KR930011163A - 반도체 소자 분리 방법 - Google Patents

반도체 소자 분리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930011163A
KR930011163A KR1019910021092A KR910021092A KR930011163A KR 930011163 A KR930011163 A KR 930011163A KR 1019910021092 A KR1019910021092 A KR 1019910021092A KR 910021092 A KR910021092 A KR 910021092A KR 930011163 A KR930011163 A KR 930011163A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
impurity
forming
device isolation
layer
Prior art date
Application number
KR1019910021092A
Other languages
English (en)
Inventor
김병렬
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910021092A priority Critical patent/KR930011163A/ko
Publication of KR930011163A publication Critical patent/KR930011163A/ko

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)

Abstract

반도체 기판상에 절연체막을 형성하고, 소자분리 영역에 대응하여 기판이 드러나는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 통해 기판과 동일 도전형의 고농도 불순물 이온을 주입하여 소자 분리 두께와 대응하는 길이의 불순물층을 형성하는 단계, 소정 농도의 HF 수용액에 웨이퍼를 넣어두고 양극산화하여 상기 불순물 층이 다공질의 실리콘 층으로 형성하는 단계, 다공질의 실리콘층에 대해 산화시키므로써 필드산화막을 형성하여 소자분리를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.

Description

반도체 소자 분리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)∼(c)는 본 발명에 따른 반도체 소자 분리 공정을 나타낸 공정도이다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판상에 절연체막을 형성하고, 소자분리 영역에 대응하여 기판이 드러나는 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부를 통해 기판과 동일도전형의 고농도 불순물 이온을 주입하여 소자 분리 두께와 대응하는 깊이의 불순물 층을 형성하는 단계, 소정 농도의 HF 수용액에 웨이퍼를 넣어두고 양극산화하여 상기 불순물 층을 다공질의 실리콘 층으로 형성하는 단계, 다공질의 실리콘층에 대해 산화시키므로써 필드산화막을 형성하여 소자분리를 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개구부는 좁은 영역과 넓은 영역의 소자 분리 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 개구부를 통한 불순물 이온 주입은 기판 깊이 방향으로 균일한 농도 분포를 얻도록 다단계로 나누어 이온 주입에너지를 변화시켜 반복 실시됨을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 불순물 이온 주입된 불순물 층의 깊이는 0.1∼1.0㎛로 형성됨을 특징으로 하는 반도체소자 분리 방법.
  5. 제3항에 있어서, 기판과 동일 도전형의 불순물 이온 주입시 보론의 경우에는 적어도 3 ×1017cm-3이상의 농도로 행하여 짐을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  6. 제3항에 있어서, 기판과 동일 도전형의 불순물 이온 주입시 인(P)인 경우 적어도 8 ×1018cm-3이상의 농도로 행하여 짐을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  7. 제1항에 있어서, 불순물 층의 비저항은 0.1Ω·cm 이하로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
  8. 제1항에 있어서, 양극산화시 HF 수용액은 25% HF 수용액이며, 전류 필도는 20mA/㎠로 행하여져 적어도 50% 이상의 기공도를 갖는 다공질 실리콘층이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자 분리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021092A 1991-11-25 1991-11-25 반도체 소자 분리 방법 KR930011163A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910021092A KR930011163A (ko) 1991-11-25 1991-11-25 반도체 소자 분리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910021092A KR930011163A (ko) 1991-11-25 1991-11-25 반도체 소자 분리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930011163A true KR930011163A (ko) 1993-06-23

Family

ID=67356407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910021092A KR930011163A (ko) 1991-11-25 1991-11-25 반도체 소자 분리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930011163A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100226483B1 (ko) * 1996-12-05 1999-10-15 김영환 반도체장치의 소자분리방법
KR100364125B1 (ko) * 1995-12-22 2003-02-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막제조방법
KR100481549B1 (ko) * 2002-09-09 2005-04-08 동부아남반도체 주식회사 다공성 실리콘의 증발을 이용한 반도체 ｓｔｉ 형성 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100364125B1 (ko) * 1995-12-22 2003-02-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의소자분리막제조방법
KR100226483B1 (ko) * 1996-12-05 1999-10-15 김영환 반도체장치의 소자분리방법
KR100481549B1 (ko) * 2002-09-09 2005-04-08 동부아남반도체 주식회사 다공성 실리콘의 증발을 이용한 반도체 ｓｔｉ 형성 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5227315A (en) Process of introduction and diffusion of platinum ions in a slice of silicon
SE425529B (sv) Sett att framstella regioner av konduktivitetstyp n i ett kiselhalvledarsubstrat
US3390019A (en) Method of making a semiconductor by ionic bombardment
JPS55138267A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit containing resistance element
KR980011717A (ko) 마스크(Mask)의 구조 및 제조방법
KR900003967A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR930011163A (ko) 반도체 소자 분리 방법
KR930006828A (ko) 전하 전송 장치의 제조방법
Sansbury et al. CONDUCTIVITY AND HALL MOBILITY OF ION‐IMPLANTED SILICON IN SEMI‐INSULATING GALLIUM ARSENIDE
JPS5583256A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS61500520A (ja) 高抵抗及び低抵抗領域を有するＩｎＰを含む半導体デバイスの製作
KR920015453A (ko) 스위칭 반도체장치의 제조방법
KR890005885A (ko) 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
KR940001377A (ko) 반도체장치의제조방법
KR960015794A (ko) 반도체소자 제조방법
JPS6129538B2 (ko)
KR100380253B1 (ko) 산화알루미늄을이용한저항소자형성방법
JPS5780768A (en) Semiconductor device
KR960704351A (ko) 비소 에미터를 지니는 반도체 디바이스를 제조하는 방법(process for fabricating semiconductor devices having arsenic emitters)
KR980006033A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR960026217A (ko) 반도체 소자 제조방법
JPS57186323A (en) Semiconductor device
KR890004399A (ko) 집적 반도체회로를 내포하고 있는 기판에 저고유 접촉저항을 갖는 접점을 제조하는 방법
KR950009914A (ko) 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법
KR960012563A (ko) 반도체소자의 트랜지스터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application