JPS59149367A - 写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法 - Google Patents
写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法Info
- Publication number
- JPS59149367A JPS59149367A JP58025028A JP2502883A JPS59149367A JP S59149367 A JPS59149367 A JP S59149367A JP 58025028 A JP58025028 A JP 58025028A JP 2502883 A JP2502883 A JP 2502883A JP S59149367 A JPS59149367 A JP S59149367A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- marks
- mark
- wafer
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程などで、縮小投影形露
光装置を用いた写真製版技術において、３レイヤ一以上
のパターンを順次重ね合わせる場合のパターン重ね合わ
せ方法に関するものである。
光装置を用いた写真製版技術において、３レイヤ一以上
のパターンを順次重ね合わせる場合のパターン重ね合わ
せ方法に関するものである。
以下半導体装置の場合を例にとって説明する。
従来、この種の位置合わせマークには、例へば第１図に
示すようなパターンが用いられていた。
示すようなパターンが用いられていた。
図において、（１）は、ダイシングラインを含めたｌチ
ップ、’（２ａ）、 （２ｂ）は縮小投影形無光装置を
用いて無光する時に用いるウェーハ位置合わせマークで
ある〇−例としてＧＣＡ社の縮小投影形露光装置ｒＤｓ
ＷＪ（ｉｌＪ品名）を用いて縮小投影露光を行う場合は
、ウェーハ上のある一定距離たけ離れた２−７ チップでのウェーハ位置合わト伊すえはマーク（２ａ）
ＪＱ用いてウェーハの位置合わせを行い、その後入力さ
れたテークに基づいてウェーハステージを移動してステ
ップアンドリヒート方式で１チツプづつ結党を行う。
ップ、’（２ａ）、 （２ｂ）は縮小投影形無光装置を
用いて無光する時に用いるウェーハ位置合わせマークで
ある〇−例としてＧＣＡ社の縮小投影形露光装置ｒＤｓ
ＷＪ（ｉｌＪ品名）を用いて縮小投影露光を行う場合は
、ウェーハ上のある一定距離たけ離れた２−７ チップでのウェーハ位置合わト伊すえはマーク（２ａ）
ＪＱ用いてウェーハの位置合わせを行い、その後入力さ
れたテークに基づいてウェーハステージを移動してステ
ップアンドリヒート方式で１チツプづつ結党を行う。
この時、ウェーハ位置合わせに用いる２つのマーク（２
ａ）の間隔は、ウェーハ位置合わぜの方法の上から、あ
る一定の決められた距離Ａでなければならないという規
尾がめるので、チップサイズの整数（ざが決められた間
隔Ａにならない場合は同一チップ内に’ｉＪ １図に示
すように２個のウエーノ・位置合わせマーク（２ａ）、
＜２ｂ）を設け、２個のマーク（２ａ）、 （２ｂ）
の間隔αがｎａｘ土α＝Ａ、（ｎは整数。
ａ）の間隔は、ウェーハ位置合わぜの方法の上から、あ
る一定の決められた距離Ａでなければならないという規
尾がめるので、チップサイズの整数（ざが決められた間
隔Ａにならない場合は同一チップ内に’ｉＪ １図に示
すように２個のウエーノ・位置合わせマーク（２ａ）、
＜２ｂ）を設け、２個のマーク（２ａ）、 （２ｂ）
の間隔αがｎａｘ土α＝Ａ、（ｎは整数。
Ｘはテップサイズ）の条件を満たさねばならない。
但しαはチップサイズにより変化する値である。
２個のウェハ位置合わぜマーク（２ａ）、 （２ｂ）の
うち一方のマーク（２ａ）をプライマリ（ｐｒｔｍａｒ
ｙ）マーク。
うち一方のマーク（２ａ）をプライマリ（ｐｒｔｍａｒ
ｙ）マーク。
