KR950009915A - 반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법 Download PDF

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KR950009915A KR1019930019243A KR930019243A KR950009915A KR 950009915 A KR950009915 A KR 950009915A KR 1019930019243 A KR1019930019243 A KR 1019930019243A KR 930019243 A KR930019243 A KR 930019243A KR 950009915 A KR950009915 A KR 950009915A
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법에 관한 것으로, 티타늄 박막에 As, BF2또는 Si 등을 이온주입한 후 금속열처리공정으로 티타늄-실리사이드를 형성하므로써 후속 열처리공정시 입계에서 그로부(Groove) 발생에 의해 일어나는 응집현상을 야기시키는 표면 및 계면의 확산을 방지하도록 열적 안정화를 증가시킬 수 있는 반도체 소자의 티타늄-실리사이드를 형성하는 방법에 관하여 기술된다.

Description

반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 티타늄-실리사이드를 형성하는 단계를 설명하기 위해 도시한 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법에 있어서, 기판상에 티타늄(7)을 얇게 증착한 다음, 상기 티타늄(7)내에 이온 주입공정으로 As, BF2또는 Si 이온을 주입한 후, 급속열처리공정으로 티타늄-실리사이드(8)를 형성하여 후속 열처리공정시 열적안정화를 이루도록하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 티타늄-실리사이드 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93019243A 1993-09-22 1993-09-22 Semiconductor titanium-silicide forming method KR960016235B1 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100246332B1 (ko) * 1997-03-13 2000-03-15 김영환 반도체소자의 살리사이드 제조방법

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KR100246332B1 (ko) * 1997-03-13 2000-03-15 김영환 반도체소자의 살리사이드 제조방법

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