KR100993512B1 - 태양 전지 모듈 및 투명 부재 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것으로, 상기 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지, 상기 복수의 태양 전지의 상부에 위치하는 보호막, 그리고 상기 보호막 위에 위치하고, 상기 복수의 태양 전지를 보호하는 투명 부재를 포함한다. 상기 투명 부재는 상기 복수의 태양 전지와 마주하고 있는 내부면에 부분적으로 위치하는 제1 반사 방지부를 포함한다. 이로 인해, 외부로부터 입사되는 빛을 태양 전지쪽으로 재입사시켜 태양 전지로 입사되는 빛이 양을 증가시키므로, 태양 전지 모듈의 생산효율이 향상된다.
태양전지, 태양전지모듈, 투명부재, 반사방지부
Description
본 발명은 태양 전지 모듈 및 투명 부재에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 각각 이루어지는 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성된다.
이러한 태양 전지 셀에 빛이 입사되면 반도체 내부의 전자가 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 자유전자(free electron)(이하, '전자'라 함)가 되고, 전자와 정공은 p-n 접합의 원리에 따라 n형 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동한다. 그리고 이동한 전자와 정공은 기판 및 에미터부에 전기적으로 연결된 각각의 전극에 의해 수집된다.
이때, 에미터부와 기판 위에는 에미터부와 기판에 배치된 각각의 전극을 연 결하는 버스 바(bus bar)와 같은 적어도 하나의 집전부가 형성된다.
이러한 구조를 갖는 태양 전지에서 생산되는 전압 및 전류는 매우 작기 때문에 원하는 출력을 얻기 위해서는 여러 개의 태양 전지를 직렬 또는 병렬로 연결한 후 패널(panel) 형태로 방수 처리한 형태의 태양 전지 모듈을 제조하여 사용하고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양 전지 모듈의 생산 효율을 향상시키는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 태양 전지 모듈의 제조 비용을 줄이는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지, 상기 복수의 태양 전지의 상부 및 하부에 위치하는 상부 및 하부 보호막, 그리고 상기 상부 보호막 위에 위치하고, 상기 복수의 태양 전지를 보호하는 투명 부재를 포함하는 태양 전지 모듈로서, 상기 투명 부재는 상기 복수의 태양 전지와 마주하고 있는 내부면에 부분적으로 위치하는 제1 반사 방지부를 포함한다.
상기 투명 부재의 내부면은 상기 태양 전지 모듈의 발전 영역과 마주하는 발전 영역과 상기 태양 전지 모듈의 비발전 영역과 마주하는 비발전 영역을 포함하고 있고, 제1 반사 방지부는 상기 비발전 영역과 상기 발전 영역 중 적어도 하나에 부 분적으로 위치할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 태양 전지 모듈의 가장자리 영역의 적어도 일부와 중첩하는 가장자리부를 포함할 수 있다.
상기 가장자리부는 가장자리에 위치한 태양전지 행이나 태양전지 열 중 적어도 하나의 모서리 영역과 중첩할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 인접한 태양전지 열 사이의 영역과 중첩하는 복수의 세로부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 세로부는 인접한 태양전지 열의 모서리 영역에 중첩할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 인접한 태양전지 행 사이의 영역과 중첩하는 복수의 가로부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 가로부는 인접한 태양전지 행의 모서리 영역에 중첩할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 격자 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 태양 전지 각각은 복수의 집전부를 포함할 수 있고, 상기 제1 반사 방지부는 상기 복수의 집전부와 중첩하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 연결될 수 있다.
상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 분리될 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 투명 부재의 끝단까지 위치할 수 있다.
상기 특징에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지, 상기 상부 보호막, 상기 하부 보호막 및 상기 투명 부재를 수납하는 프레임을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 프레임과 상기 투명 부재의 내부면이 만나는 부분까지 위치할 수 있다.
상기 투명 부재는 상기 내부면의 반대편에 위치하는 외부면에 제2 반사 방지부를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 방지부를 상기 투명 부재의 전체면에 위치할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 행 방향으로 인접한 태양전지 열 사이의 영역과 중첩하는 복수의 세로부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 세로부는 행 방향으로 인접한 두 태양전지간의 간격보다 큰 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 열 방향으로 인접한 태양전지 행 사이의 영역과 중첩하는 복수의 가로부를 포함할 수 있다.
상기 복수의 가로부는 열 방향으로 인접한 두 태양전지의 간격보다 큰 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 투명 부재는 복수의 태양 전지를 포함한 태양 전지 모듈에 장착되는 투명 부재로서, 상기 투명 부재는 상기 복수의 태양 전지와 대향하는 내부면에 부분적으로 위치하는 제1 반사 방지부를 포함한다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 투명 부재의 가장자리 부분의 적어도 일부에 위치하는 가장자리부를 포함할 수 있다.
상기 가장자리부는 상기 투명 부재의 제1 가장자리 부분에 위치하는 제1 가장자리부와 상기 제1 가장자리 부분과 대향하는 제2 가장자리 부분에 위치하는 제2 가장자리부를 포함할 수 있다.
상기 가장자리부는 사각 고리 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 가장자리부와 연결되어 있고 세로 방향으로 뻗어 있는 복수의 세로부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 가장자리부와 연결되어 있고 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 가로부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 가장자리부와 연결되어 있고 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 가로부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 투명 부재의 가장자리 부분으로 둘러싸인 영역 내에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 분리되어 있을 수 있다.
상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 연결될 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 세로 방향으로 뻗어 있는 복수의 세로부를 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 세로부 사이에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 상기 가장자리부와 연결되어 있고 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 가로부를 포함할 수 있다.
상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 가로부 사이에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함할 수 있다.
상기 투명 부재는 상기 내부면의 반대편에 위치하는 외부면에 제2 반사 방지부를 더 포함할 수 있다.
이러한 특징에 따라, 비발전 영역으로 입사되는 빛을 발전 영역으로 재입사시켜 태양 전지로 입사되는 빛이 양을 증가시키므로, 태양 전지 모듈의 생산효율이 향상된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 1을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 모듈(10)은 복수의 태양전지(1), 복수의 태양 전지(1)를 보호하는 보호막(20a, 20b), 태양 전지(1)의 수광면 쪽에 위치한 보호막(이하, '상부 보호막'이라 함)(20a) 위에 위치하는 투명 부재(40), 빛이 입사되지 않는 수광면의 반대 쪽에 위치한 보호막(이하, '하부 보호막'이라 함)(20b)의 하부에 배치된 후면 시트(back sheet)(50), 그리고 이들 구성요소를 수납하는 프레임(60)을 구비한다.
후면 시트(50)는 태양 전지 모듈(10)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지(1)를 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 시트(50)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
상부 및 하부 보호막(20a, 20b)은 습기 침투로 인한 금속의 부식 등을 방지하고 태양 전지 모듈(10)을 충격으로부터 보호한다. 이러한 상부 및 하부 보호막(20a, 20b)은 태양 전지(1)의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정(lamination process) 시에 태양 전지(1)와 일체화된다. 이러한 보호막(20a, 20b)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate), 폴리비닐부티랄, 에틸렌초산비닐 부분 산화물, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
상부 보호막(20a) 위에 위치하는 투명 부재(40)는 투과율이 높고 파손을 방지하기 위해 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 투명 부재(40)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면은 엠보싱(embossing)처리가 행해질 수 있다.
복수의 태양 전지(1)는 행렬 구조로 배열되어 있고, 각 태양 전지(1)는 복수의 연결부(70)에 의해 직렬로 연결되어 있다. 도 1에서, 복수의 태양 전지(1)는 4ㅧ4 행렬 구조를 가지고 있지만, 이에 한정되지 않고 필요에 따라 행과 열 방향으로 각각 배치되는 태양 전지(1)의 개수는 조절 가능하다. 이때, 인접한 태양 전지(1) 간의 간격(d1)은 약 2㎜ 내지 3㎜일 수 있다.
프레임(60)은 일체화된 부품(50, 20b, 1, 20a, 40)를 수납한다. 프레임(60)은 절연 물질로 코팅되어 있는 알루미늄 등과 같이 외부 환경으로 인한 부식과 변형 등이 발생하지 않는 물질로 이루어지고, 배수, 설치 및 시공이 용이한 구조를 갖고 있다.
이러한 태양 전지 모듈(10)은 태양 전지(1)들을 테스트하는 단계, 테스트가 완료된 복수의 태양 전지(1)들을 복수의 연결부(70)로 전기적으로 연결하는 단계, 모듈화하기 위한 부품들을 순차적으로, 예컨대 하부로부터 후면 시트(50), 하부 보호막(20b), 태양 전지(1), 상부 보호막(20a) 및 투명 부재(40)의 순서로 배치하는 단계, 진공 상태에서 라미네이션 공정을 실시하여 이들 부품들을 일체화하는 단계, 에지 트리밍(edge trimming) 단계 및 모듈 테스트를 실시하는 단계 등의 공정 순서에 따라 제조된다.
다음, 도 2를 참고로 하여 본 실시예에 따른 태양 전지(1)의 한 예를 기술한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 한 예의 일부 사시도이다.
도 2에 도시한 태양 전지(1)는 제1 불순물부(110)와 제2 불순물부인 에미터부(120)를 구비한 기판(100), 빛이 입사되는 기판(100)의 면[이하, '전면(front surface)'라 함]의 에미터부(120) 위에 위치하는 반사 방지부(130), 에미터부(120) 위에 위치한 전면 전극부(140), 빛이 입사되지 않고 전면의 반대편에 위치하는 기판(100)의 면[이하, '후면(rear surface)'라 함]에 위치하는 후면 전극(rear electrode)(151), 그리고 후면 전극(151) 하부에 위치하는 후면 전계(back surface field, BSF)부(171)를 구비한다.
제1 불순물부(110)는 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(100)에 위치하며 제1 도전성 타입의 제1 불순물을 함유하고 있다. 이때, 제1 불순물부(110)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. 실리콘은 다결정 실리콘과 같은 결정질 실리콘이다. 하지만, 이와는 달리, 기판(100)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 이 경우, 제1 불순물부(110)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.
이러한 기판(100)은 텍스처링(texturing)되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 이 경우, 텍스처링 표면에 의해 기판(100)으로 입사되는 빛의 양이 증가하여 태양 전지(1)의 효율이 향상된다.
기판(100)에 형성된 에미터부(120)는 기판(100)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 제2 불순물부로서, 반도체 기판(100)의 제1 불순물부(110)와 p-n 접합을 이룬다. 실질적으로, 기판(100)에서 에미터부(120)를 제외한 대부분의 영역이 제1 불순물부(110)가 된다.
이러한 p-n 접합에 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(100)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(100)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 제1 불순물부(110)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
에미터부(120)는 제1 불순물부(110)와 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 기판(100)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 제1 불순물부(110)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동한다.
에미터부(120) 위에 위치한 반사 방지막(130)은 기판(100)쪽으로 입사되는 빛의 반사율을 감소시켜 기판(100)으로 흡수되는 빛의 양을 증가시킨다.
전면 전극부(140)는, 도 2에 도시한 것처럼, 복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면전극용 집전부(142)를 구비한다.
복수의 전면 전극(141)은 에미터부(120)와 전기적·물리적으로 연결되어 있고, 거의 평행하게 정해진 방향으로 뻗어 있다.
복수의 전면 전극(141)은 에미터부(120)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집한다.
복수의 전면전극용 집전부(142)는 에미터부(120) 위에 복수의 전면 전극(141)과 교차하는 방향으로 거의 평행하게 뻗어 있고, 에미터부(120)뿐만 아니라 복수의 제1 전극(141)과 전기적·물리적으로 연결되어 있다.
복수의 전면전극용 집전부(142)는 복수의 전면전극(141)과 동일 층에 위치하여, 복수의 전면전극용 집전부(142)는 각 전면 전극층(141)과 교차하는 지점에서 해당 전면 전극(141)과 전기적·물리적으로 연결되어 있다.
복수의 전면 전극용 집전부(142)는 복수의 전면 전극(141)과 연결되어 있으므로, 복수의 전면 전극(141)을 통해 전달되는 전하를 수집하여 외부 장치로 출력한다.
도 2에서, 기판(100)에 위치하는 전면 전극용 집전부(142)의 개수는 2개이지만 이에 한정되지 않는다. 각 전면 전극용 집전부(142)의 폭은 설치 개수에 따라 변한다. 예를 들어, 전면 전극용 집전부(142)의 개수가 2개일 경우, 각 전면 전극용 집전부(142)의 폭(d2)은 약 2㎜이고, 전면 전극용 집전부(142)의 개수가 3개일 경우, 각 전면 전극용 집전부(142)의 폭(d2)은 약 1.5㎜이다.
이러한 전면 전극부(140)는 은(Ag)과 같은 도전성 물질을 함유하고 있지만, 이와는 달리, 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 함유하거나, 이외의 다른 도전성 금속 물질을 함유할 수 있다.
에미터부(120)와 전기적·물리적으로 연결되어 있는 전면 전극부(140)로 인해, 반사 방지막(130)은 전면 전극부(140)가 위치하지 않는 에미터부(120) 위에 존재한다.
기판(100)의 후면 위에 위치한 후면 전극(151)은 기판(100)의 후면 거의 전체면에 위치한다.
이러한 복수의 후면 전극(151)은 제1 불순물부(110)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.
후면 전극(151)은 알루미늄(A)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유하고 있지만, 대안적인 실시예에서, 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 함유하거나, 이외의 다른 도전성 물질을 함유할 수 있다.
후면 전극(151)과 기판(100)의 제1 불순물부(110) 사이에 위치한 후면 전계부(171)는 제1 불순물부(110)와 동일한 도전성 타입의 불순물이 제1 불순물부(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다.
제1 불순물부(110)과 후면 전계부(171)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되어 제1 불순물부(110) 후면 쪽으로의 전자 이동이 방해되어, 제1 불 순물부(110)의 표면 근처에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것을 감소시킨다.
이러한 구조 이외에 태양 전지(1)는 기판(100)의 후면에 위치하는 복수의 후면전극용 집전부를 더 구비할 수 있다.
복수의 후면전극용 집전부는, 복수의 전면전극용 집전부(142)와 유사하게, 후면 전극(151)과 전기적으로 연결되어 후면 전극(151)으로부터 전달되는 전하를 수집하여 외부 장치로 출력한다. 이러한 후면전극용 집전부는 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유한다.
이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지(1)의 동작은 다음과 같다.
태양 전지(1)로 빛이 조사되어 에미터부(120)를 통해 반도체의 기판(100)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체의 기판(100)에서 전자-정공 쌍이 발생한다.
이때, 반사 방지막(130)에 의해 기판(100)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(100)으로 입사되는 빛의 양은 증가한다.
이들 전자-정공 쌍은 기판(100)의 제1 불순물부(110)와 에미터부(120)의 p-n접합에 의해 서로 분리되어 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 제1 불순물부(110) 쪽으로 이동한다. 이처럼, 에미터부(120)쪽으로 이동한 전자는 주로 복수의 전면 전극(141)에 의해 수집되어 복수의 전면전극용 집전부(142)로 이동하고, 제1 불순물부(110) 쪽으로 이동한 정공은 후면 전계부(171)를 통해 후면 전극(151)에 의해 수집된다. 이러한 복수의 전면전극용 집전부(142)와 후면 전극(151)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
일반적으로 태양 전지(1)는 기판(100)으로 입사되는 빛의 양이 증가할수록 태양 전지(1)의 효율이 향상된다.
하지만, 도 2에 도시한 한 것처럼, 기판(100)의 입사면에 복수의 전극(141)과 복수의 집전부(142)가 위치하므로, 이들 전극(141)과 집전부(142)에 의해 빛의 입사 면적이 감소하고 이로 인해 기판(100)으로 입사되는 빛의 양이 줄어든다.
이러한 빛의 입사량 감소를 방지하기 위해, 외부에 노출되지 않고 상부 보호막(20a)과 마주하고 있는 투명 부재(40)의 면(이하, "내부면"이라 함)의 일부에 다양한 형태로 반사 방지부(41)가 패터닝되어 있다.
이때, 투명 부재(40)의 내부면의 반대편에 위치하고 외부에 노출되어 있는 투명 부재(40)의 면(이하, "외부면"이라 함)에는 도 1에 도시한 것처럼 반사 방지부(42)가 위치한다.
이때, 반사 방지부(42)는, 도 1에 도시한 것처럼, 투명 부재(40)의 외부면 전체에 위치한다. 하지만, 대안적인 실시예에서, 반사 방지부(42)는 프레임(60)속으로 삽입되지 않고 외부에 노출되어 있는 외부면의 일부, 즉, 프레임(60) 내부에 삽입되는 투명 부재(40)의 가장자리 면을 제외한 나머지 외부면에만 반사 방지부(42)가 위치할 수 있다.
하지만, 이와는 달리, 투명 부재(40)의 외부면에는 반사 방지부가 위치하지 않을 수 있다.
