JPS63244860A - 超高速半導体装置 - Google Patents
超高速半導体装置Info
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- JPS63244860A JPS63244860A JP62080030A JP8003087A JPS63244860A JP S63244860 A JPS63244860 A JP S63244860A JP 62080030 A JP62080030 A JP 62080030A JP 8003087 A JP8003087 A JP 8003087A JP S63244860 A JPS63244860 A JP S63244860A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- semiconductor device
- wirings
- extra
- oxide superconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910003808 Sr-Cu Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超高速半導体装置に関し、特に超高感度セ
ンサに関するものである。
ンサに関するものである。
従来のｐｂ系、Ｎｉ系の超電導体を用いた超高感度磁気
センサとして、５ＱＵＩＤ（量子干渉素子）が知られて
いる。しかし、この５Ｑｔｌｌ口は、４．２に等の橿低
温状態に維持する必要があるため、高度の冷却技術を要
するとともに、センサとしての出力信号が小さいため、
Ｓ／Ｎが悪い欠点があった。
センサとして、５ＱＵＩＤ（量子干渉素子）が知られて
いる。しかし、この５Ｑｔｌｌ口は、４．２に等の橿低
温状態に維持する必要があるため、高度の冷却技術を要
するとともに、センサとしての出力信号が小さいため、
Ｓ／Ｎが悪い欠点があった。
前記の問題点を解決するために、この発明は、半導体基
板の上に酸化物超電導体からなる電極及び結線を形成し
、これらによってセンサ、能動素子及び受動素子を電気
的に結合した構成としたものである。
板の上に酸化物超電導体からなる電極及び結線を形成し
、これらによってセンサ、能動素子及び受動素子を電気
的に結合した構成としたものである。
酸化物超電導体を用いることにより、常温又は従来に比
べて比較的高温で、わずかな冷却装置によって達成でき
る程度の低温により、超高感度センサが実現できる。
べて比較的高温で、わずかな冷却装置によって達成でき
る程度の低温により、超高感度センサが実現できる。
図面は、５ＱＵＡＤの一例であり、半導体基板１上に能
動素子部２、受動素子部３及びセンサ部４を形成し、こ
れら各部相互を電極及び結線５により、電気的に結合し
ている。
動素子部２、受動素子部３及びセンサ部４を形成し、こ
れら各部相互を電極及び結線５により、電気的に結合し
ている。
これらの電極及び結線５として、この発明においては、
例えばＬａ−３ｒ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導体を用い
、これを薄膜形成する。
例えばＬａ−３ｒ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導体を用い
、これを薄膜形成する。
なお、能動素子部２によりプリアンプを構成する。
以上のように、この発明は酸化物超電導体からなる電極
及び結線を用いることにより、臨界温度が高くなり、わ
ずかな冷却を行なうか、又は冷却を行なうことなく、超
高速、超高感度の半導体装室を実現することができる。
及び結線を用いることにより、臨界温度が高くなり、わ
ずかな冷却を行なうか、又は冷却を行なうことなく、超
高速、超高感度の半導体装室を実現することができる。
また、能動素子によりプリアンプを構成することにより
、Ｓ／Ｎを向上することもできる。
、Ｓ／Ｎを向上することもできる。
図面は実施例の斜視図である。
１・・・・・・基板、２・・・・・・能動素子部、３・
・・・・・受動素子部、４・・・・・・センサ、５・・
・・・・電極及び結線。
・・・・・受動素子部、４・・・・・・センサ、５・・
・・・・電極及び結線。
Claims (3)
- （１）半導体基板の上に、酸化物超電導体からなる電極
及び結線を形成し、これらによってセンサ、能動素子及
び受動素子を電気的に結合したことを特徴とする超高速
半導体装置。 - （２）上記の酸化物超電導体として、Ｌａ−Ｓｒ−Ｃｕ
−Ｏ系のセラミックスを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超高速半導体装置。 - （３）上記の半導体装置が全体として超高感度磁気セン
サを構成することを特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項に記載の超高速半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080030A JPS63244860A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080030A JPS63244860A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244860A true JPS63244860A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13706871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080030A Pending JPS63244860A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 超高速半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041415A (en) * | 1989-02-16 | 1991-08-20 | Bell Communications Research, Inc. | Superconducting noise discriminator |
| US5221660A (en) * | 1987-12-25 | 1993-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080030A patent/JPS63244860A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221660A (en) * | 1987-12-25 | 1993-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US5041415A (en) * | 1989-02-16 | 1991-08-20 | Bell Communications Research, Inc. | Superconducting noise discriminator |
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