KR940008070A - 고밀도 실장형 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
(목적)
본 발명은 실장효율이 높은 반도체장치를 제공하는 것을 특징으로 하는 것을 목적으로 한다.
(구성)
표면전극에 뱀프를 형성한 반도체 소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 수직으로 배열한 리드와 뱀프를 접합함으로서 복수개의 소자가 일체화되어 이루어지는 구조를 특징으로 하는 반도체장치.
(효과)
반도체 소자의 고밀도 실장이 가능하게 되고, 전자기기의 소형경량화, 고기능화에 도움이 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체소자(1)를 2매 적층하여 구성한 본 발명에 의한 반도체장치의 사시도.
제2도는 반도체소자(1)를 4매 적층하여 구성한 본 발명에 의한 반도체장치의 사시도.
제3도는 반도체소자(1)를 12매 적층하여 구성한 본 발명에 의한 반도체장치의 사시도.
제4도는 반도체소자(1)와 표면전극(2)를 접속하기 위한 리드의 조합을 나타낸 단면도.
Claims (8)
- 소자의 단면에 형성된 표면전극에 뱀프를 형성한 반체 소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 배열한 복수의 리드와 대응하는 그 뱀프를 접합하여 복수개의 소자를 전기적으로 일체화한 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 소자의 단며누변에 형성한 복수의 표면전극과 그것에 전기적으로 접속된 복수의 뱀프를 가지는 반도체소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 배열한 복수의 리드와 그 뱀프를 접합함으로서 복수개의 소자를 전기적으로 일체화한 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 소자의 단면근방에 형성한 다수의 표면전극과 그 표면전극에 대응하는 복수의 뱀프를 형성한 반도체 소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 배열한 복수의 리드와 그 뱀프를 전기적 기계적으로 접합함으로서 복수개의 소자를 일체화한 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 소자의 단면주변에 형성한 복수의 표면전극과 그것에 전기적으로 접속된 복수의 뱀프를 가지는 반도체 소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 배열한 복수의 리드와 그 뱀프를 접합함으로서 복수개의 반도체 소자를 전기적으로 일체화하고, 그 일체화된 반도체 소자를 밀봉재로 외계로부터 차단한 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 소자의 단면근방에 형성한 복수의 표면전극과 그 표면전극에 대응하는 복수의 뱀프를 형성한 반도체 소자를 복수개 적층하고, 그 소자의 주변에 배열한 복수의 리드와 그 뱀프를 전기적 기계적으로 접합함으로서 복수개의 소자를 일체화하고 그 일체화된 반도체 소자군을 밀봉수지로 몰드한 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 표면전극에 뱀프를 형성한 반도체 소자를 복수개 적층하고, 해당소자의 주변에 수직으로 배열한 리드와 뱀프를 접합함으로서 복수개의 소자를 일체화하는 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 제1항 내지 6항중 1개 항에 있어서, 그 리드는 J형 구조의 리드인 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.
- 제1항 내지 6항중 1개 항에 있어서, 그 리드는 갈윙구조의 리드인 것을 특징으로 하는 고밀도 실장형 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5661082A (en) * | 1995-01-20 | 1997-08-26 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a bond pad |
KR0148082B1 (ko) * | 1995-08-16 | 1998-08-01 | 김광호 | 지지 바를 사용한 적층형 반도체 패키지 및 적층형 패키지 소켓 |
JPH09260568A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US5778522A (en) * | 1996-05-20 | 1998-07-14 | Staktek Corporation | Method of manufacturing a high density integrated circuit module with complex electrical interconnect rails having electrical interconnect strain relief |
DE19626126C2 (de) * | 1996-06-28 | 1998-04-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Ausbildung einer räumlichen Chipanordnung und räumliche Chipanordung |
US5818107A (en) * | 1997-01-17 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | Chip stacking by edge metallization |
JPH1197619A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法と実装方法 |
US6163459A (en) * | 1997-07-25 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor mounting system and semiconductor chip |
US6207474B1 (en) | 1998-03-09 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a stack of packaged memory die and resulting apparatus |
US6153929A (en) | 1998-08-21 | 2000-11-28 | Micron Technology, Inc. | Low profile multi-IC package connector |
US6815251B1 (en) | 1999-02-01 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | High density modularity for IC's |
JP3874062B2 (ja) * | 2000-09-05 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
US6734538B1 (en) | 2001-04-12 | 2004-05-11 | Bae Systems Information & Electronic Systems Integration, Inc. | Article comprising a multi-layer electronic package and method therefor |
US6828884B2 (en) * | 2001-05-09 | 2004-12-07 | Science Applications International Corporation | Phase change control devices and circuits for guiding electromagnetic waves employing phase change control devices |
JP2003204039A (ja) * | 2002-01-04 | 2003-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US20040108583A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-10 | Roeters Glen E. | Thin scale outline package stack |
TWI234246B (en) * | 2004-08-03 | 2005-06-11 | Ind Tech Res Inst | 3-D stackable semiconductor package |
KR100690247B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이중 봉합된 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
SG135066A1 (en) | 2006-02-20 | 2007-09-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor device assemblies including face-to-face semiconductor dice, systems including such assemblies, and methods for fabricating such assemblies |
KR100809702B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
RU2635852C2 (ru) * | 2013-01-31 | 2017-11-16 | Пэк Тек - Пэкиджинг Текнолоджиз Гмбх | Микросхемная сборка и способ изготовления микросхемной сборки |
FR3033082B1 (fr) * | 2015-02-20 | 2018-03-09 | 3D Plus | Procede de fabrication d'un module electronique 3d a broches externes d'interconnexion |
US10741466B2 (en) * | 2017-11-17 | 2020-08-11 | Infineon Technologies Ag | Formation of conductive connection tracks in package mold body using electroless plating |
US11133281B2 (en) | 2019-04-04 | 2021-09-28 | Infineon Technologies Ag | Chip to chip interconnect in encapsulant of molded semiconductor package |
CN112018052A (zh) | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 具有可激光活化模制化合物的半导体封装 |
US11587800B2 (en) | 2020-05-22 | 2023-02-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package with lead tip inspection feature |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5275981A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-25 | Hitachi Ltd | Multichip device |
JPS5588356A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS58159361A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 多層混成集積回路装置 |
US5138438A (en) * | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
US5198888A (en) * | 1987-12-28 | 1993-03-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor stacked device |
US4956694A (en) * | 1988-11-04 | 1990-09-11 | Dense-Pac Microsystems, Inc. | Integrated circuit chip stacking |
DE3911711A1 (de) * | 1989-04-10 | 1990-10-11 | Ibm | Modul-aufbau mit integriertem halbleiterchip und chiptraeger |
JP2780355B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2682200B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH04291753A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH05315540A (ja) * | 1992-05-14 | 1993-11-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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