KR950030238A - 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 배선으로 사용되는 폴리사이드를 형성시키기 위한 방법에 관한 것으로, 폴리 실리콘에 불순물 이온을 주입한 후 자연 산화막의 생성을 방지하기 위하여 폴리 실리콘(Poly Silicon) 및 텅스텐 실리사이드(W-Si)를 시간 지연(Time Delay)없이 순차적으로 증착한 후 불순물 이온을 주입(Implant) 시키므로써 자연산화막의 성장이 방지되어 배선의 전도도가 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 종래 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법에 있어서, 소정의 기판(1)상에 폴리실리콘(2)과 텅스텐 실리사이드(3)를 시간 지연없이 연속공정으로 증착하여 폴리사이드층을 형성한 다음, 전반적으로 불순물 이온주입공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 배선용 폴리사이드층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008492A KR950030238A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008492A KR950030238A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030238A true KR950030238A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940008492A KR950030238A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 반도체 소자의 배선용 폴리사이드층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950030238A (ko) |
-
1994
- 1994-04-22 KR KR1019940008492A patent/KR950030238A/ko not_active Application Discontinuation
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