는 제2도의 현상율 측정 패턴의 상세도.
제4도는 웨이퍼상에 본 발명의 현상율 측정패턴이 구비된 포토마스크를 이용하여 감광막 패턴을 형성한 상태의 평면도.

Claims (4)

  1. 웨이퍼의 서로 다른 부위에서의 현상율 차이를 측정하는 포토마스크에 있어서, 포토마스크 중앙의 소정영역을 이등분하여 어느 한 영역에 凸형 점(dot)을, 나머지 다른 한 영역에는 凹형 점을 포토마스크 형성물질과 동일한 물질로 다수개 형성하되, 왼쪽에서 오른쪽으로. 위쪽에서 아래쪽으로 갈수록 점의 크기가 증대되는 현상을 측정 패턴이 포함된 것을 특징으로 하는 현상 측정 패턴이 구비된 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 현상율 측정패턴은 가로×세로가 200마이크로미터×200마이크로미터의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 현상 측정 패턴이 구비된 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다수개 형성되는 점의 크기는 한 변의 길이가 최상단 좌측의 0.1마이크로미터를 시작으로 하여 최하단 우측의 0.95마이크로미터를 종점으로 하며, 0.5마이크로미터씩 순차적으로 증가되는 것을 특징으로 하는 현상 측정 패턴이 구비된 포토마스크.
  4. 현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크를 이용한 현상율 차측정방법에 있어서, 현상율 차는 최대값을 갖는 점의 변의 길이에서 최소간을 갖는 점의 변의 길이를 뺀 값으로 하는 것을 특징으로 하는 현상율 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930025301A 1993-11-25 1993-11-25 현상률 측정 패턴을 구비한 포토마스크 및 현상률 측정방법 KR0137636B1 (ko)

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