他の一方のマーク（２ｂ）をセコンダリ（Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ）マークと呼ぶとするとウェハ位置合わせ時には
片方のチップではＰｒｉｍａｒｙマーク（２ａ）を用い
、もう一方のチップでは５ｅｃｏｎａａｒｙマーク（２
ｂ）を用いてウェーハ位置合わせを行なっている。した
がってル−ｆ −’ｙ−に入れる位置合わせマークは特
定のナツプサイズを除いてｌチップ中でマーク２個で１
セツトとなる。
ａｒｙ）マークと呼ぶとするとウェハ位置合わせ時には
片方のチップではＰｒｉｍａｒｙマーク（２ａ）を用い
、もう一方のチップでは５ｅｃｏｎａａｒｙマーク（２
ｂ）を用いてウェーハ位置合わせを行なっている。した
がってル−ｆ −’ｙ−に入れる位置合わせマークは特
定のナツプサイズを除いてｌチップ中でマーク２個で１
セツトとなる。
縮小投影形ｊ１′に光装ぼを用いて露光する際、ウェー
ハ位置合わせに使用するマークはそれ以前のレイヤーで
ウエーノ・上にノ（ターニングされている。
ハ位置合わせに使用するマークはそれ以前のレイヤーで
ウエーノ・上にノ（ターニングされている。
また、ウエーノ・位置合わせのための光学系と露光する
ための光学系とが別であるので、位置追わせマークはそ
のまま保存され、四−ｍ−マークを何レイヤーでも用い
てウエーノ・位置合わせを行うことかで性る。
ための光学系とが別であるので、位置追わせマークはそ
のまま保存され、四−ｍ−マークを何レイヤーでも用い
てウエーノ・位置合わせを行うことかで性る。
近年、微細加工技術がさらに進歩し、各レイヤー間の重
ね合わせ精度もさらに１１！密さが要求されてきている
が、最初のレイヤーで）くターニングしたウエーノ・位
置合わぜマークだりを（’ｌ ｉも用しλてウェハ位置
合わせを行うと、重要なレイヤー間の重ね合わせが必１
しも良好とはちえなくなってくる。
ね合わせ精度もさらに１１！密さが要求されてきている
が、最初のレイヤーで）くターニングしたウエーノ・位
置合わぜマークだりを（’ｌ ｉも用しλてウェハ位置
合わせを行うと、重要なレイヤー間の重ね合わせが必１
しも良好とはちえなくなってくる。
例えは、３レイヤーの写真製版工程が必秩な半導体装置
があり、３レイヤーとも縮小投影形露光装置を用いてバ
ターニングするとして、第１のレイヤーを露光する際に
ウエーノ・位置合わせマークがウェーハ上にバターニン
グされ、第２．第３のレイヤーは第１のレイヤーて）く
ターニングしたウェーハ位置合わせマークを用いてウェ
ーハ位置合わせを行い、縮小投影露光するとする。この
場合、第１のレイヤーと第２のレイヤー、第１のレイヤ
ーと第３のレイヤーとの重ね合わせは良好であるが、第
２のレイヤーと第３のレイヤーとの爪ね合わせは、必ず
しも良好であるとは言えない。その原因としては、第２
のレイヤー露光時のウエーノ・ステージの移動誤差Ｇこ
よるノくターンのずれ、熱（こよるウェー／・の変形等
が考えられる。したかつ−Ｃ１第２のレイーヤーと第３
のレイへ・−との嵐ね合わせが非常に重要である場合に
は、第２のレイヤーを露光する際に仔ひウエーノ・位置
合わゼマークをウェー ハ上にバターニングし、このｚ
ｆｍｇｋ目のウェーハ位置合わ一１ヤマークをルｊいて
第３のレイヤーでウェーハ位置合わせを行い、第３のレ
イ−＼′−の表れ小投影ν、光を行う必嶽か主じてきた
。し定力）って、ウェーハ位置合わぞマークは、第２１
番こ〉トすように（２ａ）、 （２１））と（３ａ）、
（３’ｂ）との２柚知１なｉｉち２糺必少となる。こ
の場合、火線のウエーノ・フ″ロセスでウエノ・位良ハ
わせ時に、２釉朔のマークの区別かつかないので、位（
社）−合わゼ４こ用しＡるπ？−りを間違えるという欠
点があった。
があり、３レイヤーとも縮小投影形露光装置を用いてバ
ターニングするとして、第１のレイヤーを露光する際に
ウエーノ・位置合わせマークがウェーハ上にバターニン
グされ、第２．第３のレイヤーは第１のレイヤーて）く
ターニングしたウェーハ位置合わせマークを用いてウェ
ーハ位置合わせを行い、縮小投影露光するとする。この
場合、第１のレイヤーと第２のレイヤー、第１のレイヤ
