JPS59219957A - ホトダイオ−ドアレイ - Google Patents
ホトダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS59219957A JPS59219957A JP58093954A JP9395483A JPS59219957A JP S59219957 A JPS59219957 A JP S59219957A JP 58093954 A JP58093954 A JP 58093954A JP 9395483 A JP9395483 A JP 9395483A JP S59219957 A JPS59219957 A JP S59219957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor region
- photodiode
- photodiode array
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光信号を電気信号に変換するホトダイオードア
レイに係シ、特に、分光器のスペクトル光を検出するホ
トダイオードアレイに関するものである。
レイに係シ、特に、分光器のスペクトル光を検出するホ
トダイオードアレイに関するものである。
ホトダイオードアレイ（以下１）ＤＡと記す）はその１
Ｌ能向上に伴って微弱光を検出する計測分野にも採用さ
れるようになってきた。
Ｌ能向上に伴って微弱光を検出する計測分野にも採用さ
れるようになってきた。
第１図は従来のＰＤＡの一般的な回路図である。
ＰＤＡＩはＭＯＳスイッチで構成された複数段からなる
シフトレジスタ２１〜２ｎと、このシフトレジスタの谷
出力端に接続されたアドレス用ＭＯＳスイッチ４１〜４
１％及びこのＭＯＳスイッチ４のソース端子に接読され
たホトダイオード３１ダ〜３Ｂの３要素が同一の半導体
基体（しＵえはシリコンチップ）上に形成されている。
シフトレジスタ２１〜２ｎと、このシフトレジスタの谷
出力端に接続されたアドレス用ＭＯＳスイッチ４１〜４
１％及びこのＭＯＳスイッチ４のソース端子に接読され
たホトダイオード３１ダ〜３Ｂの３要素が同一の半導体
基体（しＵえはシリコンチップ）上に形成されている。
５は信号の転送速ＩＬを決めるクロックパルス入力端子
、６は繰返し走査周期を決めるスタートパルス入力端子
、８は多段分のシフトレジスタ２の走丘終了パルス出力
端子、９はビデオ信号出力端子で４の谷ドレインを並列
接続した端子である。
、６は繰返し走査周期を決めるスタートパルス入力端子
、８は多段分のシフトレジスタ２の走丘終了パルス出力
端子、９はビデオ信号出力端子で４の谷ドレインを並列
接続した端子である。
１０はコモン端子で、ホトダイオード３のアドレス用Ｍ
ＯＳス・ｆフチ４に接続されない端子を並列接続してあ
り、これにはシフトレジスタ２のグランドライン７も接
続されている。
ＯＳス・ｆフチ４に接続されない端子を並列接続してあ
り、これにはシフトレジスタ２のグランドライン７も接
続されている。
第２図は従来のＰＤＡの外部増幅回路図で、第３図は従
来のＩ） Ｄ Ａの特定ピットのビデオ出力波形モデル
図である。１１１ｒｉビデオ増幅用のオペアンプ、１２
は負荷抵抗、１３は充゛１シ用のバイアス電源・、１４
は回路の接地”＋＋ｌｉｚ １５はフィードバック抵
抗で取流増幅度を決定するものである。寸だ、１６はＤ
Ｃ阻止谷）ＡをもつＤＣ阻止用コンデンザ＼１７はビデ
オアンプの出力１瑞子である。
来のＩ） Ｄ Ａの特定ピットのビデオ出力波形モデル
図である。１１１ｒｉビデオ増幅用のオペアンプ、１２
は負荷抵抗、１３は充゛１シ用のバイアス電源・、１４
は回路の接地”＋＋ｌｉｚ １５はフィードバック抵
抗で取流増幅度を決定するものである。寸だ、１６はＤ
Ｃ阻止谷）ＡをもつＤＣ阻止用コンデンザ＼１７はビデ
オアンプの出力１瑞子である。
このようにｉンγ成されたＰＤＡと外部増幅回路は、シ
フトレジスタ２が第１図の矢印方向に走査を行ってＸ
：ｉ片目のアドレススイッチ４□がオンしたときは、外
部回路から３８の並列谷；へ（図示されてない）に矢印
方向に充電電流が工λ荷抵抗１２を通って流れるので、
この変化隣ヲビデオ増幅用のオペアンプ１１で垢１幅す
る。この時オペアンプ１１の出力端にはビデオ出力ｒＪ
