KR980003788A - 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조의 리소그라피 공정시 공정 마진을 빠르고 용이하게 측정할 수 있도록 공정 마진 테스트용 포토 마스크를 제조하고, 이를 이용하여 공정 마진을 테스트하는 방법에 관한 것이다.
즉, 종래의 결함 검사용으로 사용되는 CAD 데이타 대 패턴 이미지 비교방식의 결함 검사 장치를 이용하여 공정 마진을 테스트하기 위하여 여러가지 패턴을 구비하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크를 제조한 다음, 이마스크를 이용하여 샘플 웨이퍼의 상부에 감광막을 도포하고, 현상 및 노광 공정으로 형성되는 감광막패턴의 이미지를 검사하여 결함 크기, 결함수, 결함 밀도 분포를 통하여 공정 마진의 허용 폭을 알아내는 것이다.

Description

공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의해 라인/스페이스 및 콘택홀이 구비된 제1공정 마진 테스트 패턴을 도시한 평면도.
제2도는 본 발명에 의해 라인/스페이스가 구비된 제2공정 마진 테스트 패턴을 도시한 평면도.
제3도는 본 발명에 의해 라인/스페이스가 구비된 제3공정 마진 테스트 패턴을 도시한 평면도.
제4도는 제1 내지 제3공정 마진 테스트 패턴이 하나의 단위로 구성되어 9등분된 칩의 각각의 영역에 배치된 것을 도시한 공정 마진 테스트용 포토 마스크

Claims (9)

  1. 종방향으로 길이가 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 그 옆에 상기 라인/스페이스 패턴과 선폭만 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 상기 두쌍의 라인/스페이스 패턴이 횡 방향으로 반복적으로 배열되고, 상기 라인/스페이스 패턴들과는 종방향으로 일정 간격 이격되고, 크기가 동일한 콘택홀 한쌍이 구비되고, 그 옆에 상기 콘택홀과 크기가 다른 한쌍의 콘택홀이 구비되고, 상기 두쌍의 콘택홀이 횡방향과 종방향으로 반복적으로 다수개 배열되는 제1공정 마진 테스트 패턴과, 종 방향으로 길이가 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 그 옆에 상기 라인/스페이스 패턴과 선폭만 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 상기 두쌍의 라인/스페이스 패턴이 횡 방향으로 반복적으로 배열되고, 종 방향으로 상기 라인/스페이스 패턴에서 길이가 길은 라인이 상호 접속되면서 대칭구조를 이루는 제2공정 마진 테스트 패턴과, 종 방향으로 길이가 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 그 옆에 상기 라인/스페이스 패턴과 선폭만 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍이 구비되고, 상기 두쌍의 라인/스페이스 패턴이 횡 방향으로 다수개 반복적으로 배열되고, 종 방향으로 상기 라인/스페이스 패턴에서 길이가 길은 라인이 일정 간격 이격되면서 대칭구조를 이루는 제3공정 마진 테스트 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 길이가 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍의 선폭은 노광원이 i라인 인경우 0.35㎛이고, 상기 라인/스페이스 패턴과 선폭만 다른 라인/스페이스 패턴은 0.4㎛인 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 길이가 다른 라인/스페이스 패턴 한쌍의 선폭은 노광원이 KrF 인경우 0.3㎛이고, 상기 라인/스페이스 패턴과 선폭만 다른 라인/스페이스 패턴은 0.35㎛인 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀의 크기는 상기 라인/스페이스의 선폭과 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀의 크기는 상기 라인/스페이스의 선폭 보다 0.05-0.1㎛가 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3공정 마진 테스트 패턴이 하나의 단위로 이루어지고, 칩의 전체 영역을 9등분 할때 상기 단위로 이루어지는 공정 마진 테스트 패턴이 각각의 칩 영역에 구비되도록 하는 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공정 마진 테스트 패턴의 횡방향으로 크기는 2000-4000㎛인 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트용 포토 마스크.
  8. 웨이퍼에 감광막을 도포하는 단계와, 제1 내지 제3공정 마진 패턴이 하나의 단위로 이루어져 칩전체에 걸쳐 다수개 구비된 포토 마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광 하고, 현상하여 감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토 마스크의 공정 마진 패턴에 대한 데이타가 저장된 CAD 데이타와 상기 감광막 패턴의 이미지를 비교하여 공정 마진을 테스트 하는 관계로 이루어지는 공정 마진 테스트 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 장비를 이용하여 조사하여 패턴의 결함의 위치와 결함의 크기가 출력 되도록 하고 이러한 검사된 데이타를 토대로 공정 마진을 조사하는 것을 특징으로 하는 공정 마진 테스트 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JP16492497A JP2943770B2 (ja) 1996-06-24 1997-06-09 工程マージンテスト用フォトマスクとこれを利用した工程マージンテスト方法
DE19726835A DE19726835B4 (de) 1996-06-24 1997-06-24 Photomaske für einen Prozeßspielraumtest und ein Verfahren zum Durchführen eines Prozeßspielraumtests unter Verwendung dieser Maske

