JPH05152183A - 半導体装置の寸法測定方法 - Google Patents
半導体装置の寸法測定方法Info
- Publication number
- JPH05152183A JPH05152183A JP3080202A JP8020291A JPH05152183A JP H05152183 A JPH05152183 A JP H05152183A JP 3080202 A JP3080202 A JP 3080202A JP 8020291 A JP8020291 A JP 8020291A JP H05152183 A JPH05152183 A JP H05152183A
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- Japan
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体装置を製造する際、高価な寸法測定装
置を用いることなく、迅速に露光条件等の判断を行う。 【構成】 開けパターン２と、この開けパターン２と幅
方向を同じくして隣接する残しパターン１とからなる検
査用パターンを、開けパターン２および残しパターン１
の各幅の差を変化させて複数用いることにより、フォト
エッチングを行い、フォトエッチング後、目視検査によ
り、残しパターンおよび開けパターンの各幅が一致した
検査用パターンを見付けることにより、レジストパター
ンの寸法を測定する。
置を用いることなく、迅速に露光条件等の判断を行う。 【構成】 開けパターン２と、この開けパターン２と幅
方向を同じくして隣接する残しパターン１とからなる検
査用パターンを、開けパターン２および残しパターン１
の各幅の差を変化させて複数用いることにより、フォト
エッチングを行い、フォトエッチング後、目視検査によ
り、残しパターンおよび開けパターンの各幅が一致した
検査用パターンを見付けることにより、レジストパター
ンの寸法を測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトリソグラフィ
技術によって半導体装置を製造する際、露光条件等を判
定するために行う半導体装置の寸法測定方法に関する。
技術によって半導体装置を製造する際、露光条件等を判
定するために行う半導体装置の寸法測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造の際、フォトマスクに
対して忠実なフォトレジストパターンを半導体基板に形
成する必要がある。また、フォトマスクに対して忠実な
フォトレジストパターンを形成するためには、露光条
件、現像条件等を最適化する必要がある。このため、従
来、露光条件等が最適であるか否かを判断するために、
図２に示す検査用パターンが用いられていた。この図に
おいて、１、３および４は各々フォトエッチングが行わ
れた場合に除去されずに残るパターンを示している。こ
の図に示すように、各パターン１、３および４は、各々
が長方形をなし、パターン１の横幅とパターン３および
４の隙間２の幅が一致している。なお、以下の説明で
は、パターン１を残しパターン、パターン３および４の
隙間の部分２を開けパターンと呼ぶ。従来、露光条件等
を各種変化させてフォトエッチングを行い、各条件にお
ける残しパターン１および開けパターン２の幅を測定す
ることにより、最適なフォトエッチングが行われる条件
が判断されていた。
対して忠実なフォトレジストパターンを半導体基板に形
成する必要がある。また、フォトマスクに対して忠実な
フォトレジストパターンを形成するためには、露光条
件、現像条件等を最適化する必要がある。このため、従
来、露光条件等が最適であるか否かを判断するために、
図２に示す検査用パターンが用いられていた。この図に
おいて、１、３および４は各々フォトエッチングが行わ
れた場合に除去されずに残るパターンを示している。こ
の図に示すように、各パターン１、３および４は、各々
が長方形をなし、パターン１の横幅とパターン３および
４の隙間２の幅が一致している。なお、以下の説明で
は、パターン１を残しパターン、パターン３および４の
隙間の部分２を開けパターンと呼ぶ。従来、露光条件等
を各種変化させてフォトエッチングを行い、各条件にお
ける残しパターン１および開けパターン２の幅を測定す
ることにより、最適なフォトエッチングが行われる条件
が判断されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法は、残しパターン１および開けパターン２
の幅を測定するために、高価な寸法測定装置を必要とす
るという問題があった。また、残しパターン１および開
けパターン２の幅の測定データ（数値データ）に基づい
て最適な露光条件等の判断を行うので、判断のための時
間が長くなるという問題があった。この発明は上述した
事情に鑑みてなされたものであり、高価な寸法装置を必
要とせず、迅速に露光条件等の判断を行うことができる
半導体装置の寸法測定方法を提供することを目的とす
る。
た従来の方法は、残しパターン１および開けパターン２
の幅を測定するために、高価な寸法測定装置を必要とす
るという問題があった。また、残しパターン１および開
けパターン２の幅の測定データ（数値データ）に基づい