ｊ、圧ＡＣ成分とバイアス電圧ＤＣ成分の和の′電圧が
第３図の如く表われるので、これ−ｆ Ｄ Ｃｉｌｌ止
用コンデンサ１６で阻止してレベルＡを事実上の零電位
としている。
フトレジスタ２が第１図の矢印方向に走査を行ってＸ
：ｉ片目のアドレススイッチ４□がオンしたときは、外
部回路から３８の並列谷；へ（図示されてない）に矢印
方向に充電電流が工λ荷抵抗１２を通って流れるので、
この変化隣ヲビデオ増幅用のオペアンプ１１で垢１幅す
る。この時オペアンプ１１の出力端にはビデオ出力ｒＪ
ｊ、圧ＡＣ成分とバイアス電圧ＤＣ成分の和の′電圧が
第３図の如く表われるので、これ−ｆ Ｄ Ｃｉｌｌ止
用コンデンサ１６で阻止してレベルＡを事実上の零電位
としている。
しかしこの方法の欠点はオペアンプ１１のダイナミック
レンジがバイアス電圧分だけ狭くなることと、倣弱光入
射時にｔまビデオ出力゛電圧がレベルＡ以下（即ち負１
）Ｌ圧（ｔｉｌｌ ）になることもあるので、一般的な
ユニポーラ増幅ではカットオンされる恐れがあることで
ある。これを改善するためにオペアンプ１１の位相反転
入力側にキャンセル′ｃ諒を入れてＩ） Ｃｌｎ１止用
コンデンザ１６を省く方法もあるが、これは実用、、′
ユＩであるとはいえない。これを改善して現在一応の好
結果を実験的に求めているのが次のものである。
レンジがバイアス電圧分だけ狭くなることと、倣弱光入
射時にｔまビデオ出力゛電圧がレベルＡ以下（即ち負１
）Ｌ圧（ｔｉｌｌ ）になることもあるので、一般的な
ユニポーラ増幅ではカットオンされる恐れがあることで
ある。これを改善するためにオペアンプ１１の位相反転
入力側にキャンセル′ｃ諒を入れてＩ） Ｃｌｎ１止用
コンデンザ１６を省く方法もあるが、これは実用、、′
ユＩであるとはいえない。これを改善して現在一応の好
結果を実験的に求めているのが次のものである。
第４図は第２図の改良形である外部増幅回路図である。
第２図と同じ部分には同一符号を付しているが、負荷抵
抗１２とバイアス効果源１３との間に接地端１４を設定
してＤＣ阻止用コンデンサ１６を省略して完全なり Ｃ
ＪＷ幅を行っている。ビデオ出力の負電圧側への振幅に
対してはオペアンプ１１のオフセット電圧を若干正、ｚ
ＪＩＥ側へ設定しておくことで解決できる。
抗１２とバイアス効果源１３との間に接地端１４を設定
してＤＣ阻止用コンデンサ１６を省略して完全なり Ｃ
ＪＷ幅を行っている。ビデオ出力の負電圧側への振幅に
対してはオペアンプ１１のオフセット電圧を若干正、ｚ
ＪＩＥ側へ設定しておくことで解決できる。
しかるにこのような回路には微弱光検出の場合は次のよ
うな欠点をもっている。
うな欠点をもっている。
ｉｌ＋ コモン端子１０とｊ安地端１４との間にバイ
アス′亀源が４＞在しているので、シフトレジスタの入
力パルスはこの電圧を相殺するために負電圧にも振幅を
持つ第５１区（ｂ）のような負′電圧にも］辰幅をもつ
パルスとしなければならないので、回路は複雑となる。
アス′亀源が４＞在しているので、シフトレジスタの入
力パルスはこの電圧を相殺するために負電圧にも振幅を
持つ第５１区（ｂ）のような負′電圧にも］辰幅をもつ
パルスとしなければならないので、回路は複雑となる。
（２） コモン端子１０に電圧が印加されることでシ
フトレジスタのしきい値が基板のバイアス効果により素
子の設計値からずれるだめの動作マージノが不足する。
フトレジスタのしきい値が基板のバイアス効果により素
子の設計値からずれるだめの動作マージノが不足する。
このような欠点分もつ−Ｃいるのでその実用化を困＋’
、：’＋ｂなもの−とじていン゛こ。
、：’＋ｂなもの−とじていン゛こ。
本発明は」−記従米技術の欠点を屏ｃ′１→し、比較的
簡単な回ｌｌ１１１」二の改善によってず仄弱光検出時
においてもダイナミックレンジが狭くなることも負電圧
１１ｉ１１がカットオンされることもない信頼性あるホ
トダイオードアレイをＪ是自しすることを目的とする。
簡単な回ｌｌ１１１」二の改善によってず仄弱光検出時
においてもダイナミックレンジが狭くなることも負電圧
１１ｉ１１がカットオンされることもない信頼性あるホ
トダイオードアレイをＪ是自しすることを目的とする。
し発明の概要〕
本発明の特徴とするところケよ、ホトダイオード列と止
片回路とを子？Ｊｆ体基体とは反対の４成性を有する各
々の分１９１Ｆ拡散領域内に形成し、この分離拡故頑域
