JPH01290271A - ジョセフソン トランジスタ - Google Patents
ジョセフソン トランジスタInfo
- Publication number
- JPH01290271A JPH01290271A JP63120893A JP12089388A JPH01290271A JP H01290271 A JPH01290271 A JP H01290271A JP 63120893 A JP63120893 A JP 63120893A JP 12089388 A JP12089388 A JP 12089388A JP H01290271 A JPH01290271 A JP H01290271A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- electrode
- microbridge
- josephson
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/128—Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は超電導体膜を用いた３端子素子に関し、とりわ
けマイクロブリッジ構造を有するジョセフソン トラン
ジスタ構造に関する。
けマイクロブリッジ構造を有するジョセフソン トラン
ジスタ構造に関する。
［従来の技術］
従来、マイクロブリッジ型のジョセフソン素子としては
２端子素子としてのジョセフソン グイオードがあった
。
２端子素子としてのジョセフソン グイオードがあった
。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、ジョセフソントランジ
スタとしての３端子素子は形成できないと言う課題があ
った。
スタとしての３端子素子は形成できないと言う課題があ
った。
本発明は、かかる従来技術の課題をなくし、ジョセフソ
ン トランジスタを提供する事を目的とする。
ン トランジスタを提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明はジョセフソン ト
ランジスタに関し、マイクロブリッジ部には電子注入電
極を具備した３端子素子構造となす手段をとる。
ランジスタに関し、マイクロブリッジ部には電子注入電
極を具備した３端子素子構造となす手段をとる。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すジョセフソントランジ
スタの構造図である。すなわち、ＭｇＱ、Ｔｉ５ｒＯｉ
等から成る絶縁基板１の表面にはＹ＋Ｂａ２Ｃｕ３０を
等から成る超電導体膜によるパッド部３．３′、超電導
体膜配線電極２及びマイクロブリッジ部４が形成され、
更にその表面にはＳｉＯｘ膜等から成る絶縁１ｌ１８が
形成され、前記パッド部３．３′上には前記絶縁Ｉｌｌ
［８を介して設けられたコンタクト穴を通してＡｇパッ
ド６及び６′が形成され、前記マイクロブリッジ４上に
は５ｉｎ−ｔｉｌｌ等から成るトンネル膜５が形成され
、該トンネル膜上にはＡｎ電極７が形成されて成る。但
し、Ａ℃電極７は超電導体膜であっても良く、又、前記
トンネル１１１５は必ずしも必要とするものではない。
スタの構造図である。すなわち、ＭｇＱ、Ｔｉ５ｒＯｉ
等から成る絶縁基板１の表面にはＹ＋Ｂａ２Ｃｕ３０を
等から成る超電導体膜によるパッド部３．３′、超電導
体膜配線電極２及びマイクロブリッジ部４が形成され、
更にその表面にはＳｉＯｘ膜等から成る絶縁１ｌ１８が
形成され、前記パッド部３．３′上には前記絶縁Ｉｌｌ
［８を介して設けられたコンタクト穴を通してＡｇパッ
ド６及び６′が形成され、前記マイクロブリッジ４上に
は５ｉｎ−ｔｉｌｌ等から成るトンネル膜５が形成され
、該トンネル膜上にはＡｎ電極７が形成されて成る。但
し、Ａ℃電極７は超電導体膜であっても良く、又、前記
トンネル１１１５は必ずしも必要とするものではない。
本発明によるトランジスタの動作は、例えばＡｇバッド
６からパッド部３を通し、更に超電導膜配線電極２を通
してマイクロブリッジ部４に於て流れるトンネル電流に
対し、ＡＪ２電極７から注入するトンネル電流を制御し
て流す事により、パッド部３′を介してＡｇパッド６′
へ出力する電流をオン・オフするスイッチ作用をなさせ
る訳であり、オン・オフの電位差は、マイクロブリッジ
部４及びＡ０電極７やトンネル膜５部等の構造にもよる
が、５０ｍＶ程度の利得（オン・オフ比でも５部程度）
は得られる３端子素子が得られることとなる。
６からパッド部３を通し、更に超電導膜配線電極２を通
してマイクロブリッジ部４に於て流れるトンネル電流に
対し、ＡＪ２電極７から注入するトンネル電流を制御し
て流す事により、パッド部３′を介してＡｇパッド６′
へ出力する電流をオン・オフするスイッチ作用をなさせ
る訳であり、オン・オフの電位差は、マイクロブリッジ
部４及びＡ０電極７やトンネル膜５部等の構造にもよる
が、５０ｍＶ程度の利得（オン・オフ比でも５部程度）
は得られる３端子素子が得られることとなる。
本発明によりジョセフソン効果を用いた３端子素子であ
るトランジスタが形成できる効果がある。
るトランジスタが形成できる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示すジョセ
フソン トランジスタの断面図である。 １・・・・・絶縁基板 ２・・・・・超電導体膜配線電極 ３．３′ ・ ・パッド部 ４・・・・・マイクロブリッジ部 ５・・・・・トンネル膜 ６．６′ ・・Ａｇパッド ７・・・・・Ａ℃電極 ８・・・・・絶縁膜 以上
フソン トランジスタの断面図である。 １・・・・・絶縁基板 ２・・・・・超電導体膜配線電極 ３．３′ ・ ・パッド部 ４・・・・・マイクロブリッジ部 ５・・・・・トンネル膜 ６．６′ ・・Ａｇパッド ７・・・・・Ａ℃電極 ８・・・・・絶縁膜 以上
Claims (1)
- マイクロブリッジ部には電子注入電極を具備せる事を
特徴とする三端子素子から成る事を特徴とするジョセフ
ソントランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63120893A JPH01290271A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | ジョセフソン トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63120893A JPH01290271A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | ジョセフソン トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290271A true JPH01290271A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14797597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63120893A Pending JPH01290271A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | ジョセフソン トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01290271A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239187A (en) * | 1991-03-15 | 1993-08-24 | Thomson-Csf | Josephson effect semiconductor device with channel layers of semiconductor and superconductor materials |
| NL1007048C2 (nl) * | 1997-09-17 | 1999-03-18 | Stichting Fund Ond Material | Supergeleidend element voor een micro-elektronische schakeling. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160675A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 準粒子注入型超電導素子 |
| JPS6288381A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-22 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 超導電性スイツチング装置 |
| JPH01276680A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Sony Corp | 超電導トランジスタ |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63120893A patent/JPH01290271A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160675A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 準粒子注入型超電導素子 |
| JPS6288381A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-22 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 超導電性スイツチング装置 |
| JPH01276680A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Sony Corp | 超電導トランジスタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239187A (en) * | 1991-03-15 | 1993-08-24 | Thomson-Csf | Josephson effect semiconductor device with channel layers of semiconductor and superconductor materials |
| NL1007048C2 (nl) * | 1997-09-17 | 1999-03-18 | Stichting Fund Ond Material | Supergeleidend element voor een micro-elektronische schakeling. |
| WO1999014811A1 (en) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Stichting Voor Fundamenteel Onderzoek Der Materie | Superconducting element for a micro-electronic circuit |
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