JPH06232463A - Ｓｑｕｉｄ - Google Patents
ＳｑｕｉｄInfo
- Publication number
- JPH06232463A JPH06232463A JP50A JP3947993A JPH06232463A JP H06232463 A JPH06232463 A JP H06232463A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 3947993 A JP3947993 A JP 3947993A JP H06232463 A JPH06232463 A JP H06232463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- squid
- washer
- magnetic flux
- slit
- shielding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁場分解能が著しく高いＳＱＵＩＤを提供す
る。 【構成】 酸化物超伝導体薄膜で形成されたワッシャー
部３と、該ワッシャー部３の略中央に開設されたホール
部４と、高温超伝導体薄膜で構成された少なくとも１つ
のジョセフソン接合部６と、該ジョセフソン接合部６よ
り外周へ向かって設けられたスリット部５とからなるＳ
ＱＵＩＤ１1 であり、前記ワッシャー部３の面積が２５
〜１０００ｍｍ2 である。
る。 【構成】 酸化物超伝導体薄膜で形成されたワッシャー
部３と、該ワッシャー部３の略中央に開設されたホール
部４と、高温超伝導体薄膜で構成された少なくとも１つ
のジョセフソン接合部６と、該ジョセフソン接合部６よ
り外周へ向かって設けられたスリット部５とからなるＳ
ＱＵＩＤ１1 であり、前記ワッシャー部３の面積が２５
〜１０００ｍｍ2 である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁場分解能が著しく高
いＳＱＵＩＤに関する。
いＳＱＵＩＤに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＱＵＩＤは、ジョセフソン接合を利用
した高感度磁気センサであり、量子干渉効果を利用して
磁束量子φ0 （１．５×１０-15 Ｗｂ）の１０万分の１
の磁束を電圧に変換して計測するものである。したがっ
て、このようなＳＱＵＩＤは、微弱磁気の測定に有用で
あり、生体磁気計測、物理定数計測、非破壊検査などに
応用される。なかでも生体磁場計測への応用は超伝導の
応用研究の中でも大きな駆動力となっており、例えば心
臓のＱＲＳ波や特別な磁気遮蔽を施せば脳波もＳＱＵＩ
Ｄにより容易に検出することができることが知られてい
る。
した高感度磁気センサであり、量子干渉効果を利用して
磁束量子φ0 （１．５×１０-15 Ｗｂ）の１０万分の１
の磁束を電圧に変換して計測するものである。したがっ
て、このようなＳＱＵＩＤは、微弱磁気の測定に有用で
あり、生体磁気計測、物理定数計測、非破壊検査などに
応用される。なかでも生体磁場計測への応用は超伝導の
応用研究の中でも大きな駆動力となっており、例えば心
臓のＱＲＳ波や特別な磁気遮蔽を施せば脳波もＳＱＵＩ
Ｄにより容易に検出することができることが知られてい
る。
【０００３】このＳＱＵＩＤにはジョセフソン接合が１
個のｒｆＳＱＵＩＤと２個のｄｃＳＱＵＩＤとがあり、
そのワッシャー部の面積は０．１ｍｍ2 程度の微小なも
のであった。これはＮｂ或いはＮｂＮを用いたＳＱＵＩ
Ｄではワッシャー面積を大きくすると、磁束ノイズが大
きくなると考えられていたためである。
個のｒｆＳＱＵＩＤと２個のｄｃＳＱＵＩＤとがあり、
そのワッシャー部の面積は０．１ｍｍ2 程度の微小なも
のであった。これはＮｂ或いはＮｂＮを用いたＳＱＵＩ