の少なくとも一方を半ぐｔ体基体に対して逆バイアス状
、憾とすると共に、ホトダイオードのアドレス用スイッ
チに１２２Ａノじされない枦１］の共通ライン用端子と
して分ｖ１□Ｌ拡散領域内に走査回路用のグランド市原
とは独立にオーミック接続屯１函を設けて成成しだこと
にある。
片回路とを子？Ｊｆ体基体とは反対の４成性を有する各
々の分１９１Ｆ拡散領域内に形成し、この分離拡故頑域
の少なくとも一方を半ぐｔ体基体に対して逆バイアス状
、憾とすると共に、ホトダイオードのアドレス用スイッ
チに１２２Ａノじされない枦１］の共通ライン用端子と
して分ｖ１□Ｌ拡散領域内に走査回路用のグランド市原
とは独立にオーミック接続屯１函を設けて成成しだこと
にある。
即ち、足前回路のグランドとホトダイオードの共通２イ
ンが半導体主基体で共通となっていることが欠点の主原
因となっていることに着目し、ホトダイオード列と走査
回路とを夫々の分離拡散層領域（ＷＥＬＬ拡散４と通称
されている）に形成すると共に、半導体主基体とＷＥＬ
Ｌ領域とは逆ノくイアスすることにより電気的に絶縁状
態に１なき、ホトダイオード列の共通ライン（アノード
或いはカソード）を走査回路のグランドとは独立して半
導体主基体を介さずに外部へ取り出すことにより、ビデ
オ出力信号のＤＣ増幅を容易にしたことである。
ンが半導体主基体で共通となっていることが欠点の主原
因となっていることに着目し、ホトダイオード列と走査
回路とを夫々の分離拡散層領域（ＷＥＬＬ拡散４と通称
されている）に形成すると共に、半導体主基体とＷＥＬ
Ｌ領域とは逆ノくイアスすることにより電気的に絶縁状
態に１なき、ホトダイオード列の共通ライン（アノード
或いはカソード）を走査回路のグランドとは独立して半
導体主基体を介さずに外部へ取り出すことにより、ビデ
オ出力信号のＤＣ増幅を容易にしたことである。
第６図ｉ本発明の一実施例であるＰＤＡの回路図で、第
１図と同じ部分には同一符号を付しである。第１図と異
なる所はホトダイオード列３の共通ライン１０をシフト
レジスタ２のグランドライン１９から分離したことであ
る。しかし従来のＰＤＡではこれらが主基体で同゛屯位
となってしまうため分離できなかった。また、微弱光検
出を行なわないのであればその必要もなかった。そのた
めに本実ＪＡ同では次の構造をもつ素子を使用した。
１図と同じ部分には同一符号を付しである。第１図と異
なる所はホトダイオード列３の共通ライン１０をシフト
レジスタ２のグランドライン１９から分離したことであ
る。しかし従来のＰＤＡではこれらが主基体で同゛屯位
となってしまうため分離できなかった。また、微弱光検
出を行なわないのであればその必要もなかった。そのた
めに本実ＪＡ同では次の構造をもつ素子を使用した。
第７図は第６図のＰＤＡの１段分の素子構造を示す１％
面図である。ホトダイオードは紙面と垂直な方向に複数
個配列してあシ、シフトレジスタは図の右方に設置され
ているが説明が繁雑となるので図示していない。図にお
いて、２０け１対の主表面３３と３４ｆ：有するｎ型の
高比抵抗の半導体基体で、ここにＰ型の導電性を有する
第゛２の半導体領域（ＷＥＬＬ拡散領域）２１．２２と
、第２の半４体領域内に表面を露出させるように埋設さ
れた低比抵抗Ｎ型導電性を有する第３の半導体領域（受
光面拡散領域）２３と、第３の領域に隣接して同様に埋
設された第４の半導体領域（ドレイン拡散領域）２４と
、第２の領域内の適当な位置に同様に埋設された低比抵
抗Ｐ型心電性を有する第５の半導体・領域２５とから構
成されている。
面図である。ホトダイオードは紙面と垂直な方向に複数
個配列してあシ、シフトレジスタは図の右方に設置され
ているが説明が繁雑となるので図示していない。図にお
いて、２０け１対の主表面３３と３４ｆ：有するｎ型の
高比抵抗の半導体基体で、ここにＰ型の導電性を有する
第゛２の半導体領域（ＷＥＬＬ拡散領域）２１．２２と
、第２の半４体領域内に表面を露出させるように埋設さ
れた低比抵抗Ｎ型導電性を有する第３の半導体領域（受
光面拡散領域）２３と、第３の領域に隣接して同様に埋
設された第４の半導体領域（ドレイン拡散領域）２４と
、第２の領域内の適当な位置に同様に埋設された低比抵
抗Ｐ型心電性を有する第５の半導体・領域２５とから構
成されている。
一方の主表面３３の第３の半導体領域の露出する部分が
