JPS6286880A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
- Publication number
- JPS6286880A JPS6286880A JP60228251A JP22825185A JPS6286880A JP S6286880 A JPS6286880 A JP S6286880A JP 60228251 A JP60228251 A JP 60228251A JP 22825185 A JP22825185 A JP 22825185A JP S6286880 A JPS6286880 A JP S6286880A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- electrodes
- regions
- conductivity type
- boundary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、一つの半導体基板の中にホール素子および
その出力電圧を増幅する電界効果トランジスタを形成し
た磁電変換素子に関するものである。
その出力電圧を増幅する電界効果トランジスタを形成し
た磁電変換素子に関するものである。
第２図に従来の磁電変換素子の一つのホール素子の一例
を示す。
を示す。
長方形状のＮ導電型かＰ導電型の半導体基板１の一部の
対応する辺にそれぞれ入力電極２ａ。
対応する辺にそれぞれ入力電極２ａ。
２ｂが設けられ、他方の対応する辺にそれぞれ出力電極
３ａ、３ｂが設けられて構成されている。
３ａ、３ｂが設けられて構成されている。
入力電極２ａ、２ｂ間に電流を流しておくと。
面に垂直な方向に磁界Ｂが加わったときは、ホール効果
によって出力電極３ａ、３ｂ間に電圧が界Ｂに変換した
ある物理量を検出することができろ。
によって出力電極３ａ、３ｂ間に電圧が界Ｂに変換した
ある物理量を検出することができろ。
従来のホール素子は以上のように構成されていて、消費
電力に比べて極めて微小な電圧しか発生させることがで
きず、かつ、電流を取り出すことができないという問題
があった。
電力に比べて極めて微小な電圧しか発生させることがで
きず、かつ、電流を取り出すことができないという問題
があった。
この発明は、上記の問題を解消するためになされたもの
で、従来のものに比べ電力の消費が少なく、かつ電流を
取り出すことができる磁電変換素子を提供することを目
的とする。
で、従来のものに比べ電力の消費が少なく、かつ電流を
取り出すことができる磁電変換素子を提供することを目
的とする。
〔問題を解決するための手段１
この発明に係る磁電変換素子は、一つの半導体基板の中
にＰ導電型かＮ導電型の第１の領域と第１の領域を狭む
第１の領域と逆の導電型の第２．第３の領域を形成し、
第１の領域と第２の 第３の領域の境界上中央部に電極を、他の部分に第１の
領域と第２．第３の領域を電気的に隔離する絶縁層を設
け、第２．第３の領域にそれぞれ垂直方向に磁界が加わ
ると第１の領域との境界の中央部に設けた電極に電圧が
加わるホール素子を形成し、第１の領域に第２．第３の
領域との境界の中央部に設けた電極に加わる電圧を増幅
する電界効果トランジスタを形成したものである。
にＰ導電型かＮ導電型の第１の領域と第１の領域を狭む
第１の領域と逆の導電型の第２．第３の領域を形成し、
第１の領域と第２の 第３の領域の境界上中央部に電極を、他の部分に第１の
領域と第２．第３の領域を電気的に隔離する絶縁層を設
け、第２．第３の領域にそれぞれ垂直方向に磁界が加わ
ると第１の領域との境界の中央部に設けた電極に電圧が
加わるホール素子を形成し、第１の領域に第２．第３の
領域との境界の中央部に設けた電極に加わる電圧を増幅
する電界効果トランジスタを形成したものである。
〔発明の実施例〕
第１図にこの発明の一実施例を示す。
一つの半導体基板にＰ導電型かＮ導電型の第１の領域１
１と第１の領域１１を挾む第１の領域と逆の導電型の第
２．第３の領域１２．１３を形成する。第１の領域１１
と第２．第３の領域１２．１３の境界の中央部に電極１
４ ａ 、 １４ ｈを設け、境界の他の部分には第１
の領域１１と第２．第３の領域１２１３を電気的に隔離
する絶縁層１５ ａ 、 １５ ｂを設ける、第２．第
３の領域１２．１３にそれぞれ絶縁層１５ａｌ１５ｂに
平行に電流を流すための入力電極１６ａｌ。
１と第１の領域１１を挾む第１の領域と逆の導電型の第
２．第３の領域１２．１３を形成する。第１の領域１１
と第２．第３の領域１２．１３の境界の中央部に電極１
４ ａ 、 １４ ｈを設け、境界の他の部分には第１
の領域１１と第２．第３の領域１２１３を電気的に隔離
する絶縁層１５ ａ 、 １５ ｂを設ける、第２．第
３の領域１２．１３にそれぞれ絶縁層１５ａｌ１５ｂに
平行に電流を流すための入力電極１６ａｌ。
１６ａ ！、 １６ｂ＋ 、 １６ｂｔと電極１４ａ、
１４ｔ）に対応する電極１７ａ、 １７ｂを設ける。
１４ｔ）に対応する電極１７ａ、 １７ｂを設ける。
第１の領域１１の対応する辺に電極１８ａ、 １８ｂを
設け、第１の領域１１に電極１４ａ、 １４ｂをゲート
電極とする接合型かあるいは絶縁ゲート型の電界効果ト
ランジスタを形成する。
設け、第１の領域１１に電極１４ａ、 １４ｂをゲート
電極とする接合型かあるいは絶縁ゲート型の電界効果ト
ランジスタを形成する。
入力電極１６３皿と入力電ｔｉ１６ｂｚを接続し、入力
電極１６ａ２と入力電極１６ｂ２を接続し、第２の領域
１２と第３の領域１３を流れる電流の方向が逆方向に構
成する。
電極１６ａ２と入力電極１６ｂ２を接続し、第２の領域
１２と第３の領域１３を流れる電流の方向が逆方向に構
成する。
第２．第３の領域１２．１３の面に垂直に磁界Ｂが加わ
ると、ホール効果によって電極１４ａ、１４ｂに電圧が