Ｄではワッシャー面積を大きくすると、磁束ノイズが大
きくなると考えられていたためである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来のＳＱＵＩＤではＳＱＵＩＤ自身の磁場分解
能が優れていないため、磁束トランスと組合せて使用し
なければならなかった。しかもこの磁束トランスは、構
造が複雑であり、特に高温超伝導体を用いた作製には極
めて高度な技術を必要とし、歩留も悪いものであった。
ような従来のＳＱＵＩＤではＳＱＵＩＤ自身の磁場分解
能が優れていないため、磁束トランスと組合せて使用し
なければならなかった。しかもこの磁束トランスは、構
造が複雑であり、特に高温超伝導体を用いた作製には極
めて高度な技術を必要とし、歩留も悪いものであった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記に鑑み提案
されたもので、酸化物超伝導体薄膜で形成されたワッシ
ャー部と、該ワッシャー部の略中央に開設されたホール
部と、高温超伝導体薄膜で構成された少なくとも１つの
ジョセフソン接合部と、該ジョセフソン接合部より外周
へ向かって設けられたスリット部とからなるＳＱＵＩＤ
であり、前記ワッシャー部の面積が２５〜１０００ｍｍ
2 であることを特徴とするＳＱＵＩＤに関するものであ
る。
されたもので、酸化物超伝導体薄膜で形成されたワッシ
ャー部と、該ワッシャー部の略中央に開設されたホール
部と、高温超伝導体薄膜で構成された少なくとも１つの
ジョセフソン接合部と、該ジョセフソン接合部より外周
へ向かって設けられたスリット部とからなるＳＱＵＩＤ
であり、前記ワッシャー部の面積が２５〜１０００ｍｍ
2 であることを特徴とするＳＱＵＩＤに関するものであ
る。
【０００６】上記本発明のＳＱＵＩＤにおけるワッシャ
ー部は、特にその形状を限定するものではないが、正方
形或いは正方形に近い長方形、或いは円形とすることが
望ましい。また、その面積は前記のように２５〜１００
０ｍｍ2 であり、磁束濃縮効果を高め、従来のＳＱＵＩ
Ｄに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛躍的に
向上させることができるものである。そして、面積が２
５ｍｍ2 より小さいと、上記磁束濃縮効果が低く、充分
な磁場分解能を得ることができない。また、面積が１０
００ｍｍ2 より大きいと、位置の分解能が低下すること
となる。したがって、例えばその形状に依存することな
く前記効果を安定に維持するためのワッシャー部の面積
は２５〜１０００ｍｍ2 の範囲にすることが望ましく、
さらには１００〜４００ｍｍ2 とすることがより一層望
ましい。
ー部は、特にその形状を限定するものではないが、正方
形或いは正方形に近い長方形、或いは円形とすることが
望ましい。また、その面積は前記のように２５〜１００
０ｍｍ2 であり、磁束濃縮効果を高め、従来のＳＱＵＩ
Ｄに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛躍的に
向上させることができるものである。そして、面積が２
５ｍｍ2 より小さいと、上記磁束濃縮効果が低く、充分
な磁場分解能を得ることができない。また、面積が１０
００ｍｍ2 より大きいと、位置の分解能が低下すること
となる。したがって、例えばその形状に依存することな
く前記効果を安定に維持するためのワッシャー部の面積
は２５〜１０００ｍｍ2 の範囲にすることが望ましく、
さらには１００〜４００ｍｍ2 とすることがより一層望
ましい。
【０００７】一方、本発明のＳＱＵＩＤにおけるホール
部も、特にその形状を限定するものではないが、前記ワ
ッシャー部と同様に正方形、或いは正方形に近い長方
形、或いは円形とすることが望ましい。また、その面積