受光面であり、３０は第４の半導体領域の露出面にオー
・ミンク接触した第１の電極、３１は第５の半導体領域
２５の露出面にオーミック接触した第２の電、唾、３２
は他方の主表面３４にオーミック接触した第３の電極、
２７は一方の主表面３３の第１．第２の電極３０．３１
の接触場所を除く部分を被覆する第１のシリコン酸化膜
で、能動領域のみ膜厚を薄くしである。まだ、２６は上
記第１のシリコン酸化＄２７を介して第３の半導体領域
２３と第４の半導体領域２４の隙間を橋渡しする導電膜
で、これは例えばポリシリコンであり、第１の電極３０
と接触することなく紙面右方に設けられたシフトレジス
タ回路の出力ラインと接続している。なお、第２のシリ
コン酸化膜２８は第１電極３０、第２の電；＋ｉ＜３ｉ
の接触箇所を除く部分を被覆するものである。
受光面であり、３０は第４の半導体領域の露出面にオー
・ミンク接触した第１の電極、３１は第５の半導体領域
２５の露出面にオーミック接触した第２の電、唾、３２
は他方の主表面３４にオーミック接触した第３の電極、
２７は一方の主表面３３の第１．第２の電極３０．３１
の接触場所を除く部分を被覆する第１のシリコン酸化膜
で、能動領域のみ膜厚を薄くしである。まだ、２６は上
記第１のシリコン酸化＄２７を介して第３の半導体領域
２３と第４の半導体領域２４の隙間を橋渡しする導電膜
で、これは例えばポリシリコンであり、第１の電極３０
と接触することなく紙面右方に設けられたシフトレジス
タ回路の出力ラインと接続している。なお、第２のシリ
コン酸化膜２８は第１電極３０、第２の電；＋ｉ＜３ｉ
の接触箇所を除く部分を被覆するものである。
ホトダイオード用の第２の半導体領域２工とシフトトラ
ンジスタ用の第２の半導体領域２２とは夫々の分離拡散
低域で、第２の半導体領域２２は第３の電極３２を介し
てシフトレジスタ回路の電源電圧と同電位にすることに
よシミ気的絶縁状態に置かれる。また、導電膜２６はア
ドレス用ＭＯＳスイッチ４のゲート端子であシ、第３の
半導体領域２３の一部がソース電極、第４の半導体領域
２４がドレイン％ ４Ｍで、第１の電極３０が各アイド
ルスイッチのトレイン電極と接触をとシ、ビデオ出力ラ
インとしてホトダイオード３の信号を引出す。第２の電
極３１は第２の半導体領域２１がホトダイオードのアノ
ード領域であるので、これを外部へ引出すためのライン
となっている。
ンジスタ用の第２の半導体領域２２とは夫々の分離拡散
低域で、第２の半導体領域２２は第３の電極３２を介し
てシフトレジスタ回路の電源電圧と同電位にすることに
よシミ気的絶縁状態に置かれる。また、導電膜２６はア
ドレス用ＭＯＳスイッチ４のゲート端子であシ、第３の
半導体領域２３の一部がソース電極、第４の半導体領域
２４がドレイン％ ４Ｍで、第１の電極３０が各アイド
ルスイッチのトレイン電極と接触をとシ、ビデオ出力ラ
インとしてホトダイオード３の信号を引出す。第２の電
極３１は第２の半導体領域２１がホトダイオードのアノ
ード領域であるので、これを外部へ引出すためのライン
となっている。
上記ＰＤＡの外部回路として前記第４図の回路を用いた
場合は、ホトダイオードの共通ライン１０にバイアス電
源１３の電圧を印加してもシフトレジスタ２とは回路的
に分離されているので何等不都合は生じない。また、シ
フトレジスタ２を駆動するパルスも第５図（ａ）の如く
正側になっているので、その駆動回路は簡単なものでよ
いことになる。
場合は、ホトダイオードの共通ライン１０にバイアス電
源１３の電圧を印加してもシフトレジスタ２とは回路的
に分離されているので何等不都合は生じない。また、シ
フトレジスタ２を駆動するパルスも第５図（ａ）の如く
正側になっているので、その駆動回路は簡単なものでよ
いことになる。
本実施例のＰＤＡは、ホトダイオード列と走査回路をそ
れぞれの分離拡散層領域に形成すると共に、半導体主基
体とＷＥＬＬ領域とは逆バイアスすることによシミ気的
に絶縁状態に置き、ホトダイオード列の共通ラインを走
査回路のグランドとは独立して半導体主基体を介さず外
部へ取り出すことによシ、ビデオ出力信号用のり、Ｃ増
幅を容易することができるという効果が得られる。
れぞれの分離拡散層領域に形成すると共に、半導体主基
体とＷＥＬＬ領域とは逆バイアスすることによシミ気的
に絶縁状態に置き、ホトダイオード列の共通ラインを走
