KR930022495A - 레지스트패턴형성방법 및 레지스트패턴 - Google Patents

레지스트패턴형성방법 및 레지스트패턴

Info

Publication number
KR930022495A
KR930022495A KR1019930001189A KR930001189A KR930022495A KR 930022495 A KR930022495 A KR 930022495A KR 1019930001189 A KR1019930001189 A KR 1019930001189A KR 930001189 A KR930001189 A KR 930001189A KR 930022495 A KR930022495 A KR 930022495A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist pattern
resist
pattern
rinse liquid
rinse
Prior art date
Application number
KR1019930001189A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100272797B1 (ko
Inventor
도시히꼬 다나까
미쓰아끼 모리가미
이와오 히가시가와
다께오 와다나베
Original Assignee
다무라 고로
가부시끼가이샤 솔테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP12932692A external-priority patent/JPH06105683B2/ja
Priority claimed from JP14687392A external-priority patent/JPH06163391A/ja
Priority claimed from JP14687492A external-priority patent/JPH06105684B2/ja
Priority claimed from JP20187992A external-priority patent/JP3206123B2/ja
Application filed by 다무라 고로, 가부시끼가이샤 솔테크 filed Critical 다무라 고로
Publication of KR930022495A publication Critical patent/KR930022495A/ko
Priority to FR9401008A priority Critical patent/FR2701184B1/fr
Priority to GB9401814A priority patent/GB2274963B/en
Priority to DE4402865A priority patent/DE4402865A1/de
Priority to US08/189,513 priority patent/US5463289A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100272797B1 publication Critical patent/KR100272797B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

이 발명은 ULSI, 반도체소자, 표면탄성파소자, 양자(量子)효과소자, 초전도소자,마이크로머신파트(마이크로기어 등), 전자회로부품, 광전자소자 등의 제도에 있어서의 레지스트패턴 및 그 형성방법에 관한 것으로서, 레지스트표면과 린스액과의 접촉각을 소정의 범위로 조정하거나, 건조시에는 휘발하여 기판상에 남지 않는 계면활성제를 린스액에 혼입시켜 두고, 이 린스액의 표면장력을 저감하거나, 또한 린스액의 건조를 이 린스액의 임계상태에서 실시하여, 표면장력을 작용시키지 않도록 하는 등 하여, 그들에 의해 레지스트패턴간의 인력의 발생을 약하게 하거나, 발생되지 않도록 할 수 있고, 미세한 페지스트패턴이나 고아스펙트의 레지스트패턴을 형설할 때에 빈발하고 있던 패턴전도를 유효하게 방지 할 수 있도록 된다. 한편 전술한 레지스트패턴구조에 의하면 밀집한 레지스트패턴형성영역의 최외측의 주패턴의 전도를 유효하게 방지 할 수 있도록 되며, 제품의 수율이 향상된다.

Description

레지스트패턴형성방법 및 레지스트패턴
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명법으로 가장 이상적으로 되는 접촉각으로 조정된 레지스트와 린스액의 상태를 도시한 설명도.
제2도는 본 발명에 관한 레지스트패턴의 기본구조를 도시한 단면도.
제3도는 린스공정에 있어서의 레지스트와 린스액의 통상의 상태를 도시한 설명도.
제4도는 주패턴 최외측이 패턴전도를 일으키는 원인을 설명하는 설명도.

Claims (12)

  1. 레지스트패턴현상시의 린스공정에서, 현상액의 처리를 받은 레지스트의 표면과 린스액과의 접촉각이 60∼120°의 범위가 되도록 하여 린스처리를 행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉각이 75∼105°의 범위가 되도록 하여 린스처리를 행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접촉각이 90°가 되도록 하여 린스처리를 행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  4. 린스액에 대한 임의의 레지스트의 소수성(疏水性)·친수성(親水性)을 좌우하는 성분의 이 레지스트에 있어서의 성분 조정을 행함으로써, 레지스트패턴 현상시의 린스공정에서 현상액의 처리를 받은 레지스트의 표면과 린스액과의 접촉각을 원하는 것으로 조정하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법.
  5. 레지스트패턴형상시 린스공정에서 2종이상의 린스액을 사용하고, 그 전반(前半)공정에서 사용하는 린스액에 현상액의 처리를 받은 레지스트표면을 넣어 두어서 이 레지스트표면의 개질(改質)을 촉진하고, 후반 공정에서 사용하는 린스액과 이 레지스트표면과의 접촉각을 원하는 것으로 조정하도록 한 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  6. 레지스트패턴형상시 린스공정에서, 건조시에 휘발시키고, 레지스트패턴이 형성될 기판상에는 남지 않는 계면활성제가 함유된 린스액을 사용하여, 린스처리를 행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 계면 활성제가 이소프로필알콜인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  8. 레지스트패턴형상시 린스공정에서,린스액 또는 이 린스액의 치환액을 임계상태로 하여 건조시키는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴형성방법.
  9. 주패턴형성영역의 주위에 더미패턴을 배설한 것을 특징으로 하는 레지스트패턴.
  10. 제9항에 있어서, 주패턴이 규칙적으로 배열되어 있는 경우에, 최소한 이들 주패턴의 길이방향에 따라서 그 양 사이드에 상기 더 미패턴이 배설된 것을 특징으로 하는 레지스트패턴.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 주패턴이 규칙적으로 배열되어 있는 경우에, 이들 주패턴간의 규칙적인 간격과 같은 간격을 최외측의 주패턴과의 사이에 두어서 상기 더미패턴이 배설된 것을 특징으로 하는 레지스트패턴.
  12. 제9항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 더미패턴의 아스펙트비를 상기 주패턴보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930001189A 1992-04-23 1993-01-30 레지스트 패턴 형성방법 및 레지스트 패턴 KR100272797B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9401008A FR2701184B1 (fr) 1993-01-30 1994-01-31 Circuit de blocage de première grille.
GB9401814A GB2274963B (en) 1993-01-30 1994-01-31 First grid muting circuit
DE4402865A DE4402865A1 (de) 1993-01-30 1994-01-31 Gittersperrschaltung
US08/189,513 US5463289A (en) 1993-01-30 1994-01-31 First grid muting circuit