は４〜２０００μｍ2 であることが望ましく、面積が２
０００μｍ2 より大きいと、ＳＱＵＩＤ自身のインダク
タンスが大きくなると共にＳＱＵＩＤ出力電圧が小さく
なるため、磁場分解能が低下する。面積が４μｍ2 より
小さいと、磁束の捕捉量が小さくなり磁場分解能が低下
する。したがって、例えばその形状に依存することなく
前記効果を安定に維持するためのホール部の面積は１０
０〜２０００μｍ2 の範囲にすることが望ましく、さら
には１００〜４００μｍ2 とすることがより一層望まし
い。
部も、特にその形状を限定するものではないが、前記ワ
ッシャー部と同様に正方形、或いは正方形に近い長方
形、或いは円形とすることが望ましい。また、その面積
は４〜２０００μｍ2 であることが望ましく、面積が２
０００μｍ2 より大きいと、ＳＱＵＩＤ自身のインダク
タンスが大きくなると共にＳＱＵＩＤ出力電圧が小さく
なるため、磁場分解能が低下する。面積が４μｍ2 より
小さいと、磁束の捕捉量が小さくなり磁場分解能が低下
する。したがって、例えばその形状に依存することなく
前記効果を安定に維持するためのホール部の面積は１０
０〜２０００μｍ2 の範囲にすることが望ましく、さら
には１００〜４００μｍ2 とすることがより一層望まし
い。
【０００８】このような構成を有する本発明のＳＱＵＩ
Ｄは特にその作製方法を限定するものではなく、公知の
方法を用いて基板上に酸化物超伝導体薄膜を形成させた
後、前記構成のワッシャー部やホール部、或いはスリッ
ト部などを加工・成型すれば良い。例えば基板として
は、ＳｒＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ3 、ＮｅＧａＯ
3 等からなるものを使用すれば良いし、酸化物超伝導体
薄膜を作製する方法としては、レーザ蒸着法、スパッタ
リング法、真空蒸着法、ＭＢＥ等を適用してＹ（イット
リウム）系、或いはＢｉ（ビスマス）系、Ｔｌ（タリウ
ム）系の酸化物超伝導体薄膜を形成すれば良いし、さら
に、前記ワッシャー部、ホール部、スリット部を加工・
成型するには、イオンミリング、或いはケミカルエッチ
ング等を適用すれば良い。尚、ジョセフソン接合部は、
基板段差を利用した弱結合型、或いはバイクリスタル
型、トンネル型などのものを用いることができる。
Ｄは特にその作製方法を限定するものではなく、公知の
方法を用いて基板上に酸化物超伝導体薄膜を形成させた
後、前記構成のワッシャー部やホール部、或いはスリッ
ト部などを加工・成型すれば良い。例えば基板として
は、ＳｒＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ3 、ＮｅＧａＯ
3 等からなるものを使用すれば良いし、酸化物超伝導体
薄膜を作製する方法としては、レーザ蒸着法、スパッタ
リング法、真空蒸着法、ＭＢＥ等を適用してＹ（イット
リウム）系、或いはＢｉ（ビスマス）系、Ｔｌ（タリウ
ム）系の酸化物超伝導体薄膜を形成すれば良いし、さら
に、前記ワッシャー部、ホール部、スリット部を加工・
成型するには、イオンミリング、或いはケミカルエッチ
ング等を適用すれば良い。尚、ジョセフソン接合部は、
基板段差を利用した弱結合型、或いはバイクリスタル
型、トンネル型などのものを用いることができる。
【０００９】そして、本発明のＳＱＵＩＤは、従来のＳ
ＱＵＩＤに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛
躍的に向上させることができるので、従来のＳＱＵＩＤ
のように磁気トランスを組合せて使用する必要がない。
そして、より微小な磁場計測に応用することができるも
のである。
ＱＵＩＤに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛
躍的に向上させることができるので、従来のＳＱＵＩＤ
のように磁気トランスを組合せて使用する必要がない。
そして、より微小な磁場計測に応用することができるも
のである。
【００１０】さらに、酸化物超伝導体で形成されたワッ
シャー部分と、該ワッシャー部分の略中央に開設された
ホール部分と、該ホール部分から外周へ向かって延設さ
れたスリット部分とからなる磁束遮蔽層を積層させた場
合は、ＳＱＵＩＤのスリット部からの磁束のリークを防
止することができ、磁束分解能をより一層向上させるこ
とができる。即ち、この場合、上記磁束遮蔽層のワッシ
ャー部分を、前記構成のＳＱＵＩＤのワッシャー部と対
向させ、さらに磁束遮蔽層のスリット部分とＳＱＵＩＤ
のスリット部とが重ならないように積層させるのであ
る。
シャー部分と、該ワッシャー部分の略中央に開設された
ホール部分と、該ホール部分から外周へ向かって延設さ
れたスリット部分とからなる磁束遮蔽層を積層させた場
合は、ＳＱＵＩＤのスリット部からの磁束のリークを防
止することができ、磁束分解能をより一層向上させるこ
とができる。即ち、この場合、上記磁束遮蔽層のワッシ
ャー部分を、前記構成のＳＱＵＩＤのワッシャー部と対
向させ、さらに磁束遮蔽層のスリット部分とＳＱＵＩＤ
のスリット部とが重ならないように積層させるのであ
る。
【００１１】上記磁束遮蔽層のワッシャー部分及びホー
ル部分は、前記ＳＱＵＩＤのワッシャー部及びホール部
と同様な大きさで加工・成型すれば良い。尚、この磁束
遮蔽層に設けたスリット部分は、遮蔽電流が流れて、ホ
ール部に磁束が侵入するのを妨げるのを防止するための
構成である。そして、このような磁束遮蔽層を作製する
には、前記ＳＱＵＩＤの作製方法に準じて支持基板上に
薄膜状のワッシャー部分を形成するようにしても良い
し、或いは全体を一体成型の焼結体（磁束遮蔽板）とし
て作製するようにしても良い。
ル部分は、前記ＳＱＵＩＤのワッシャー部及びホール部
と同様な大きさで加工・成型すれば良い。尚、この磁束
遮蔽層に設けたスリット部分は、遮蔽電流が流れて、ホ
ール部に磁束が侵入するのを妨げるのを防止するための
構成である。そして、このような磁束遮蔽層を作製する
には、前記ＳＱＵＩＤの作製方法に準じて支持基板上に
薄膜状のワッシャー部分を形成するようにしても良い
し、或いは全体を一体成型の焼結体（磁束遮蔽板）とし
て作製するようにしても良い。
【００１２】この磁束遮蔽層でＳＱＵＩＤのジョセフソ
ン接合部をカバーするようにした場合、接合部への磁束
の影響が少なくなるため、ＳＱＵＩＤの磁場−電圧特性
におけるフランホッファー回折的な挙動を小さくするこ
とができる。また、磁束遮蔽層のホール部分の大きさは
ＳＱＵＩＤのホール部と同じ或いは小さくすることによ
り上記効果を期待することができるのであるが、ＳＱＵ
ＩＤのスリット部からの磁束のリーク防止効果だけを期
待する場合はＳＱＵＩＤのホール部よりも大きくても良
い。
ン接合部をカバーするようにした場合、接合部への磁束
の影響が少なくなるため、ＳＱＵＩＤの磁場−電圧特性
におけるフランホッファー回折的な挙動を小さくするこ
とができる。また、磁束遮蔽層のホール部分の大きさは
ＳＱＵＩＤのホール部と同じ或いは小さくすることによ
り上記効果を期待することができるのであるが、ＳＱＵ
ＩＤのスリット部からの磁束のリーク防止効果だけを期
待する場合はＳＱＵＩＤのホール部よりも大きくても良
い。
【００１３】尚、このような磁束遮蔽層は、上述のよう
にＳＱＵＩＤとは別の基板（或いは別の基板上に設けた
薄膜層）としても良いが、前記ＳＱＵＩＤの表面に絶縁
層を形成させた後、その上に酸化物超伝導薄膜（磁束遮
蔽層）を形成するようにしたものでも良い。このように
構成されたＳＱＵＩＤは、スリット部への密着性が向上
するので、前述の磁束のリーク防止効果をさらに向上さ
せることができる。