ーと第３のレイヤーとの重ね合わせは良好であるが、第
２のレイヤーと第３のレイヤーとの爪ね合わせは、必ず
しも良好であるとは言えない。その原因としては、第２
のレイヤー露光時のウエーノ・ステージの移動誤差Ｇこ
よるノくターンのずれ、熱（こよるウェー／・の変形等
が考えられる。したかつ−Ｃ１第２のレイーヤーと第３
のレイへ・−との嵐ね合わせが非常に重要である場合に
は、第２のレイヤーを露光する際に仔ひウエーノ・位置
合わゼマークをウェー ハ上にバターニングし、このｚ
ｆｍｇｋ目のウェーハ位置合わ一１ヤマークをルｊいて
第３のレイヤーでウェーハ位置合わせを行い、第３のレ
イ−＼′−の表れ小投影ν、光を行う必嶽か主じてきた
。し定力）って、ウェーハ位置合わぞマークは、第２１
番こ〉トすように（２ａ）、 （２１））と（３ａ）、
（３’ｂ）との２柚知１なｉｉち２糺必少となる。こ
の場合、火線のウエーノ・フ″ロセスでウエノ・位良ハ
わせ時に、２釉朔のマークの区別かつかないので、位（
社）−合わゼ４こ用しＡるπ？−りを間違えるという欠
点があった。
この発明は上記のような従来の方法σ）欠点を除去する
ためになされたもので、縮ｔＪ＼投影ノｅ蕗光装置を用
いて写真製版工程を行うための、ノくターン組の２個の
位置合わせマーク＆）１個に（Ｐｒｉｍａｒｙマーク又
は５ｅｃｏｎｄａｒｙマークのどちら力為に）各レイヤ
ーごとに異なる識別マーク會配情°二することにｆす、
写真製版プロセスでのミスを防く゛こと７５ｚできるパ
ターン重ね合わせ方法を提供するものである。。
ためになされたもので、縮ｔＪ＼投影ノｅ蕗光装置を用
いて写真製版工程を行うための、ノくターン組の２個の
位置合わせマーク＆）１個に（Ｐｒｉｍａｒｙマーク又
は５ｅｃｏｎｄａｒｙマークのどちら力為に）各レイヤ
ーごとに異なる識別マーク會配情°二することにｆす、
写真製版プロセスでのミスを防く゛こと７５ｚできるパ
ターン重ね合わせ方法を提供するものである。。
以下、この発明の一実施例全図についてに発明−Ｃる。
第３図はこの発明の一実施例Ｋ ｔｌＪいるウェーハ位
置合わせマークを示すノくターン図で、Ｉ％ｌにおいて
、（４ａ）、 （４ｂ）は前記−例での第１のレイヤー
でバターニングしたウエーノ・位置合１フせマークであ
る。２個のうち、１個（４ｂ）に識別マーク７３り自己
置されている。（５ａ）、 （５ｔ））は第２のレイヤ
ーでパターニングしたウェーハ位置合わせマークである
。
置合わせマークを示すノくターン図で、Ｉ％ｌにおいて
、（４ａ）、 （４ｂ）は前記−例での第１のレイヤー
でバターニングしたウエーノ・位置合１フせマークであ
る。２個のうち、１個（４ｂ）に識別マーク７３り自己
置されている。（５ａ）、 （５ｔ））は第２のレイヤ
ーでパターニングしたウェーハ位置合わせマークである
。
２個のうち、１個（５ｂ）に（４ｂ）とは異なる識別マ
ークが配置されている。但しα１及びα２はチップサイ
ズＸによって定まる各組２個のウェーハ位置合わせマー
クの間隔で、α１＝α２である。
ークが配置されている。但しα１及びα２はチップサイ
ズＸによって定まる各組２個のウェーハ位置合わせマー
クの間隔で、α１＝α２である。
さて、この第３のパターンを用いて前述の第１〜第３の
３つのレイヤーを重ね合わせる場合に適用したこの発明
の一実施例について説明する。１ず、第１のレイヤーで
ウェーハ位置合わせマーク（４ａ）、 （４ｂ）をウェ
ーハ上にパターニングし、第２のレイヤーでこのマーク
（４ａ）、 （４１））を用いてウェーハ位置合わせを
行い、縮小投影結党する。この時、位置合わせに用いて
いる２個のマーク（４ａ）。
３つのレイヤーを重ね合わせる場合に適用したこの発明
の一実施例について説明する。１ず、第１のレイヤーで
ウェーハ位置合わせマーク（４ａ）、 （４ｂ）をウェ
ーハ上にパターニングし、第２のレイヤーでこのマーク
（４ａ）、 （４１））を用いてウェーハ位置合わせを
行い、縮小投影結党する。この時、位置合わせに用いて
いる２個のマーク（４ａ）。
（４ｂ）のうち１個（４ｂ）だけにレイヤー識別マーク
が配置されているので、ウエーノ・位置合わせ中の２個
