KR940004723A - 미세 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

미세 레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

고정도로 미세패턴을 형성할 수 있도록 개량된 미세 레지스트 패턴의 형성방법을 얻는 것이다.
기판상에, 나프토퀴논 디아지드와 노보락 수지를 포함하는 포지티브형 포토레지스트(1)을 도포한다.
포지티브형 포토레지스트(1)상에 알칼리성으로 조정된 레지스트 상층 반사방지막(9)을 도포한다.
레지스트 상층 반사방지막(9)가 도포된 포지티브형 포토레지스트(1)에 향하여 광을 선택적으로 조사한다.
포지티브형 포토레지스트(1)을 현상한다.

Description

미세 레지스트 패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 7 도는 본 발명의 1실시예에 관한 미세 레지스트 패턴의 형성방법의 순서의 각 공정에 있어 반도체 장치의 단면도이고, 종래의 ARCOR법의 개량방법을 표시하는 도면이고,
제10(a)도는 종래의 ARCOR법에 의해 얻게 된 레지스트의 단면형성을 표시하는 도면이고,
제10(b)도는 본 발명의 적용된 ARCOR법에 의해 얻게된 레지스트의 단면형상을 표시하는 도면이고,
제11(a)도는 본 발명의 타의 실시예에 관한 미세 레지스트 패턴의 형성방법의 순서의 각 공정에 있어 반도체 장치의 부분 단면도이고,
제11(b)도는 종래의 CEL 기술의 각 공정에 있어 반도체 장치의 부분 단면도를 비교하여 표시한 도면이다.

Claims (13)

  1. 기판상에 나프토퀴논 디아지드와 노보락 수지를 포함하는 포지티브형 포토레지스트를 도포하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트 상에 상기 포지티브형 포토레지스트의 표면을 난용화하기 위해 알카리성으로 조정된 막을 도포하는 공정과, 상기 막이 도포된 상기 포지티브형 포토레지스트에 향하여 광을 선택적으로 조사하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트를 현상하는 공정을 구비한 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  2. 기판 상에 나프토퀴논 디아지드와 노보락 수지를 포함하는 포지티브형 포토레지스트를 도포하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트 상에 알카리성으로 조정된 콘트레스트 엔한스먼트층을 도포하는 공정과, 상기 콘트레스트 엔한스먼트층이 도포된 상기 포지티브형 포토레지스트에 향하여 광을 선택적으로 조사하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트층을 현상하는 공정을 구비한 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 콘트레스트 엔한스먼트층은 유기 알카리에 의해 알카리성으로 되는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 유기 알카리는 테트라 메칠 암모늄 히드록시드를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 콘트레스트 엔한스먼트층은 PH10 이상으로 되는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 조사전에 80~100℃의 온도로 도포된 상기 콘트레스트 엔한스먼트층을 가지는 상기 포지티브형 포토레지스트를 베이킹 하는 스텝을 더욱 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  7. 기판 상에 나프토퀴논 디아지드와 노보락 수지를 포함하는 포지티브형 포토레지스트를 도포하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트에 알카리성으로 조정된 반사방지막을 도포하는 공정과, 도포된 상기 반사 방지막을 가지는 상기 포지티브형 포토레지스트를 선택적으로 조사하는 공정과, 상기 포지티브형 포토레지스트를 현상하는 공정을 구비한 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 방사방지막은 수용성 폴리머 및 굴절율 제어기를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 수용성 폴리머는 폴리비닐 알콜계 폴리머를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 수용성 폴리머는 폴리아크릴산계 폴리머를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 수용성 폴리머는 폴리비닐아민계 폴리머를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 굴절율 제어기는 플루오르를 함유하는 폴리머를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 굴절율 제어기는 플루오르를 함유하는 계면활성제를 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93016121A 1992-08-20 1993-08-19 Method for forming a fine resist pattern using an alkaline film covered photoresist KR970008329B1 (en)

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