査回路のグランドとは独立して半導体主基体を介さず外
部へ取り出すことによシ、ビデオ出力信号用のり、Ｃ増
幅を容易することができるという効果が得られる。
上記実施例はＮチャンネルＭＯ８）ランジスタで構成さ
れたＰＤＡについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｐチャンネルのものでも適用できる。また、
ＣＣＤタイプのＰＤＡでも同様な効果が期待できる。更
に、第７図の説明ではホトダイオードとシフトレジスタ
の両方の分離拡散領域を基体に対して逆バイアスすると
したが、場合によってはホトダイオード側の領域は逆バ
イアスしなくとも効果は得られる。
れたＰＤＡについて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、Ｐチャンネルのものでも適用できる。また、
ＣＣＤタイプのＰＤＡでも同様な効果が期待できる。更
に、第７図の説明ではホトダイオードとシフトレジスタ
の両方の分離拡散領域を基体に対して逆バイアスすると
したが、場合によってはホトダイオード側の領域は逆バ
イアスしなくとも効果は得られる。
本発明のホトダイオードアレイは、微弱光検出時におい
ても信頼性ある測定値が得られるという効果が得られる
。
ても信頼性ある測定値が得られるという効果が得られる
。
第１図は従来のＰＤＡの一般的な回路図、第２図は従来
のＰＤＡの外部増幅回路図、第３図は従来のＰＤＡの特
定ピットのビデオ出力波形モデル図、第４図は第２図の
改良形である外部増幅回路図、第５図はシフトレジスタ
駆動パルスの電圧据幅比較図、第６図は本発明の一実施
例であるＰＤＡの回路図、第７図は第６図のＰＤＡの１
段分の素子構造を示す断面図である。
のＰＤＡの外部増幅回路図、第３図は従来のＰＤＡの特
定ピットのビデオ出力波形モデル図、第４図は第２図の
改良形である外部増幅回路図、第５図はシフトレジスタ
駆動パルスの電圧据幅比較図、第６図は本発明の一実施
例であるＰＤＡの回路図、第７図は第６図のＰＤＡの１
段分の素子構造を示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個のホトダイオードからなるホトダイオード列
と、上記ホトダイオードに夫々接続する複数個のアドレ
ス用スイッチと、このアドレス用スイッチを時系列的に
接続させるための走査回路とを同一の半導体基体上に形
成したホトダイオードアレイにおいて、上記ホトダイオ
ード列と上記走査回路とを上記半導体基体とは反対の導
電性を有する各々の分９２拡故領域内に形成し、この分
離拡散領域の少なくとも一方を上記半導体基体に対して
逆バイアス状態とすると共に、上記ホトダイオードのア
ドレス用スイッチに接続されない側の共通ライン用端子
として上記分離拡散領域内に走査回路用グランド電極と
は独立にオーミック接触電極を設けてなることを特徴と
するホトダイオードアレイ。 ２、上記逆バイアス状態が、ビデオ信号出力端子と接地
端の間に負荷抵抗を接続し、かつ、ホトダイオード列共
通ライン端子と上記接地端の間にホトダイオードに対し
て逆バイアスを与える直流車圧を印加してビデオ出力信
号を得る状態である特許請求の範囲第１項記載のホトダ
イオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093954A JPS59219957A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | ホトダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093954A JPS59219957A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | ホトダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59219957A true JPS59219957A (ja) | 1984-12-11 |
Family