印加される。電極１４ａ、 １４ｂに印加された電圧は
第１の領域１１に形成した電界効果トランジスタによっ
て増幅される。
ると、ホール効果によって電極１４ａ、１４ｂに電圧が
印加される。電極１４ａ、 １４ｂに印加された電圧は
第１の領域１１に形成した電界効果トランジスタによっ
て増幅される。
したがって第２．第３の領域１２．１３に流す電流が小
さくても、磁界Ｂあるいは磁界Ｂに変換された物理量を
充分検出できる出力を得ることができる。
さくても、磁界Ｂあるいは磁界Ｂに変換された物理量を
充分検出できる出力を得ることができる。
また、出力は電界効果トランジスタから得るので、電流
として取り出しても、ホール効果に影響を及ぼすことが
ない。
として取り出しても、ホール効果に影響を及ぼすことが
ない。
以上のとおり、この発明によれば、従来のものに比べ消
費電力を少なくすることができ、出力として電流を取り
出すことができることとなり、実用上の効果が犬である
。
費電力を少なくすることができ、出力として電流を取り
出すことができることとなり、実用上の効果が犬である
。
第１図はこの発明の一実施例を示す説明図。
第２図は従来の磁電変換素子の一つのホール素子の一例
を示す説明図である。 １１・・・第１の領域、１２・・・第２の領域、１３・
・・第３の領域、 １４ａ、 １４ｂ、 １７ａ、 １
７ｂ、 １８ａ、 １８ｂ−電極。 １５ａ、 １５ｂ −−・絶縁層、 １６ａ ＋、 １
６ａ ｚ、 １６ｂ ｔ＋ １６ｂ ２−人力電極。
を示す説明図である。 １１・・・第１の領域、１２・・・第２の領域、１３・
・・第３の領域、 １４ａ、 １４ｂ、 １７ａ、 １
７ｂ、 １８ａ、 １８ｂ−電極。 １５ａ、 １５ｂ −−・絶縁層、 １６ａ ＋、 １
６ａ ｚ、 １６ｂ ｔ＋ １６ｂ ２−人力電極。
Claims (1)
- 一つの半導体基板の中にＰ導電型かＮ導電型の第１の領
域と該第一の領域を狭む該第１の領域と逆の導電型の第
２、第３の領域を形成し、前記第１の領域と前記第２、
第３の領域の境界の中央部に電極を、他の部分に前記第
１の領域と前記第２、第３の領域を電気的に隔離する絶
縁層を設け、前記第２、第３の領域にそれぞれ垂直方向
に磁界が加わると前記第１の領域との境界の中央部に設
けた電極に電圧が加わるホール素子を形成し、前記第１
の領域に前記第２、第３の領域との境界の中央部に設け
た電極に加わる電圧を増幅する電界効果トランジスタを
形成したことを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228251A JPS6286880A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228251A JPS6286880A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286880A true JPS6286880A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16873534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60228251A Pending JPS6286880A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286880A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180419B1 (en) * | 1996-09-19 | 2001-01-30 | National Science Council | Method of manufacturing magnetic field transducer with improved sensitivity by plating a magnetic film on the back of the substrate |
| BE1017875A5 (fr) * | 2006-01-13 | 2009-10-06 | Denso Corp | Capteur magnetique et procede pour detecter un champ magnetique. |
| JP2010175525A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体磁気センサー |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60228251A patent/JPS6286880A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180419B1 (en) * | 1996-09-19 | 2001-01-30 | National Science Council | Method of manufacturing magnetic field transducer with improved sensitivity by plating a magnetic film on the back of the substrate |
| BE1017875A5 (fr) * | 2006-01-13 | 2009-10-06 | Denso Corp | Capteur magnetique et procede pour detecter un champ magnetique. |
| JP2010175525A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体磁気センサー |
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