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12932692A JPH06105683B2 (ja) 1992-04-23 1992-04-23 レジストパターン形成方法
JP92-129,326 1992-04-23
JP14687392A JPH06163391A (ja) 1992-05-13 1992-05-13 レジストパターン形成方法
JP92-146,873 1992-05-13
JP92-146,874 1992-05-13
JP14687492A JPH06105684B2 (ja) 1992-05-13 1992-05-13 レジストパターン形成方法
JP92-201.879 1992-07-07
JP20187992A JP3206123B2 (ja) 1992-07-07 1992-07-07 レジストパターン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930022495A true KR930022495A (ko) 1993-11-24
KR100272797B1 KR100272797B1 (ko) 2000-12-01

Family

ID=27471445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930001189A KR100272797B1 (ko) 1992-04-23 1993-01-30 레지스트 패턴 형성방법 및 레지스트 패턴

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5326672A (ko)
KR (1) KR100272797B1 (ko)
DE (1) DE4306033A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830762B1 (ko) * 2005-09-14 2008-05-20 가부시키가이샤 소쿠도 노출처리를 받은 기판의 처리장치 및 처리방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0671662B1 (en) * 1994-02-24 1999-01-20 Nec Corporation Method for developing a resist pattern
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
US6358673B1 (en) * 1998-09-09 2002-03-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Pattern formation method and apparatus
US6656666B2 (en) * 2000-12-22 2003-12-02 International Business Machines Corporation Topcoat process to prevent image collapse
US6635409B1 (en) 2001-07-12 2003-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of strengthening photoresist to prevent pattern collapse
JP2004233953A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2004233954A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法およびレジストパターン
JP4045180B2 (ja) * 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
KR101036114B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR100858594B1 (ko) * 2004-04-23 2008-09-17 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 레지스트 패턴 형성방법 및 복합 린스액
JP4493393B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-30 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用リンス液
CN102591160B (zh) * 2004-04-23 2014-02-26 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
JP4237184B2 (ja) * 2005-03-31 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4514224B2 (ja) * 2005-09-28 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置
TW200732863A (en) * 2006-01-11 2007-09-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Detergent for lithography and method of forming resist pattern with the same
JP5000260B2 (ja) * 2006-10-19 2012-08-15 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液
US20080280230A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography process including a chemical rinse
JP5306755B2 (ja) * 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
US9053924B2 (en) * 2008-12-26 2015-06-09 Central Glass Company, Limited Cleaning agent for silicon wafer
SG173043A1 (en) * 2009-01-21 2011-08-29 Central Glass Co Ltd Silicon wafer cleaning agent
US8304179B2 (en) 2009-05-11 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a modified photosensitive layer
JP4743340B1 (ja) 2009-10-28 2011-08-10 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液
JP5404361B2 (ja) 2009-12-11 2014-01-29 株式会社東芝 半導体基板の表面処理装置及び方法
KR20120123361A (ko) 2009-12-23 2012-11-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
US9228120B2 (en) 2010-06-07 2016-01-05 Central Glass Company, Limited Liquid chemical for forming protecting film
US8828144B2 (en) 2010-12-28 2014-09-09 Central Grass Company, Limited Process for cleaning wafers
JP6240404B2 (ja) 2013-05-09 2017-11-29 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法
US9703202B2 (en) 2015-03-31 2017-07-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment process and surface treatment liquid
US10093815B2 (en) 2015-09-24 2018-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment agent and surface treatment method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4745042A (en) * 1984-04-19 1988-05-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Water-soluble photopolymer and method of forming pattern by use of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830762B1 (ko) * 2005-09-14 2008-05-20 가부시키가이샤 소쿠도 노출처리를 받은 기판의 처리장치 및 처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100272797B1 (ko) 2000-12-01
DE4306033A1 (de) 1993-10-28
US5326672A (en) 1994-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930022495A (ko) 레지스트패턴형성방법 및 레지스트패턴
KR960002629A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 처리액
KR960009043A (ko) 질화 규소의 에칭 방법
JPH07146563A (ja) ホトレジスト剥離方法
KR930018661A (ko) 콘택트홀의 형성방법
KR940010236A (ko) 반도체 장치용 유리 마스크 및 그 제조방법
KR980005592A (ko) 자기 정렬 콘택 홀 형성 방법
KR970062807A (ko) 위상반전마스크 형성방법
KR930003278A (ko) 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법
KR950012752A (ko) 반도체 장치 형성방법 및 그 장치
KR920010823A (ko) 필드산화막 형성방법
KR940001378A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970018236A (ko) 반도체 장치의 금속배선 제조방법
KR950006991A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR940016671A (ko) 실리레이션용 레지스트패턴 형성방법
KR950004395A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
KR950021522A (ko) 반도체 장치의 미세 도전라인 형성방법
KR980003803A (ko) 위상 반전 마스크 및 그의 제조 방법
KR980005631A (ko) 콘택홀 형성방법
KR960008990A (ko) 위상반전마스크의 제조방법
KR970023811A (ko) 반도체 소자의 포토레지스트 현상 방법
KR950021155A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR930003340A (ko) 도금법을 이용한 반도체 장치의 금속 배선 방법
KR970028807A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR960030413A (ko) 반도체장치의 트렌치 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee