KR970008427A - 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Classifications
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- H01L21/823462—
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것으로, 공정을 단순화시키며 산화막의 질을 향상시키기 위하여 실리콘기판에 선택적으로 이온을 주입한 후 산화공정을 실시하여 서로 다른 두께의 산화막을 형성할 수 있도록 한 반도체소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 제2B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 있어서, 서로 다른 두께의 산화막을 형성하기 위하여 산화막이 두껍게 형성되어야 할 부분의 실리콘기판에 선택적으로 이온을 주입한 후 산화공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 산소 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온은 질소 또는 염소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 주입되는 이온의 량 및 에너지에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR19990030770A (ko) * | 1997-10-06 | 1999-05-06 | 윤종용 | 비대칭 게이트 산화막 구조를 가지는 복합 반도체장치 및 그 제조 방법 |
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