KR970022500A - 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법에 관한 것으로, 위상반전 마스크의 투명기판 소정영역에 투과되는 광의 위상을 쉬프트시키는 일정폭을 가진 위상반전패턴이 일정간격으로 배열되고, 상기 투명기판영역과 상기 위상반전패턴의 경계부에 소정폭의 광차단막이 형성된 위상오차 측정용 패턴을 설치하고, 상기 위상반전 마스크를 사용하여 웨이퍼상에 패터닝을 실시한 후, 웨이퍼상에 노광된 패턴이 쉬프트된 방향 및 크기를 측정비교함으로써 위상반전 마스크의 위상오차를 손쉽게 측정할 수 있도록 한다.

Description

위상반전 마스크의 위상오차 검출방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 위상오차 검출을 위한 마스크 패턴 각 실시예의 평면도.

Claims (10)

  1. 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법에 있어서, 위상반전 마스크의 투명기판 소정영역에 투과되는 광의 위상을 쉬프트시키는 일정폭을 가진 위상반전패턴이 일정간격으로 배열되고, 상기 투명기판영역과 상기 위상 반전패턴의 경계부에 소정폭의 광차단막이 형성된 위상오차 측정용 패턴을 설치하는 단계와, 상기 위상오차 측정용 패턴이 형성된 위상반전 마스크를 사용하여 웨이퍼상에 패턴을 형성하는 단계와, 웨이퍼상에서 위상이 반전된 부위의 패턴의 크기와, 반전되지 않은 부위의 패턴의 크기를 디포커스별로 비교 측정하는 단계와, 상기 비교된 패턴의 크기차로 위상반전 마스크의 위상오차를 검출하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상오차 측정용 패턴의 위상반전 패턴은 일정폭을 가진 사각 형상으로서 대각선 방향으로 배열되어 매트릭스형상을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 위상오차 검출방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 웨이퍼상에서 위상이 반전된 부위의 패턴의 라인 크기와, 반전되지 않은 부위의 패턴의 라인 크기를 디포커스별로 비교 측정하여 위상반전 마스크의 위상오차를 검출하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 위상오차 측정용 패턴은 일정폭을 가진 일자형의 위상반전 패턴과 상기 일자형의 위상반전 패턴의 인접부로 광차단막과 투명기판 영역이 동일한 형상으로 반복적으로 배열되어 있는 형태로 된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 웨이퍼상에서 위상이 반전된 부위의 패턴의 라인 및 스페이스 크기와, 반전되지 않은 부위의 패턴의 라인 및 스페이스 크기를 디포커스별로 비교 측정하여 위상반전 마스크의 위상오차를 검출하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 위상오차 측정용 패턴은 사각형상의 위상반전 패턴이 일정간격으로 배열되고, 상기 위상반전 패턴의 인접한 부위에는 위상반전 패턴이 배열되어 있는 간격과 동일한 간격으로 투명기판부가 배열되며, 상기 위상반전 패턴과 투명기판부 외의 모든영역에 광차단막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  7. 제1항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광차단막은 크롬으로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  8. 제1항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광차단막은 0.1㎛ 이상의 선폭을 가진 크롬으로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  9. 제1항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위상반전 마스크를 사용하여 패터닝할 시, 사용되는 포토레지스트가 포지티브형일 경우, 웨이퍼상에서 위상이 반전된 부위의 패턴의 스페이스 크기와, 반전되지 않은 부위의 패턴의 스페이스 크기를 디포커스별로 비교 측정하여 위상반전 마스크의 위상오차를 검출하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
  10. 제1항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위상반전 마스크를 사용하여 패터닝할 시, 사용되는 포토레지스트가 네거티브형일 경우. 웨이퍼상에서 위상이 반전된 부위의 패턴의 라인 크기와, 반전되지 않은 부위의 패턴의 라인 크기를 디포커스 별로 비교 측정하여 위상반전 마스크의 위상오차를 검출하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 위상오차 검출방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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