이러한 반사 방지부(41, 42)는 알루미늄 산화물(aluminum oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 실리콘 산화물(silicon oxide)과 같은 산화물(oxide) 계열 물질이라 실리콘 질화물(silicon nitride)와 같은 질화물 계열 물질이다. 이때 반사 방지부(41, 42)는 투명한 물질이다.
반사 방지부(41, 42)는, 반사 방지막(130)과 유사하게, 외부로부터 입사되는 빛의 반사율을 감소시키고 원하는 방향으로 빛을 굴절시켜, 태양 전지 모듈(10)쪽으로 입사되는 빛의 양을 증가시킨다. 이때, 반사 방지부(41, 42)의 굴절률이나 두께 등을 이용하여 원하는 파장대의 빛을 선택적으로 굴절시킨다.
태양 전지 모듈(10)은 기판(100)으로 빛이 입사되어 발전에 기여하는 발전 영역과 기판(100)으로 입사되는 빛을 차단하거나 태양 전지(1)가 존재하지 않아 태양 전지(1)의 발전에 영향을 주지 못하는 비발전 영역으로 나눠진다.
발전 영역은 태양 전지(1)의 전면(front surface) 중에서 복수의 전면 전극(141)과 복수의 집전부(142)가 위치하지 않는 부분으로서 빛이 기판(100)으로 바로 입사되는 영역을 의미한다. 반면, 비반전 영역은 태양 전지 모듈(10)에서 태양 전지(1)가 위치하지 않은 부분, 그리고 각 태양 전지(1) 내에서 복수의 전면 전극(141)과 복수의 전면전극용 집전부(142)가 위치하는 부분이다.
본 실시예에서, 태양 전지(1)의 발전 영역과 마주하여 중첩하는 투명 부재(40)의 부분을 투명 부재(40)의 발전 영역이라 하고, 비발전 영역과 마주하여 중첩하는 부분을 투명 부재(40)의 비발전 영역이라 한다.
본 실시예에서, 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 내부면에 위치하며 또한 투명 부재(40)의 비발전 영역 중 적어도 일부에 부분적으로 위치한다.
그러면 도 3a 내지 도 10을 참고로 하여, 투명 부재(40)의 내부면에 부분적으로 위치한 반사 방지부(41)의 다양한 예들에 대하여 설명한다.
도 3a 내지 도 10은 본 발명의 한 실시예에 따라 투명 부재의 내부면에 위치한 반사 방지부의 다양한 패턴을 도시한 예들이다.
먼저, 도 3a 내지 도 3g에 도시한 도면을 참고로 하면, 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 비발전 영역 중에서 태양 전지 모듈(10)의 가장자리 영역에 대응하는 부분(이하, "가장자리 부분"이라 함)의 적어도 일부에 위치한다.
도1 및 도 3a와 도 3b에서, 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 가장자리 부분 중에서 태양 전지 모듈(10)의 상부 가장자리 영역과 하부 가장자리 영역에 각각 중첩하는 곳에 반사 방지 영역(443a)을 구비하며, 이들 반사 방지 영역(443a)을 가장자리부(443a)라 한다.
이때, 각 가장자리부(443a)의 세로 폭(w1)은 태양 전지 모듈(10)의 첫 번째 행에 위치하고 있는 태양 전지(1)들의 끝단을 연결한 가상선(L1)에서부터 인접한 프레임(60)까지의 간격 그리고 태양 전지 모듈(10)의 마지막 행에 위치하고 있는 태양 전지(1)들의 끝단을 연결한 가상선(L2)에서부터 인접한 프레임(60)까지의 간격과 같다.
이와 같이, 투명 부재(40)의 내부면의 비발전 영역에 반사 방지부(41)가 위치함에 따라, 도 3b에 도시한 것처럼, 투명 부재(40)의 비발전 영역으로 입사되는 빛은 반사 방지부(41)에 의해 굴절되어 인접한 태양 전지(1)의 발전 영역으로 입사 된다. 이로 인해, 각 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 양이 증가하여 태양 전지(1)의 발전 효율이 향상된다.
도 3c에서, 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 가장자리부 중에서 태양 전지 모듈(10)의 좌측 가장자리 영역과 우측 가장자리 영역에 각각 중첩하는 반사 방지 영역인 가장자리부(443c)를 구비한다.
이때, 각 가장자리부(443c)의 가로 폭(w2)은 태양 전지 모듈(10)의 최우측에 위치하는 태양전지 열의 끝단을 연결한 가상선(L3)에서부터 인접한 프레임(60)까지의 간격 그리고 태양 전지 모듈(10)의 최좌측에 위치하는 태양전지 열의 끝단을 연결한 가상선(L4)에서부터 인접한 프레임(60)까지의 간격과 같다.
또한, 반사 방지부(41)는 다른 예에서 도 3d에 도시한 것처럼 투명 부재(40)의 가장자리부 전체에 위치한 반사 방지 영역인 가장자리부(443e)를 포함한다. 이 가장자리부(443e)는 실질적으로 태양 전지 모듈(10)의 가자자리 영역 전체와 중첩한다. 따라서, 반사 방지부(443e)는 하나로 연결된 사각 고리 형상을 갖는다.
도 3d에서, 반사 방지부(41)인 가장자리부(443d)는 태양 전지 모듈(10)의 상부, 하부, 좌측부 및 우측부의 가장자리 영역에 각각 일렬로 배치된 태양 전지 행의 끝단을 연결한 복수의 가상선(L1-L4)으로부터 각각 인접한 프레임(60)까지 형성되어 있다.
하지만, 도 3a, 도 3c 및 도 3d와는 달리, 도 3e 내지 도 3g에 도시한 것처럼, 다른 예에서 각 가장자리부(443e-443g)는 가상선(L1-L4)을 초과하여 가장자리 영역에 배치된 태양 전지 행 및/또는 태양전지 열과 일부 중첩되게 투명 부재(40) 에 위치한다.