にＳＱＵＩＤとは別の基板（或いは別の基板上に設けた
薄膜層）としても良いが、前記ＳＱＵＩＤの表面に絶縁
層を形成させた後、その上に酸化物超伝導薄膜（磁束遮
蔽層）を形成するようにしたものでも良い。このように
構成されたＳＱＵＩＤは、スリット部への密着性が向上
するので、前述の磁束のリーク防止効果をさらに向上さ
せることができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明を図面の実施例に基づいて説
明する。
明する。
【００１５】実施例１；図１に示すＳＱＵＩＤ１1 を作
製するには、まず高さ２０００Åの段差を形成したＳｒ
ＴｉＯ3 （１００）基板２上にレーザ蒸着法によりＹＢ
ＣＯ酸化物超伝導体薄膜（膜厚２０００Å）を形成し
た。尚、成膜条件は、レーザ波長２４８ｎｍ、レーザパ
ワー３００ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ、基板温度６７０℃、成膜
速度５００Å／分、酸素分圧４００ｍＴｏｒｒである。
次に、イオンミリングによりワッシャー部３（１０ｍｍ
×１０ｍｍ）、ホール部４（２５μｍ×２５μｍ）、ス
リット部５，５（幅１０μｍ）を加工・成型し、ホール
部４とスリット部５，５との間にジョセフソン接合部
６，６を形成した。
製するには、まず高さ２０００Åの段差を形成したＳｒ
ＴｉＯ3 （１００）基板２上にレーザ蒸着法によりＹＢ
ＣＯ酸化物超伝導体薄膜（膜厚２０００Å）を形成し
た。尚、成膜条件は、レーザ波長２４８ｎｍ、レーザパ
ワー３００ｍＪ／Ｐｕｌｓｅ、基板温度６７０℃、成膜
速度５００Å／分、酸素分圧４００ｍＴｏｒｒである。
次に、イオンミリングによりワッシャー部３（１０ｍｍ
×１０ｍｍ）、ホール部４（２５μｍ×２５μｍ）、ス
リット部５，５（幅１０μｍ）を加工・成型し、ホール
部４とスリット部５，５との間にジョセフソン接合部
６，６を形成した。
【００１６】こうして得られた実施例１のＳＱＵＩＤ１
1 に計測系（図示せず）を接続して液体窒素中で磁場分
解能を計測したところ、０．５ｐＴｅｓｌａ／Ｈｚ1/2
ａｔ１０Ｈｚであった。尚、従来のワッシャーサイズが
２５０μｍ×２５０μｍのＳＱＵＩＤでは１０ｐＴｅｓ
ｌａ／Ｈｚ1/2 ａｔ１０Ｈｚであった。したがって、上
記実施例１のＳＱＵＩＤ１1 は、従来のＳＱＵＩＤに対
して磁場分解能が約２０倍向上した結果となった。
1 に計測系（図示せず）を接続して液体窒素中で磁場分
解能を計測したところ、０．５ｐＴｅｓｌａ／Ｈｚ1/2
ａｔ１０Ｈｚであった。尚、従来のワッシャーサイズが
２５０μｍ×２５０μｍのＳＱＵＩＤでは１０ｐＴｅｓ
ｌａ／Ｈｚ1/2 ａｔ１０Ｈｚであった。したがって、上
記実施例１のＳＱＵＩＤ１1 は、従来のＳＱＵＩＤに対
して磁場分解能が約２０倍向上した結果となった。
【００１７】実施例２；まず、図２に示す磁束遮蔽層
（板）１’を前記実施例１に示した方法に準じて作製し
た。尚、図中、２’は支持基板、３’はワッシャー部分
（１０ｍｍ×１０ｍｍ）、４’はホール部分（２５μｍ
×２５μｍ）、５’はスリット部分（幅５μｍ）であ
る。次に、図３に示すように上記磁束遮蔽層１’のワッ
シャー部分３’を前記ＳＱＵＩＤ１1 のワッシャー部３
と対向させると共に磁束遮蔽層１’のスリット部分５’
とＳＱＵＩＤ１1 のスリット部５とが重ならないように
積層させて一体化させた。
（板）１’を前記実施例１に示した方法に準じて作製し
た。尚、図中、２’は支持基板、３’はワッシャー部分
（１０ｍｍ×１０ｍｍ）、４’はホール部分（２５μｍ
×２５μｍ）、５’はスリット部分（幅５μｍ）であ
る。次に、図３に示すように上記磁束遮蔽層１’のワッ
シャー部分３’を前記ＳＱＵＩＤ１1 のワッシャー部３
と対向させると共に磁束遮蔽層１’のスリット部分５’
