KR940001377A - 반도체장치의제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 커패시터의 전극으로 사용되는 금속층의 소정깊이에 산소이온을 주입하여 커패시터의 유전체막인 금속산화물층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서 커패시터의 제1전극 (하부전극)으로 금속박막을 형성한후, 유전체막을 별도의 막 (layer) 형성없이 바로 상기 금속박막에 산소이온을 주입하여 금속산화물층을 형성함으로써, 상기 금속산화물층을 유전체막으로 사용하였다. 그러므로, 금속산화물층이 산소가 결핍되지 않는 상태로 제작이 가능하여 전기적 특성이 개선될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제IA도 내지 제ID도는 본 발명에 따른 커패시터의 형성방법의 일실시예를 나타낸 공정순서도. 제IE도는 상기 제IB도에 대응되는 산소이온농도의 분포를 나타내는 그래프 제2A 내지 제2C도는 본 발명에 따른 커패시터의 형성 방법의 다른 실시예를 나타낸 공정순서도, 제2D도는 상기 제2C도에 대응되는 산소이온농도의 분포를 나타내는 그래프.
Claims (12)
- 커패시터의 전극으로 사용되는 금속층의 소정깊이에 산소이온을 주입하여 커패시터의 유전체막인 금속산화물총을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속층은 텅스텐, 혹은 알루미늄, 혹은 티타늄, 혹은 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 금속층의 소정깊이는 상기 금속층의 표면근방인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 텅스텐의 두께는 1000Å정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 이온주입은 수십keV∼수십leV의 에너지로 I×E17∼I×E20 이온/㎤산소를 주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 금속산화물층의 형성공정후, 결과물 전면에 커패시터의 상부전극으로사용되는 도전층을 형성하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항또는 제6항에 있어서, 상기 금속층위에 이온주입 완충막을 형성하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서. 상기 이온주입완충막은 산화실리콘 또는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서. 상기 산화실리콘의 두께는 수백Å 정도이고, 상기 포토레지스트의 두께는 수㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 금속층의 소정깊이는 상기 금속층의 중간부분인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 텅스텐의 두께는 1500Å정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 이온주입은 수십keV∼수백keV의 에너지로 I×E17∼I×E20 이온/㎤산소를 주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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