KR930018762A - 수광장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광입사부분에 창이 배치되어 있는 패키지와, 패키지내에 설치되어 있는 수광소자를 지닌 수광장치에 관한 것이다. 상기 수광소자는, 제1도전형의 반도체층에 매립되어 있는 제2도전형의 반도체로 이루어진 제1영역과, 상기 제1영역과 소정간격으로 떨어져서 그 제1영역을 둘러싸도록 매립되어 있는 제2도전형의 반도체로 이루어진 제2영역과, 상기 제1도전형의 반도체층의 상부표면의 적어도 일부와 제2영역의 상부표면의 적어도 일부상에 설치된 도전체층으로 구성된 것을 특징으로 한다. 상기 제1영역은 제2도전형의 제2영역에 의해 둘러싸여 있다. 또, 반도체 결정층의표면상에는, 제1영역상에 전극이 형성되어 있고, 그 전극안쪽의 제1영역의 부분상에 반사방지층이 형성되어 있으며, 그 전극바깥쪽의 제1영역의 부분상에 소자보호 막이 형성되어 있다. 또, 반도체결정층상에는, 반도체결정층 및 제2영역이 양쪽과 접해서 금속막이 형성되어 있다. 이러한 구조에 의해, 제2영역에서 불필요한 캐리어를 포획하여 재결합·소멸시키는 것이 가능하다.

Description

수광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도(a)는 본 발명의 제1실시예에 의한 수광장치에 사용되는 수광소자의 평면도.
제4도(b)는 제4도(a)의 수광소자의 X-X'단면도.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 의한 수광장치의 단면도.
제6도(a)는 본 발명의 제2실시예에 의한 수광장치에 사용되는 수광소자의 평면도.
제6도(b)는 제6도(a)의 수광소자의 X-X'단면도.

Claims (28)

  1. 광입사부분에 창이 배치되어 있는 패키지 및 그 패키지내에 설치되어 있는 수광소자를 지닌 수광장치에 있어서, 상기 수광소자는, 제1도전형의 반도체층에 매립되어 있는 제2도전형의 반도체로 이루어진 제1영역과, 상기 제1영역과 소정간격으로 떨어져서 그 제1영역을 둘러싸도록 매립되어 있는 제2도전형의 반도체로 이루어진 제2영역과, 상기 제1도전형의 반도체층의 상부표면의 적어도 일부와 제2영역의 상부표면의 적어도 일부상에 설치된 도전체층으로 구성된 것을 특징으로 하는 수광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 창은 투광성의 평판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전체층은 금속막인 것을 특징으로 하는 수광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전체층은 도전형 반도체층인 것을 특징으로 하는 수광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2영역은 환형상이고, 상기 도전체층은 제2영역과 제2영역바깥쪽의 제1도전형의 반도체층 사이의 경계면을 포함하는 표면영역상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도전체층은 제2영역과 제1영역과 제2영역사이의 제1도전형 반도체층 사이의 경계면을 포함하는 표면영역상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1영역의 상부표면에는 제1출력전극이 접속되어 있고, 제1도전형의 반도체 층의 이면에 설치되어 있는 기판의 이면에는 제2출력전극이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1영역의 상부표면에는 제1출력전극이 접속되어 있고, 상기 도전체층에 의해 제2출력전극이 제공되는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 반도체층은, 기판상에 형성된 버퍼층과, 이 버퍼층상에 형성된 광흡수층과, 이 광흡수층상에 형성된 창층으로 구성되고, 상기 제2영역은 상기 창층으로부터 광흡수층까지 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 도전체층은 상기 제1도전형의 반도체층의 표면과 제2영역의 표면사이에 경계면을 부분적으로 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 금속막은 AuZn 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  12. 제3항에 있어서, 상기 금속막은 AuGeNi 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  13. 제4항에 있어서, 상기 도전형 반도체층은 비정질 Si로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 InGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 AlGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 CdTe로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 HgCdTe로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 InSb로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  21. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 Si로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  22. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 Ge로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  23. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영역은 Zn의 확산에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 수광장치.
  24. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영역은 Be의 확산에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 수광장치.
  25. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영역은 Cd의 확산에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 수광장치.
  26. 제6항에 있어서, 상기 제1영역의 상부표면에는 제1출력전극이 접속되어 있고, 도전체층에 의해, 제2출력전극이 제공되는 것을 특징으로 하는 수광장치.
  27. 제3항에 있어서, 상기 금속막은 TiAu로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
  28. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 수광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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