のマーク（４ａ）、 （４ｂ）のうちどちらがＰ’ｒｉ
ｍａｒｙマークで、どぢらが５ｅｃｏｎａａｒｙマーク
であるかという区別ができる。次に、第２のレイヤーを
露光する際のマスクにウェーハ位置合わせマーク（５ａ
）、 （５ｂ）のパターンを入れておけば、第２のレイ
ヤー露光時に、マーク（５ａ）、 （５ｂ）かウェーハ
上にパターニングされ、第３のレイヤーではこのマーク
（５ａ）、 （５ｂ）を用いてウェーハ位置合わせを行
うことができる。この時、ウェーハ位置合わせマーク（
５ａ）、’（５ｂ）のうち１個（５ｂ）には、ウェーハ
位置合わせマーク（４つとは異なるレイヤー識別マーク
が配置されているので、ウェーハ位置合わせマークを間
違えるということは生じない。
が配置されているので、ウエーノ・位置合わせ中の２個
のマーク（４ａ）、 （４ｂ）のうちどちらがＰ’ｒｉ
ｍａｒｙマークで、どぢらが５ｅｃｏｎａａｒｙマーク
であるかという区別ができる。次に、第２のレイヤーを
露光する際のマスクにウェーハ位置合わせマーク（５ａ
）、 （５ｂ）のパターンを入れておけば、第２のレイ
ヤー露光時に、マーク（５ａ）、 （５ｂ）かウェーハ
上にパターニングされ、第３のレイヤーではこのマーク
（５ａ）、 （５ｂ）を用いてウェーハ位置合わせを行
うことができる。この時、ウェーハ位置合わせマーク（
５ａ）、’（５ｂ）のうち１個（５ｂ）には、ウェーハ
位置合わせマーク（４つとは異なるレイヤー識別マーク
が配置されているので、ウェーハ位置合わせマークを間
違えるということは生じない。
以上、半導体ウェーハのパターンの形成を例にとって説
明したが、半導体装置の製造工程に限るプ ことなく、この発明は広く一般に利用寺寺ることかでき
る。
明したが、半導体装置の製造工程に限るプ ことなく、この発明は広く一般に利用寺寺ることかでき
る。
以上説明したように、この発明によれは、写真製版技術
によって３レイヤ一以上のパターンを順次重ね合わせる
に際して、各レイヤーのパターンに複数種の位置合わせ
マークを有するときに、少なくとも一部の上記位置合わ
せマー、りに各レイヤーごとの識別マークを附加したの
で、写真製版プロセスでの位置合わせ時のミスを防ぎ、
精度の高いパターン位置合わせが可能となる。
によって３レイヤ一以上のパターンを順次重ね合わせる
に際して、各レイヤーのパターンに複数種の位置合わせ
マークを有するときに、少なくとも一部の上記位置合わ
せマー、りに各レイヤーごとの識別マークを附加したの
で、写真製版プロセスでの位置合わせ時のミスを防ぎ、
精度の高いパターン位置合わせが可能となる。
第１図は写真製版技術において縮小投影形霧光装置を用
いて露光するときに従来用いられていたウェーハ位置合
わせマークのみを示すパターン図、第２図は３レイヤー
の重ね合わせ用の従来のウェーハ位置合わせマークの′
みを示すパターン図、第３図はこの発明の一実施例に用
いるウェーハ位置合わせマークを示すパターン図である
。 図において、ｉｌ＋はチップパターン、（４ａ）＋ （
４ｂ）。 （５ａ）、 （５１））はウェーハ位置会わせマークで
、（４１））。 （５ｂ）かレイヤー識別マークを附加したウェーハ位置
合わせマークである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 第２図 第３図 千イ、″１．袖止書（自発） ８７ｆ 昭和 イＩ−月 ｆ：ｉ１ｔ’ｒ庁長官殿 １、事（’ｌの表示 ↑請９（ｉ昭５ｓ−２５ｄｚ
ｓ号２ 発明の名称 写真製版技術におけるパターン
重ね合わせ方法 ：３ 、 ｉ＋ｌ１ｉ１．をする者 代表者 片 １１１ イ 八 部 ７１代ｆ１１）人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の橢 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおりｉｌ’ｉｌ・する。
いて露光するときに従来用いられていたウェーハ位置合
わせマークのみを示すパターン図、第２図は３レイヤー
の重ね合わせ用の従来のウェーハ位置合わせマークの′
