KR930021815A - Ti-W계 스퍼터링타겟 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 전극, 접촉부 또는 경계층등을 형성할때 사용하는 타겟재로서 호적한 고순도 및 고품질의 Ti-W계 스퍼터링타겟 및 그 제조방법에 관한 것으로, Ti-W 확산상으로 구성되는 연속매트릭스중에 입자 직경 50㎛이하의 Ti상 및 입자직경 20㎛이하의 W상이 분산한 미세한 혼합조직을 가지며, 또한 혼합조직은 중량비가 5~20%의 잔부(W)및 불가피적불순물로 구성된 불가피적 불순물로서의 Al함유량이 1ppm이하인 것을 특징으로 한다.

Description

Ti-W계 스퍼터링타겟 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 실시예에 관련되는 타겟을 사용하여 형성한 박막의 막두께 분포를 비교예와 동시에 나타내는 그래프.
제2도는 본 실시예에 관련되는 타겟을 사용하여 형성한 박막의 막저항 분포를 비교예와 동시에 나타내는 그래프.

Claims (10)

  1. Ti-W 확산상으로 이루어지는 연속매트릭스중에 입자직경50㎛이하의 Ti상 및 입자직경 20㎛이하의 W상이 분산한 미세한 혼합조직을 가지는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟.
  2. 제1항에 있어서, 밀도비가 99%이상인 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟.
  3. Ti-w 확산상으로 이루어지는 연속매트릭스중에 입자직경 50㎛이하의 Ti상 및 입자직경 20㎛이하의 W상이 분산한 미세한 혼합조직을 가지며 혼합조직은 중량비가 5~20%인 Ti와 1ppm이하의 Al을 함유하고 잔부 W및 불가피불순물로 구성되는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟.
  4. 제3항에 있어서, 불가피적불순물로서의 Na를 0.1ppm이하, K를 0.1ppm이하, Fe를 1ppm이하, Ni를 1ppm이하, Cu를 1ppm이하, Cr을 1ppm이하, Zr을 1ppm이하, C를 50ppm이하, O를 800ppm이하 U를 0.001ppm이하, Th를 0.001ppm이하로 설정한 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟.
  5. Ti-W계 확산상으로 이루어지는 연속매트릭스중에서 입자직경 50㎛이하의 Ti상 및 입자직경 20㎛이하의 W상이 분사된 미세한 혼합조직을 가지며 혼합조직은 중량비가 5~20%인 Ti와 1ppm이하의 Al을 함유하고 잔부 W 및 불가피불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟.
  6. Ti-W 확산상으로 이루어지는 연속매트릭스중에서 입자직경 50㎛이하의 Ti상 및 입자직경 20㎛이하의 W 상이 분사된 미세한 혼합조직을 가지는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법에 있어서,
    Ⅰ.최대입자직경이 10㎛인 고순도 W 분말과 최대입자직경이 50㎛인 고순도 Ti분말 및 고순도 TiH2분말의 적어도 한쪽을 함유하고 상기 Ti분말 및 TiH2분말의 적어도 한쪽의 혼합비율이 5~20중량%가 되는 혼합분말을 조제하는 공정,
    Ⅱ.성형용형틀내에 상기 혼합분말을 충전하고 고진공중에 가열해 탄소 및 산소등의 불순물을 감소시키는 공정, 및
    Ⅲ.고진공중 고프레스 압력하에서 1200~1600℃의 온도범위로 상기 혼합분말을 가열함으로서 Ti성분을 확산시키고 치밀화소결하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, Ti성분 및 TiH2분말은 회전전극법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법.
  8. Ti-W 확산상으로 구성되는 연속매트릭스중에 입자직경 50㎛이하의 Ti상 및 직경 20㎛이하의 W상이 분사된 미세한 혼합조직을 가지는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법에 있어서,
    Ⅰ.최대입자직경이 10㎛인 고순도 W분말과 최대입자직경이 50㎛인 고순도 Ti분말 및 고순도 TiH2분말의 적어도 한쪽을 함유하고 상기 Ti분말 및 TiH2분말의 적어도 한쪽의 혼합비율이 5~20중량%가 되는 혼합분말을 조제하는 공정,
    Ⅱ.성형용혈틀내 표면에 도포한 이형제의 박리를 방지하고 이형제에 함유되는 불순물이 혼합분말중에 이동하는 것을 방지하기 위한 격벽판을 붙인 상태에서 형용 형틀내에 상기 혼합분말을 충전하고 고진공중에서 가열해 탄소 및 산소등의 불순물을 저감하는 공정, 및
    Ⅲ.고진공중 고프레스 압력하에서 1200~1600℃의 온도 범위로 상기 혼합분말을 가열함으로서 Ti성분을 확산시키고 치밀화소결하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, Ti분말 및 Ti2분말은 회전전극법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 격벽판은 MO, W, Ta, Nb, Ti중 어느 한종으로 구성되는 것을 특징으로 하는 Ti-W계 스퍼터링타겟의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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