KR920005314A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체 장치를 도시한 단면도.
제2도는 상기 제1도의 반도체 장치의 제조방법을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 대전류 소자부(102)와 소신호 소자부(101)을 갖는 모놀리식 반도체 장치에 있어서, 제1도전체(19)로 구성되고, 상기 소신호 소자부에 형성되는 제1전극 배선 및 상기 제1도전체 및 제1도전체상에 직접 형성되는 제2도전체(24 및 25)로 구성되고, 상기 대전류 소자부에 형성되는 제2전극 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2전극 배선이 본딩 패드를 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전체가 제1도전막(19)로 이루어지고, 상기 제2도전체가 제2도전막(24)와, 제2도전막 상에 형성되어 상기 제2도전막과는 에칭 특성이 상이한 제3도전막(25)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1도전막과 상기 제3도전막이 동일 재질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전체가 제1도전막(34)와, 상기 제1도전막상에 형성되는 제2도전막(35)로 이루어지고, 상기 제2도전체가 제3도전막(36)과 제3도전막상에 형성되어 상기 제2도전막과는 에칭특성이 상이한 제4도전막(37)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1도전막과 상기 제3도전막이 동일 재질로 구성되고, 또 상기 제2도전막과 상기 제4도전막이 동일 재질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 기판(11)에 대전류 소자(102)와 소신호 소자(101)을 형성하는 공정과, 상기 대전류 소자 및 소신호 소자상에 제1도전체(19)및 제2도전체(24 및 25)를 차례로 형성하는 공정과, 상기 제2 및 제1도전체를 차례로 선택적으로 에칭함으로써 상기 소신호 소자에 상기 제1도전체로 구성되는 제1전극 배선을 형성하고, 상기 대전류소자에 상기 제1및 제2도전체로 구성되는 제2전극 배선을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판(11)에 대전류 소자(102)와 소신호 소자(101)을 형성하는 공정, 상기 대전류 소자 및 소신호 소자상에 제1도전체(19)를 형성하는 공정, 상기 제1도전체를 선택적으로 에칭함으로써 상기 소신호 소자에 상기 제1도전체로 구성되는 제1전극 배선을 형성하는 공정, 상기 대전류 소자 및 소신호 소자상에 제2도전체(24 및 25)를 형성하는 공정, 및 상기 제2도전체를 선택적으로 에칭함으로써 상기 대전류 소자에 상기 제1 및 제2도전체로 구성되는 제2전극 배선을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Applications Claiming Priority (2)
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Also Published As
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EP0471376A2 (en) | 1992-02-19 |
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