て最適な露光条件等の判断を行うので、判断のための時
間が長くなるという問題があった。この発明は上述した
事情に鑑みてなされたものであり、高価な寸法装置を必
要とせず、迅速に露光条件等の判断を行うことができる
半導体装置の寸法測定方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、フォトエッ
チングによって除去されるべき開けパターンと、この開
けパターンと幅方向を同じくして隣接する、フォトエッ
チングによって残されるべき残しパターンとからなる検
査用パターンを、前記開けパターンおよび残しパターン
の各幅の差を変化させて複数形成し、これら各検査用パ
ターンの目視検査を行うことを特徴とする。
チングによって除去されるべき開けパターンと、この開
けパターンと幅方向を同じくして隣接する、フォトエッ
チングによって残されるべき残しパターンとからなる検
査用パターンを、前記開けパターンおよび残しパターン
の各幅の差を変化させて複数形成し、これら各検査用パ
ターンの目視検査を行うことを特徴とする。
【０００５】
【作用】上記方法によれば、フォトエッチング後、開け
パターンの幅と残しパターンの幅が一致する検査用パタ
ーンを見付けることにより、残しパターンのフォトエッ
チングによる細りの寸法を判断することができる。
パターンの幅と残しパターンの幅が一致する検査用パタ
ーンを見付けることにより、残しパターンのフォトエッ
チングによる細りの寸法を判断することができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照し、この発明の一実施例を
説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置の
検査方法に用いられる検査用パターンを示す平面図であ
る。この図に示すように、本実施例における検査用パタ
ーンは、残しパターン１の幅ａと開けパターン２の幅ｂ
が異なっている。図１に示す例は、残しパターンの細り
寸法を測定するための検査用パターンであり、開けパタ
ーン２は残しパターン１の幅方向内側に各々同じ寸法△
Ｘ／２だけ細くなっている。このような検査用パターン
を、残しパターン１と開けパターン２の各幅の差△Ｘを
各種変え、マスクパターンの一部としてフォトマスクに
複数形成する。また、これらとは別に、図１において、
残しパターン１の幅方向外側に各々同じ寸法△Ｘ／２だ
け幅が広い開けパターン２を有する検査用パターンを、
△Ｘを各種変えて複数フォトマスクに形成する。この検
査用パターンは残しパターンの太り寸法を測定するため
に用いられる。
説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置の
検査方法に用いられる検査用パターンを示す平面図であ
る。この図に示すように、本実施例における検査用パタ
ーンは、残しパターン１の幅ａと開けパターン２の幅ｂ
が異なっている。図１に示す例は、残しパターンの細り
寸法を測定するための検査用パターンであり、開けパタ
ーン２は残しパターン１の幅方向内側に各々同じ寸法△
Ｘ／２だけ細くなっている。このような検査用パターン
を、残しパターン１と開けパターン２の各幅の差△Ｘを
各種変え、マスクパターンの一部としてフォトマスクに
複数形成する。また、これらとは別に、図１において、
残しパターン１の幅方向外側に各々同じ寸法△Ｘ／２だ
け幅が広い開けパターン２を有する検査用パターンを、
△Ｘを各種変えて複数フォトマスクに形成する。この検
査用パターンは残しパターンの太り寸法を測定するため
に用いられる。
【０００７】以上の検査用パターンを有するフォトマス
クを用いてフォトエッチングを行う。そして、図１に破
線によって示すように、残しパターン１の幅と開けパタ
ーン２の幅とが一致している検査用パターンを目視によ
って見付ける。このようにして見付かった検査用パター
ンにおいて、フォトマスク上における元々の残しパター
ン幅ａおよび開けパターン幅ｂの差△Ｘ（既知）の１／
４が残しパターンの片側細りとして得られる。△Ｘを変
化させるステップを小さくし、検査用パターンを多数用
いると、高い精度でレジストパターンの細り寸法を判断
することができる。このように本実施例によれば、残し
パターン１の幅と開けパターン２の幅が一致する検査用
パターンを見付けるのみの作業により、レジストパター
ンの寸法を測定することができ、フォトレジスタの露光
条件等へのフィードバックを迅速に行うことができる。
また、これらの検査用パターンは製品に対応した素子パ
ターンと共に半導体基板上に形成されるので、フォトレ
ジストパターンの寸法測定のみならず、実際に半導体基
板に形成される素子の寸法測定に利用することが可能で
ある。また、各検査用パターンに対し、△Ｘの値を表示
するマークを付しておくと、さらに作業効率を高くする
ことができる。
クを用いてフォトエッチングを行う。そして、図１に破
線によって示すように、残しパターン１の幅と開けパタ
ーン２の幅とが一致している検査用パターンを目視によ
って見付ける。このようにして見付かった検査用パター
ンにおいて、フォトマスク上における元々の残しパター
ン幅ａおよび開けパターン幅ｂの差△Ｘ（既知）の１／
４が残しパターンの片側細りとして得られる。△Ｘを変
