KR950029843A - 반도체 소자 제조용 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의 현상 균일도 체크 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의 현상 균일도 체크(Develop Uniformity Check)방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 육안(Visual)으로 현상 균일도를 확인 가능하게 하도록, 반도체 소자 제조에 사용되는 포토마스크 제작시 스크라이브 라인(Scrive Line)내에 다수의 도트(Dot) 형태로 현상 균일도 체크용 패턴을 형성하되, 포토 마스크에 구비되는 현상 균일도 체크용 패턴은 각 포토마스크를 중첩할 때 패턴이 중첩되지 않는 위치가 되도록 형성하고, 이렇게 제작된 다수의 포토 마스크를 이용하여 웨이퍼내에 패턴을 형성한 후 패턴의 현상된 정도에 따라 스코프(Scope)상에서 나타나는 색깔 차이를 이용하여 웨이퍼내의 위치(Position)별도 현상정도의 양을 체크할 수 있는 포토 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의 현상 균일도 체크방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조용 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의 현상균일도 체크방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 의한 포토마스크의 평면도, 제2도는 현상 균일도 체크용 패턴의 확대도, 제3도는 제1도의 포토마스크를 웨이퍼에 적용한 상태도, 제4도는 다수의 포토마스크를 중첩했을 때 현상 균일도 체크용 패턴의 위치를 설명하기 위한 도면.

Claims (7)

1. 프로덕트 다이와 스크라이브 라인이 형성된 반도체 소자 제조용 포토 마스크에 있어서, 현상 균일도 체크용 패턴(4)이 스크라이브 라인(3)의 소정위치에 구비된 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 현상 균일도 체크용 패턴(4)은 다수의 도트 패턴(5) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
3. 제2항에 있어서, 상기 도트 패턴(5)의 크기는 스텝퍼를 이용한 노광공정시 해상한계이상의 크기인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
4. 반도체 소자 제조공정에서 포토 마스크를 사용하여 웨이퍼상에 소정의 패턴을 형성한 후 이 패턴의 현상균일도를 체크하는 방법에 있어서, 현상 균일도 체크용 패턴(4)이 스크라이브 라인(3)의 소정위치에 구비되는 다수의 포토 마스크를 제작하는 단계와, 상기 단계로부터 반도체 소자 제조공정 순서에 따라 상기 다수의 포토마스크중 차례로 하나씩 사용하여 마스크 공정을 실시함에 의해 상기 현상 균일도 체크용 패턴(4)에 의한 패턴을 웨이퍼내에 형성하는 단계와, 상이 단계로부터 웨이퍼내에 형성되는 패턴의 현상된 정도에 따라 스코프상에서 나타나는 색깔 차이를 이용하여 웨이퍼내의 위치별로 현상정도의 양을 체크하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 패턴의 현상 균일도 체크방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 현상 균일도 체크용 패턴(4)의 위치는 이패턴(4)이 구비된 다수의 포토 마스크를 중첩시킬 때 어느 하나의 현상 균일도 체크용 패턴(4)도 중첩되지 않도록 각기 다른 위치에 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패턴의 현상 균일도 체크방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 현상 균일도 체크는 현상 균일도 체크용 패턴(4)이 구비된 포토 마스크를 이용한 공정단계마다 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패턴의 현상 균일도 체크방법.
7. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.