본 실시예에서, 각 태양 전지(1)는 상변(11), 하변(12), 제1 측변(13), 제2 측변(14), 그리고 측변(13, 14)과 상하변(11, 12)을 대략 대각선 방향으로 연결하는 네 개의 모서리변(15)를 구비한다. 이러한 태양 전지(1)는 거의 팔각형 형상을 갖고 있다.
따라서, 도 3e 내지 도 3f에 도시한 것처럼, 반사 방지부(41)인 가장자리부(443e-443g)는 인접한 태양전지 행 또는 인접한 태양전지 열의 상변(11), 하변(12), 제1 측변(13) 또는 제2 측변(14)의 끝단에서부터 모서리변(15)의 끝단까지 각 변(11, 12, 13 또는 14)에 수직으로 연장된 영역(이하, 모서리 영역)까지 해당 태양전지 행이나 태양전지 열과 중첩한다. 이로 인해, 태양 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 발전 영역 일부까지 위치한다.
이럴 경우, 모서리변(15)의 부근에 형성된 비발전 영역에까지 반사 방지부(41)가 위치하므로, 각 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 양은 더욱더 증가한다.
도 4a 내지 도 4d에 도시한 반사 방지부(41)의 다른 예는 각각 가장자리부(441a)와 가장자리부(441a)에 연결된 복수의 세로부(442a)를 구비한다.
가장자리부(441a)는 이미 설명한 것처럼 태양 전지 모듈(10)의 가장자리 영역에 대응하는 투명 부재(40)의 가장자리 부분에 위치한다.
복수의 세로부(442a)는 투명 부재(40)의 내부면에서 인접한 태양전지 열 사이를 따라 세로 방향으로 뻗어 있다.
도 4a에서, 반사 방지부(41)의 복수의 세로부(442a)는 인접한 태양전지 열의 끝단과 끝단 사이의 비발전 영역과 중첩하게 위치한다. 따라서 복수의 세로부(442a)는 주로 투명 부재(40)의 비발전 영역에 위치한다.
도 4b에서, 반사 방지부(41)의 복수의 세로부(442b)는 인접한 태양전지 열 사이뿐만 아니라 인접한 태양전지 열의 모서리 영역까지 중첩하게 위치하여, 인접한 태양전지 열과 일부 중첩한다. 따라서, 도 4b에 도시한 복수의 세로부(442b)는 투명부재(40)의 비발전 영역뿐만 아니라 일부 발전 영역에도 위치한다.
이미 도 3e 내지 도 3f를 참고로 하여 설명한 것처럼, 또다른 예에서, 가로부(442c, 442d)를 구비한 반사 방지부(41)의 가장자리부(441c, 441d)는 인접한 태양 전지 행이나 태양전지 열의 모서리 영역과 중첩하는 부분까지 위치한다 (도 4c 및 도 4d).
도 5a 내지 도 5d에 도시한 다른 반사 방지부(41)의 다른 예는 각각 가장자리부(451a-451d)와 가장자리부(451a-451d)에 연결된 복수의 가로부(453a-453d)를 구비한다.
가장자리부(451a-451d)는 이미 설명한 것처럼 태양 전지 모듈(10)의 가장자리 영역에 대응하는 투명 부재(40)의 가장자리부에 위치한다.
복수의 가로부(453a-453d)는 투명 부재(40)의 내부면에서 인접한 태양전지 행 사이를 따라 가로 방향으로 뻗어 있다.
도 5a에서, 반사 방지부(41)의 복수의 가로부(453a)는 인접한 태양전지 행의 끝단과 끝단 사이의 비발전 영역에 중첩하게 위치하여, 주로 투명 부재(40)의 비발전 영역에 위치한다.
도 5b의 반사 방지부(41)의 복수의 가로부(453b)는 인접한 태양전지 행 사이뿐만 아니라 인접한 태양전지 행의 모서리 영역까지 중첩하게 위치하여, 인접한 태양전지 행과 일부 중첩한다. 따라서, 도 5b에 도시한 복수의 가로부(453b)는 투명부재(40)의 비발전영역과 일부 발전 영역에 위치한다.
세로부도 4c 및 도 4d를 참고로 하여 설명한 것과 동일하게, 반사 방지부(41)의 가장자리부(451c, 451d)는 인접한 태양 전지 행이나 태양전지 열의 모서리 영역과 중첩하는 부분까지 위치하여 가장자리부(451c, 451d)는 해당하는 모서리 영역과 중첩한다(도 5c 및 도 5d).
또한, 도 6a 및 도 6b에 도시한 예에서, 반사 방지부(41)는 각각 가장자리부(461a, 461b), 가장자리부(461a, 461b)에 연결된 복수의 세로부(462a, 462b) 및 가장자리부(461a, 461b)에 연결된 복수의 가로부(463a, 463b)를 구비한다. 이로 인해, 반사 방지부(41)는 격자 형상을 갖는다.
도 6a 및 도 6b에서, 가장자리부(461a, 461b), 복수의 세로부(462a, 462b) 및 복수의 가로부(463a, 463b)는 이미 도 4a 내지 도 5d를 참고로 하여 설명한 가장자리부(441a-441d, 451a-45d), 복수의 세로부(442a-442d) 및 복수의 가로부(453a-453d)와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.
또한, 도 6a 및 도 6b에 도시한 것과는 달리, 가장자리부(461a, 461b)의 적어도 일부는 인접한 태양전지 행이나 태양전지 열의 모서리 영역까지 연장되어 모서리 영역과 중첩될 수 있으며, 복수의 세로부(462a, 462b)와 복수의 가로부(463a, 463b) 중 하나가 인접한 태양전지 열이나 인접한 태양전지 행의 모서리 영역까지 연장될 수 있다.