みを示すパターン図、第３図はこの発明の一実施例に用
いるウェーハ位置合わせマークを示すパターン図である
。 図において、ｉｌ＋はチップパターン、（４ａ）＋ （
４ｂ）。 （５ａ）、 （５１））はウェーハ位置会わせマークで
、（４１））。 （５ｂ）かレイヤー識別マークを附加したウェーハ位置
合わせマークである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名）第１図 第２図 第３図 千イ、″１．袖止書（自発） ８７ｆ 昭和 イＩ−月 ｆ：ｉ１ｔ’ｒ庁長官殿 １、事（’ｌの表示 ↑請９（ｉ昭５ｓ−２５ｄｚ
ｓ号２ 発明の名称 写真製版技術におけるパターン
重ね合わせ方法 ：３ 、 ｉ＋ｌ１ｉ１．をする者 代表者 片 １１１ イ 八 部 ７１代ｆ１１）人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の橢 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおりｉｌ’ｉｌ・する。
Claims (2)
- （１）半導体装置の製造工程などで、縮小投影形露光装
置を用いた写真製版技術によって、３レイヤ一以上のパ
ターンを順次重ね合わせるに際して、上記各レイヤーの
パターンに複数種の位置合わせマークを有するときに、
少なくとも一部の上記位置合わせマークに上記谷レイヤ
ーごとの識別マークを附加した・パターンを用いること
を特徴とする写真製１１％術におけるパターン重ね合わ
せ方法。 - （２）名レイヤーのパターンに２個の位置合ワせマーク
を設け、そのうちの１個の位置合わせマークにのみ谷レ
イヤーごとの原料マークを附加することを特徴とする特
許請求の範、囲第１項記載の写真製版技術におけるパタ
ーン重ね合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025028A JPS59149367A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025028A JPS59149367A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149367A true JPS59149367A (ja) | 1984-08-27 |
Family
ID=12154452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025028A Pending JPS59149367A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 写真製版技術におけるパタ−ン重ね合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149367A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150268A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6345818A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | 半導体製造装置の位置合わせ方法 |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58025028A patent/JPS59149367A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150268A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS6345818A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | 半導体製造装置の位置合わせ方法 |
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