ID=14096817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58093954A Pending JPS59219957A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | ホトダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59219957A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5332919A (en) * | 1992-02-24 | 1994-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodetector with surrounding region |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP58093954A patent/JPS59219957A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5332919A (en) * | 1992-02-24 | 1994-07-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodetector with surrounding region |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5023688A (en) | Transfer gate with the improved cut-off characteristic | |
| JP2666928B2 (ja) | 電荷転送素子の出力検出器 | |
| JP4295740B2 (ja) | 電荷結合素子型イメージセンサ | |
| US4949142A (en) | Integrated N-channel power MOS bridge circuit | |
| US4712124A (en) | Complementary lateral insulated gate rectifiers with matched "on" resistances | |
| JPH084136B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPS6349908B2 (ja) | ||
| JP3049360B2 (ja) | 集積回路 | |
| US6489658B2 (en) | MOS-transistor for a photo cell | |
| JPS59219957A (ja) | ホトダイオ−ドアレイ | |
| JPH07106553A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS5937585B2 (ja) | 相補性ｍｉｓ論理回路 | |
| JPH04133336A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPH08330573A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP2870467B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| US6191440B1 (en) | Charge transfer device with improved charge detection sensitivity | |
| JPH0453104B2 (ja) | ||
| JP3080184B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPH0576770B2 (ja) | ||
| JPS6286880A (ja) | 磁電変換素子 | |
| JP2668542B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61256819A (ja) | 電圧検出回路 | |
| JPH0453103B2 (ja) | ||
| JPH11135772A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR970053257A (ko) | 과온도 검출 회로 및 그 반도체 장치 |