化させるステップを小さくし、検査用パターンを多数用
いると、高い精度でレジストパターンの細り寸法を判断
することができる。このように本実施例によれば、残し
パターン１の幅と開けパターン２の幅が一致する検査用
パターンを見付けるのみの作業により、レジストパター
ンの寸法を測定することができ、フォトレジスタの露光
条件等へのフィードバックを迅速に行うことができる。
また、これらの検査用パターンは製品に対応した素子パ
ターンと共に半導体基板上に形成されるので、フォトレ
ジストパターンの寸法測定のみならず、実際に半導体基
板に形成される素子の寸法測定に利用することが可能で
ある。また、各検査用パターンに対し、△Ｘの値を表示
するマークを付しておくと、さらに作業効率を高くする
ことができる。
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体装置の寸法測定方法は、フォトエッチングによって
除去されるべき開けパターンと、この開けパターンと幅
方向を同じくして隣接する、フォトエッチングによって
残されるべき残しパターンとからなる検査用パターン
を、前記開けパターンおよび残しパターンの各幅の差を
変化させて複数形成し、これら各検査用パターンの目視
検査を行うものであるから、高価な寸法測定装置を用い
ることなく、かつ、迅速に露光条件等の判断を行うこと
ができるという効果がある。
導体装置の寸法測定方法は、フォトエッチングによって
除去されるべき開けパターンと、この開けパターンと幅
方向を同じくして隣接する、フォトエッチングによって
残されるべき残しパターンとからなる検査用パターン
を、前記開けパターンおよび残しパターンの各幅の差を
変化させて複数形成し、これら各検査用パターンの目視
検査を行うものであるから、高価な寸法測定装置を用い
ることなく、かつ、迅速に露光条件等の判断を行うこと
ができるという効果がある。
【図１】 この発明の一実施例による半導体装置の寸法
測定方法において用いる検査用パターンを示す平面図で
ある。
測定方法において用いる検査用パターンを示す平面図で
ある。
【図２】 従来の検査用パターンを示す平面図である。
１……残しパターン、２……開けパターン。
Claims (1)
- 【請求項１】 フォトエッチングによって除去されるべ
き開けパターンと、この開けパターンと幅方向を同じく
して隣接する、フォトエッチングによって残されるべき
残しパターンとからなる検査用パターンを、前記開けパ
ターンおよび残しパターンの各幅の差を変化させて複数
形成し、これら各検査用パターンの目視検査を行うこと
を特徴とする半導体装置の寸法測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080202A JPH05152183A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 半導体装置の寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080202A JPH05152183A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 半導体装置の寸法測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152183A true JPH05152183A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=13711800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080202A Withdrawn JPH05152183A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 半導体装置の寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990000557A1 (en) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Taiho Pharmaceutical Co., Ltd. | 5-substituted uridine derivatives and intermediates for their preparation |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3080202A patent/JPH05152183A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990000557A1 (en) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Taiho Pharmaceutical Co., Ltd. | 5-substituted uridine derivatives and intermediates for their preparation |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |