KR940001412A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR940001412A
KR940001412A KR1019930011908A KR930011908A KR940001412A KR 940001412 A KR940001412 A KR 940001412A KR 1019930011908 A KR1019930011908 A KR 1019930011908A KR 930011908 A KR930011908 A KR 930011908A KR 940001412 A KR940001412 A KR 940001412A
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가즈요시 무라오카
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사또오 후미오
가부시키가이샤 도시바
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  • Dram (AREA)
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Abstract

본 발명은 레퍼런서 전위를 기록할 수 있는 레퍼런스셀을 구비하는 반도체 기억장치에 있어서, 변동이 적은 레퍼런스셀 기록 전위를 확보하여, 동작의 신뢰성을 높이는 동시에 동작 전류를 저감하고 사이클 타임의 고속화를 가능하게 한다.
메모리셀이 제1스위칭 수단을 통하여 접속된 제1비트선과, 레퍼런서셀이 제2스위칭 수단을 통하여 접속된 제2비트선과, 상기 레퍼런서셀에 레퍼런서 전위를 기록할 수 있는 레퍼런서 전위 기록 수단과 상기 제1,제2 비트선을 등화하는 등화수단과, 상기 제1,제2 비트선의 전위차로 부터 상기 메모리셀중의 데이타를 검출하는 센스 증폭기와, 상기 메모리셀중 및 레퍼런서셀중의 데이타를 상기 제1,제2 비트선에 각각 독출하고, 상기 센스 증폭기의 동작개시와 거의 동시에 상기 제2스위칭 수단을 오프하는 제어수단을 구비하여 구성되어 있다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예를 설명하는 타이밍챠트.
제5도는 제1도에 도시한 구동을 실현하기 위한 레퍼런스셀 선택선 도출을 위한 회로도.
제6도는 제1도에 도시한 구동을 실현하기 위한 레퍼런스셀 선택선 도출을 위한 다른예를 도시하는 회로도.

Claims (3)

  1. 메모리셀(25)이 제1스위칭 수단(24)을 통해 접속된 제1비트선(B0)과; 레퍼런스셀(30)이 제2스위칭 수단(28)을 통해 접속된 제2비트선(B1)과; 상기 레퍼런스셀에 레퍼런스 전위를 기록할 수 있는 레퍼런스 전위 기록 수단(29)과; 상기 제1, 제2비트선을 등화하는 등화 수단(31)과; 상기 제1, 제2비트선의 전위차에서 상기 메모리셀중의 데이타를 검출하는 센스 증폭기(32)와; 상기 메모리셀중 및 레퍼런스셀중의 데이타를 상기 제1 및 제2비트선에 각기 독출하고, 상기 센스 증폭기의 동작 개시와 대략 동시에 상기 제2스위치 수단을 오프하는 제어수단(51~61)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 메모리셀(25)이 제1스위칭 수단(24)을 통해 접속된 제1비트선(B0)과; 레퍼런스셀(30)이 제2스위칭 수단(28)을 통해 접속된 제2비트선(B1)과; 상기 레퍼런스셀에 레퍼런스 전위를 기록할 수 있는 레퍼런스 전위 기록 수단(29)과; 상기 제1, 제2비트선을 등화하는 등화 수단(31)과; 상기 제1, 제2비트선의 전위차에서 상기 메모리셀중의 데이타를 검출하는 센스 증폭기(32)와; 상기 제1, 제2스위치 수단의 온/오프와, 상기 레퍼런스 전위 기록 수단의 동작과, 상기 등화 수단의 동작과, 상기 센스 증폭기의 동작을 제어하는 제어 수단으로서, 상기 메모리셀중 및 상기 레퍼런스셀중의 데이타를 상기 제1및 제2비트선에 각각 독출하고, 상기 레퍼런스셀을 상기 제2비트선에서 잘라내는 것과 거의 동시에 상기 센스 증폭기를 동작시키며, 상기 메모리셀을 상기 제1비트선에서 잘라내고, 상기 등화 수단을 동작시키며, 상기 레퍼런스 전위 기록 수단을 동작시키도록 제어하는 제어 수단(51~56 : 56~58)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 메모리셀(25)이 제1스위칭 수단(24)을 통해 접속된 제1비트선(B0)과; 레퍼런스셀(30)이 제2스위칭 수단(28)을 통해 접속된 제2비트선(B1)과; 상기 레퍼런스셀에 레퍼런스 전위를 기록할 수 있는 레퍼런스 전위 기록 수단(29)과; 상기 제1, 제2비트선을 등화하는 등화 수단(31)과; 상기 제1, 제2비트선의 전위차에서 상기 메모리셀중의 데이타를 검출하는 센스 증폭기(32)와; 상기 제1, 제2스위칭 수단의 온/오프와, 상기 레퍼런스 전위 기록 수단의 동작과, 상기 등화 수단의 동작과, 상기 센스 증폭기의 동작을 제어하는 제어 수단으로서, 상기 메모리셀중 및 상기 레퍼런스셀중의 데이타를 상기 제1및 제2비트선에 각각 독출하고, 상기 레퍼런스셀을 상기 제2비트선에서 잘라내는 것과 거의 동시에 상기 센스 증폭기를 동작시키며, 상기 레퍼런스 전위 기록 수단을 동작시키고, 상기 메모리셀을 상기 제1비트선에서 잘라내며, 상기 등화 수단을 동작시키도록 제어하는 제어수단(56,58~61)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930011908A 1992-06-29 1993-06-29 반도체 기억장치 KR970006603B1 (ko)

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JP92-171227 1992-06-29
JP4171227A JPH0612860A (ja) 1992-06-29 1992-06-29 半導体記憶装置
JP92-173,395 1992-06-30

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KR940001412A true KR940001412A (ko) 1994-01-11
KR970006603B1 KR970006603B1 (ko) 1997-04-29

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JPH0612860A (ja) 1994-01-21
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US5392240A (en) 1995-02-21

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