또 다른 예에서, 본 실시예에 따라 투명 부재(40)의 내부면에 위치하는 반사 방지부(41)는 각 태양 전지(1) 내에 존재하는 비발전 영역에 대응하게 위치한다.
이러한 예를 도 7a 및 도 7b를 참고로 하여 설명한다.
도 6a와 비교할 때, 도 7a 및 도 7b에 도시한 투명 부재(40)의 내부면에 위치하는 반사 방지부(41)는 각각 가장자리부(471a, 471b), 복수의 세로부(472a, 472b) 및 복수의 가로부(473a, 473b)뿐만 아니라 각 태양 전지(1)에 위치한 복수의 집전부(142)의 형성 위치에 중첩하게 위치한 복수의 보조 패턴부(474a, 474b)를 더 구비한다.
가장자리부(471a, 471b), 복수의 세로부(472a, 472b) 및 복수의 가로부(473a, 473b)는 도 6a 및 도 6b를 참고로 하여 설명한 가장자리부(461a, 461b), 복수의 세로부(462a, 462b) 및 복수의 가로부(463a, 463b)와 동일하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 7a에서, 복수의 보조 패턴부(474a)는 각 태양 전지(1)에 존재하는 복수의 전면전극용 집전부(142)가 위치하고 있는 부분과 실질적으로 대응하여 중첩되어 있으므로, 복수의 보조 패턴부(474a, 474b)는 가장자리부(471a, 471b)와 분리되어 있다.
반면, 도 7b에서, 반사 방지부(41)의 복수의 보조 패턴부(474b)는 복수의 집전부(142)가 위치한 부분을 따라서 가장자리 부분(471b)까지 연결되어 된다. 이로 인해, 도 7b의 복수의 보조 패턴부(474b)는 가장자리부(471b)와 연결되어 일체로 형성되어 있다.
이때, 복수의 보조 패턴부(474a, 474b)의 폭은 각 태양 전지(1)에 위치하는 집전부(142)의 폭보다 같거나 큰 것이 좋다.
이미 설명한 것처럼, 대안적인 예에서, 반사 방지부(41)의 가장자리 부분(471a, 471b)의 적어도 일부는 인접한 태양전지 행이나 태양전지 열의 모서리 영역과 대응하는 부분까지 연장될 수 있으며, 복수의 세로부(472a, 472b)와 복수의 가로부(473a, 473b) 중 적어도 하나는 인접한 태양전지 열이나 태양전지 열의 모서리 영역과 대응하는 부분까지 연장될 수 있다.
도 3a 내지 도 10에 도시한 투명 부재(40)의 일부(d3)는 프레임(60)으로 쌓여져 있다. 따라서 이미 설명한 것처럼, 반사 방지부(41)는 프레임(60)으로 감싸진 투명 부재(40)의 부분(d3)에는 위치하지 않는다.
하지만, 이와는 달리, 도 3a 내지 도 7b에 도시한 예에서, 반사 방지부(41)는 투명 부재(40)의 내부면 끝단까지, 즉 내부면 전체에 위치할 수 있다.
이 경우, 태양 전지 모듈(10)이 프레임(60)을 구비하지 않을 경우 프레임(60)과의 고정을 위한 부분이 필요 없다. 따라서 투명 부재(40)의 내부면 전체에 반사 방지부(41)를 위치시켜 비발전 영역으로 입사되는 빛을 발전 영역으로 재입사시킬 수 있도록 한다.
또한, 도 4a 내지 도 4d와는 달리, 도 8에 도시한 것처럼, 다른 예에서 반사 방지부(41)는 가장자리부의 일부, 즉, 좌/우측 가장자리부(481)와 복수의 세로부(482)만 구비한다.
또한, 도 5a 내지 도 5d와는 달리, 도 9에 도시한 것처럼, 다른 예에서 반사 방지부(41)는 가장자리부 일부인 상/하측 가장자리부(491)와 복수의 가로부(493)만 구비한다
유사하게, 도 6a 내지 도 6b와는 달리, 도 10에 도시한 것처럼, 또 다른 예에서 반사 방지부(41)는 가장자리부를 구비하지 않고, 복수의 세로부(4102)와 복수의 가로부(4103)만 구비한다.
도 8 내지 도 10에서, 복수의 세로부(482, 4102) 또는/및 복수의 가로부(493, 4103)는 내부면의 끝단까지 세로 방향으로 뻗어 있지만, 이와는 달리 도 3a 내지 도 7b에 도시한 것처럼 투명 부재(40)가 프레임(60)과의 중첩부분 전까지 세로 방향으로 뻗어 있을 수 있으며, 가장자리부(481, 191) 역시 투명 부재(40)가 프레임(60)과의 중첩부분 전까지 세로 방향으로 뻗어 있을 수 있다.
또한, 도 8 내지 도 10에서, 복수의 세로부(482, 4102) 또는/및 복수의 가로부(493, 4103)는 인접한 두 태양전지 열 또는/및 인접한 두 태양전지 행 사이에만 중첩되지만, 이미 설명한 것처럼, 인접한 태양전지 열 및/또는 인접한 두 태양전지 행의 모서리 영역까지 중첩될 수 있으며, 가장자리부(481, 191) 역시 인접한 태양전지 열 또는 인접한 태양전지 행의 모서리 영역까지 중첩될 수 있다..
마찬가지로, 도 6a 내지 도 6b와는 달리, 반사 방지부(41)는 복수의 보조 패턴부(474a, 474b)만 구비하거나 또는 복수의 보조 패턴부(474a, 474b)와 가장자리부(471a, 471b), 복수의 세로부(472a, 472b, 482, 4102) 및 복수의 가로부(473a, 473b, 493, 4103) 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.