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3287321B2 (ja) 1998-12-03 2002-06-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6063531A (en) * 1998-10-06 2000-05-16 Advanced Micro Devices, Inc. Focus monitor structure and method for lithography process
US6225134B1 (en) 1998-10-30 2001-05-01 Lucent Technologies, Inc. Method of controlling linewidth in photolithography suitable for use in fabricating integrated circuits
US6737207B2 (en) 2000-04-25 2004-05-18 Nikon Corporation Method for evaluating lithography system and method for adjusting substrate-processing apparatus
JP2002148782A (ja) * 2000-11-10 2002-05-22 Nec Corp アライメントマーク
JP3856197B2 (ja) * 2001-04-13 2006-12-13 ソニー株式会社 Ｏｐマスクの製作方法
DE10126546A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Wilfried Donner Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung eines ortsabhängigen Intensitäts- und Farbprofils und/oder Schärfeprofils optischer Linsensysteme
US20020192577A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Bernard Fay Automated overlay metrology system
JP2003203841A (ja) 2002-01-07 2003-07-18 Mitsubishi Electric Corp 評価方法、製造条件補正方法及び半導体装置の製造方法
AU2003220830A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-22 Olympus Corporation Semiconductor manufacturing method and device thereof
TWI258061B (en) * 2004-02-27 2006-07-11 Powerchip Semiconductor Corp Device and method for testing an exposure apparatus
TWI247342B (en) * 2004-11-18 2006-01-11 Allied Material Technology Cor A test photomask and a compensation method using the same
CN101295130B (zh) * 2007-04-24 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光罩的检测方法
CN102280438B (zh) * 2011-08-01 2016-06-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 微影过程中临界尺寸的测试标记
CN102360168B (zh) * 2011-10-13 2014-08-27 上海华力微电子有限公司 光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法
KR102339781B1 (ko) * 2014-12-19 2021-12-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN110764362B (zh) * 2019-01-31 2020-12-29 昆山国显光电有限公司 掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置
CN113515007B (zh) * 2020-04-10 2023-09-01 长鑫存储技术有限公司 掩膜版及掩膜版质量测试方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657648A (en) * 1981-03-17 1987-04-14 Osamu Nagarekawa Method of manufacturing a mask blank including a modified chromium compound
JPS57151945A (en) * 1981-03-17 1982-09-20 Hoya Corp Photomask blank and its manufacture
US4563407A (en) * 1982-11-16 1986-01-07 Hoya Corporation Photo-mask blank comprising a shading layer having a variable etch rate
JP3042639B2 (ja) * 1991-07-12 2000-05-15 日本電気株式会社 半導体装置製造用フォトレティクル
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
JP3284641B2 (ja) * 1992-09-03 2002-05-20 ソニー株式会社 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法
KR0137636B1 (ko) * 1993-11-25 1998-06-01 김주용 현상률 측정 패턴을 구비한 포토마스크 및 현상률 측정방법
KR970010666B1 (ko) * 1993-12-27 1997-06-30 현대전자산업 주식회사 반도체 소자의 패턴 중첩오차 측정방법

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JPH10115910A (ja) 1998-05-06
DE19726835B4 (de) 2004-07-29
GB2314941B (en) 2000-06-14
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