KR950015566A - 대칭적 이온 주입 방법 - Google Patents

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KR950015566A
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에서 대칭적 이온 주입 방법에 관한 것이다. 이온 주입이 실시되어야 할 반도체 구조물을 이온 주입 장비의 디스크상에 탑재한 후 방향잡기 각도를 제1각도로 조정하고 틸트 각도를 제2각도로 조정한다. 그런 다음, 디스크를 이온 주입 장비로 로딩하고, 주입되어야 할 도판트 이온량의 본질적으로 1/2이 되는 도판트 이온량을 상기 반도체 구조물의 소정 영역 또는 층에 주입한다. 이어서, 반도체 구조물의 표면에 수직인 축에 대하여 상기 제2 각도와 대칭이되는 제3 각도로, 상기 틸트 각도를 조정한 후 나머지 1/2이 되는 도판트 이온량을 상기 반도체 구조물의 소정 영역 또는 층에 주입하도록 한다. 효율적으로 이온 주입 공정을 수행할 수 있기 때문에 생산 효율을 증대시킴과 동시에 소자의 신뢰도를 개선시키는 효과가 있다.

Description

대칭적 이온 주입 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 의한 대칭적 이온 주입 방법을 설명하기 위한 도면들이다.

Claims (1)

  1. 이온 주입이 실시되어야 할 반도체 구조물을 이온 주입 장비의 디크스상에 탑재한 후 방향잡기 각도를 제1각도로 조정하고 틸트 각도를 제2각도로 조정하는 단계; 상기 반도체 구조물을 탑재하고 있는 디스크를 이온 주입 장비에 로딩하는 단계; 주입되어야 할 도판트 이온량의 본질적으로 1/2이 되는 도판트 이온량을 상기 반도체 구조물의 소정 영역 또는 층에 주입하는 단계; 반도체 구조물의 표면에 수직인 축에 대하여 상기 제2 각도와 대칭이되는 제3 각도로, 상기 틸트 각도를 조정하는 단계; 및 주입되어야 할 도판트 이온량의 본질적으로 나머지 1/2이 되는 도판트 이온량을 상기 반도체 구조물의 소정 영역 또는 층에 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 대칭적 이온 주입 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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