이와 같이, 태양 전지 모듈(10)의 비발전 영역에 대응되게 투명 부재(40)의 내부면에 반사 방지부(41)를 위치시켜 비발전 영역으로 입사되는 빛을 발전 영역으로 재입사시킬 경우, 태양 전지 모듈(10)의 발전 효율은 약 4% 내지 5% 상승하였다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 투명 부재(40)의 내부면 전체에 반사 방지부(41)를 위치시키는 대신 비발전 영역의 적어도 일부에 대응하는 위치에 반사 방지부(41)를 형성하므로, 제조 비용이 줄어든다. 즉, 종래에는 비발전 영역뿐만 아니라 비발전 영역에도 대응되게 반사 방지부가 위치하므로, 반사 방지부를 형성하기 위한 재료가 많이 소요되었다. 하지만 본 실시예의 경우, 비발전 영역의 적어도 일부와 대응되게 반사 방지부(41)가 위치하므로, 반사 방지부(41)를 형성하기 위한 재료 소비가 감소한다.
또한, 일반적으로 반사 방지부(41)의 표면은 평탄면이 아닌 요철면을 갖는다. 따라서 반사 방지부(41)의 형성 위치가 증가할수록 반사 방지부(41)의 균일성이 악화되어 빛의 반사 방지 효율이 감소하는 문제가 발생한다. 하지만, 본 실시예는 투명 부재(40)의 내부면 전체에 반사 방지부(41)를 형성하는 대신 일부에만 반사 방지부(41)를 형성하므로, 표면의 균일도가 증가하고 이로 인해, 반사 방지 효율이 향상된다.
더욱이, 라미네이팅 공정 시 반사 방지부(41)와 보호막(20a, 20b)이 일체로 될 때, 반사 방지부(41)와 접촉하는 보호막(20a, 20b) 부분에서 기포가 발생하여 빛의 입사에 악영향을 미쳤다. 하지만, 본 실시예에 따르면 반사 방지부(41)의 형 성 위치가 감소함에 따라 기포의 발생 빈도수가 감소한다.
본 실시예에서, 투명 부재(40)의 내부면 일부에 존재하는 반사 방지부(41)는 롤러(roller)를 이용하여 원하는 물질을 도포함으로써 형성될 수 있다.
이때, 반사 방지부(41)의 패턴 형상과 두께 등에 따라서 롤러의 진행 방향이나 왕복 횟수 등이 정해진다. 또한 롤러의 폭이 상이한 다양한 롤러를 동시에 동작시켜 서로 다른 폭을 갖는 복수의 부분으로 이루어진 반사 방지부의 패턴을 신속하게 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 한 예의 일부 사시도이다.
도 3a 내지 도 10은 본 발명의 한 실시예에 따라 투명 부재의 내부면에 위치한 반사 방지부의 다양한 패턴을 도시한 예들이다.
*도면의 주요부분에 대한 간단한 설명*
1: 태양 전지 10: 태양전지모듈
20a, 20b: 보호막 40: 투명 부재
50: 후면 시트 60: 프레임
100: 기판 120: 에미터부
140: 전면전극부 141: 전면 전극
142: 전면전극용 집전부 151: 후면 전극
171: 후면 전계부 41, 42: 반사 방지부
Claims (37)
- 복수의 태양 전지, 상기 복수의 태양 전지의 상부에 위치하는 보호막, 그리고 상기 보호막 위에 위치하고, 상기 복수의 태양 전지를 보호하는 투명 부재를 포함하는 태양 전지 모듈에서,상기 태양 전지 모듈의 비발전 영역과 마주하는 상기 투명 부재의 비발전 영역 위에 위치하는 제1 반사 방지부를 포함하는 태양 전지 모듈.
- 삭제
- 제1항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 태양 전지 모듈의 상부 및 하부 가장자리 영역과 상기 태양 전지 모듈의 좌측 및 우측 가장자리 영역 중 적어도 하나와 중첩하는 가장자리부를 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제3항에서상기 제1 반사 방지부는 상기 태양 전지 모듈의 발전 영역과 마주하는 상기 투명 부재의 발전 영역 위에 더 위치하고,상기 가장자리부는 상기 발전 영역 중에서 상기 태양 전지 모듈의 가장자리에 위치한 태양전지 행이나 태양전지 열 중 적어도 하나의 모서리 영역과 중첩하는 태양 전지 모듈.
- 제3항에서,상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 개의 태양전지 열 사이의 영역과 중첩하는 복수의 세로부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제5항에서상기 제1 반사 방지부는 상기 태양 전지 모듈의 발전 영역과 마주하는 상기 투명 부재의 발전 영역 위에 더 위치하고,상기 복수의 세로부는 상기 발전 영역 중에서 상기 세로부와 인접한 태양전지 열의 모서리 영역과 중첩하는 태양 전지 모듈.
- 제5항에서,상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 개의 태양전지 행 사이의 영역과 중첩하는 복수의 가로부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제7항에서,상기 제1 반사 방지부는 격자 형상을 가지는 태양 전지 모듈.
- 제3항에서,상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 개의 태양전지 행 사이의 영역과 중첩하는 복수의 가로부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제7항 또는 제9항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 태양 전지 모듈의 발전 영역과 마주하는 상기 투명 부재의 발전 영역 위에 더 위치하고,상기 복수의 가로부는 상기 발전 영역 중에서 상기 가로부와 인접한 태양전지 행의 모서리 영역에 중첩하는 태양 전지 모듈.
- 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,상기 복수의 태양 전지 각각은 복수의 집전부를 포함하고,상기 제1 반사 방지부는 상기 복수의 집전부와 중첩하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제11항에서,상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 연결되어 있는 태양 전지 모듈.
- 제11항에서,상기 복수의 보조 패턴부는 상기 가장자리부와 분리되어 있는 태양 전지 모듈.
- 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 투명 부재의 끝단까지 위치하는 태양 전지 모듈.
- 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,상기 복수의 태양 전지, 상기 보호막 및 상기 투명 부재를 수납하는 프레임을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제15항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 프레임과 상기 복수의 태양 전지와 마주하고 있는 상기 투명 부재의 내부면이 만나는 부분까지 위치하는 태양 전지 모듈.
- 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,상기 투명 부재는 상기 복수의 태양 전지와 마주하고 있는 상기 투명 부재의 내부면의 반대편에 위치하는 상기 투명 부재의 외부면 위에 위치하는 제2 반사 방지부를 더 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제17항에서,상기 제2 반사 방지부는 상기 투명 부재의 전체면에 위치하는 태양 전지 모듈.
- 제1항에서,상기 제1 반사 방지부는 행 방향으로 인접한 두 개의 태양전지 열 사이의 영역과 중첩하는 복수의 세로부를 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제19항에서상기 복수의 세로부 각각은 행 방향으로 인접한 두 태양전지간의 간격보다 큰 폭을 갖는 태양 전지 모듈.
- 제1항 또는 제19항에서,상기 제1 반사 방지부는 열 방향으로 인접한 두 개의 태양전지 행 사이의 영역과 중첩하는 복수의 가로부를 포함하는 태양 전지 모듈.
- 제19항에서상기 복수의 가로부 각각은 열 방향으로 인접한 두 태양전지간의 간격보다 큰 폭을 갖는 태양 전지 모듈.
- 복수의 태양 전지를 포함한 태양 전지 모듈에 장착되는 투명 부재에서,상기 투명 부재의 상부 및 하부 가장자리 부분 위에 위치하는 제1 가장자리부 상기 투명 부재의 좌측 및 우측 가장자리 부분 위에 위치하는 제2 가장자리부 중 적어도 하나를 구비한 제1 반사 방지부를 포함하는투명 부재.
- 삭제
- 삭제
- 제23항에서,상기 제1 반사 방지부가 상기 제1 가장자리부와 상기 제2 가장자리부를 구비할 경우, 상기 제1 반사 방지부는 사각 고리 형상을 갖는 투명 부재.
- 제23항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 제1 가장자리부와 연결되어 있고 세로 방향으로 뻗어 있는 복수의 세로부를 더 포함하는 투명 부재.
- 제27항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 제2 가장자리부와 연결되어 있고 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 가로부를 더 포함하는 투명 부재.
- 삭제
- 제23항 및 제26항 내지 제28항 중 어느 한 항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 투명 부재의 상기 제1 가장자리부와 상기 제2 가장자리부로 둘러싸인 영역 내에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함하는 투명 부재.
- 제30항에서,상기 복수의 보조 패턴부는 상기 제1 가장자리부 및 상기 제2 가장자리부와 분리되어 있는 투명 부재.
- 제30항에서,상기 복수의 보조 패턴부는 상기 제1 가장자리부 및 상기 제2 가장자리부와 연결되어 있는 투명 부재.
- 제23항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 제2 가장자리부와 나란하게 세로 방향으로 뻗어 있는 복수의 세로부를 포함하는 투명 부재.
- 제33항에서,상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 세로부 사이에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함하는 투명 부재.
- 제23항에서,상기 제1 반사 방지부는 상기 제1 가장자리부와 나란하게 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 가로부를 포함하는 투명 부재.
- 제35항에서,상기 제1 반사 방지부는 인접한 두 가로부 사이에 위치하는 복수의 보조 패턴부를 더 포함하는 투명 부재.
- 제23항 및 제26항 내지 제28항 중 어느 한 항에서,상기 투명 부재는 내부면의 반대편에 위치하는 외부면에 위치하는 제2 반사 방지부를 더 포함하는 투명 부재.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120094300A (ko) * | 2011-02-16 | 2012-08-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 |
| KR20140052216A (ko) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| KR20140109542A (ko) * | 2013-02-28 | 2014-09-16 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| KR20150083387A (ko) * | 2014-01-09 | 2015-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| US11271521B2 (en) | 2012-10-23 | 2022-03-08 | Lg Electronics Inc. | Solar cell module |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130118548A1 (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and methods for enhancing photovoltaic efficiency |
| KR101349554B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2014-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| KR101169562B1 (ko) | 2012-04-30 | 2012-07-27 | 전북대학교산학협력단 | Ｂｉｐｖ 태양광 모듈의 제조방법 |
| US9714756B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-07-25 | Morgan Solar Inc. | Illumination device |
| US9595627B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-14 | John Paul Morgan | Photovoltaic panel |
| US9960303B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-05-01 | Morgan Solar Inc. | Sunlight concentrating and harvesting device |
| CA2906109A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Morgan Solar Inc. | Light panel, optical assembly with improved interface and light panel with improved manufacturing tolerances |
| EP3104419B1 (en) * | 2014-02-06 | 2019-01-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module and solar cell module manufacturing method |
| US9991405B2 (en) * | 2014-02-28 | 2018-06-05 | Sunpower Corporation | Solar module with aligning encapsulant |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100192257B1 (ko) | 1991-12-31 | 1999-06-15 | 구자홍 | 태양전지 제조방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3472698A (en) * | 1967-05-18 | 1969-10-14 | Nasa | Silicon solar cell with cover glass bonded to cell by metal pattern |
| JPH05235396A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光装置 |
| JP2000031515A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Bridgestone Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2003124491A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| JP2003152202A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
| JP4540447B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| US20080289681A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-11-27 | Adriani Paul M | Structures for low cost, reliable solar modules |
-
2009
- 2009-12-29 KR KR1020090132326A patent/KR100993512B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-03 US US12/849,326 patent/US20110155210A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-16 EP EP10008525.7A patent/EP2341548B1/en active Active
- 2010-10-08 JP JP2010229028A patent/JP5571523B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100192257B1 (ko) | 1991-12-31 | 1999-06-15 | 구자홍 | 태양전지 제조방법 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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