とＳＱＵＩＤ１1 のスリット部５とが重ならないように
積層させて一体化させた。
【００１８】こうして得られた実施例２のＳＱＵＩＤ１
2 に計測系（図示せず）を接続して液体窒素中で磁場分
解能を計測したところ、０．２ｐＴｅｓｌａ／Ｈｚ1/2
ａｔ１０Ｈｚであった。このように実施例２のＳＱＵＩ
Ｄ１2 の磁場分解能が実施例１のＳＱＵＩＤ１1 よりも
さらに向上したのはＳＱＵＩＤ１2 のスリット部５，５
からリークしていた磁束が磁束遮蔽層１’によって妨げ
られたからと考えられた。
2 に計測系（図示せず）を接続して液体窒素中で磁場分
解能を計測したところ、０．２ｐＴｅｓｌａ／Ｈｚ1/2
ａｔ１０Ｈｚであった。このように実施例２のＳＱＵＩ
Ｄ１2 の磁場分解能が実施例１のＳＱＵＩＤ１1 よりも
さらに向上したのはＳＱＵＩＤ１2 のスリット部５，５
からリークしていた磁束が磁束遮蔽層１’によって妨げ
られたからと考えられた。
【００１９】以上本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明は前記した実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限りど
のようにでも実施することができる。
が、本発明は前記した実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限りど
のようにでも実施することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＳＱＵＩＤ
は、磁束濃縮効果及び位置の分解能が高く、従来のＳＱ
ＵＩＤに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛躍
的に向上させることができる。したがって、従来のＳＱ
ＵＩＤのように複雑な構成の磁気トランスを組合せて使
用する必要がなく、より微小な磁場計測に応用すること
ができるものである。
は、磁束濃縮効果及び位置の分解能が高く、従来のＳＱ
ＵＩＤに比べて磁束分解能を１０〜１００倍以上に飛躍
的に向上させることができる。したがって、従来のＳＱ
ＵＩＤのように複雑な構成の磁気トランスを組合せて使
用する必要がなく、より微小な磁場計測に応用すること
ができるものである。
【００２１】また、ホール部の面積が４〜２０００μｍ
2 であるＳＱＵＩＤは、ＳＱＵＩＤ自身のインダクタン
スの上昇を抑制すると共にＳＱＵＩＤ出力電圧を大きく
して磁場分解能を向上することができる。
2 であるＳＱＵＩＤは、ＳＱＵＩＤ自身のインダクタン
スの上昇を抑制すると共にＳＱＵＩＤ出力電圧を大きく
して磁場分解能を向上することができる。
【００２２】さらに、ホール部の面積が１００〜２００
０μｍ2 であるＳＱＵＩＤは、例えばその形状等に依存
することなく上記効果をより安定に実現するものとな
る。
０μｍ2 であるＳＱＵＩＤは、例えばその形状等に依存
することなく上記効果をより安定に実現するものとな
る。
【００２３】また、酸化物超伝導体で形成されたワッシ
ャー部分と、該ワッシャー部分の略中央に開設されたホ
ール部分と、該ホール部分から外周へ向かって延設され
たスリット部分とからなる磁束遮蔽層のワッシャー部分
を、ＳＱＵＩＤのワッシャー部と対向させると共に磁束
遮蔽層のスリット部分とＳＱＵＩＤのスリット部とが重
ならないように積層させてなる構成のＳＱＵＩＤは、ス
リット部からリークしていた磁束が磁束遮蔽層によって
妨げられ、磁場分解能をより一層向上させるものとな
る。
ャー部分と、該ワッシャー部分の略中央に開設されたホ
ール部分と、該ホール部分から外周へ向かって延設され
たスリット部分とからなる磁束遮蔽層のワッシャー部分
を、ＳＱＵＩＤのワッシャー部と対向させると共に磁束
遮蔽層のスリット部分とＳＱＵＩＤのスリット部とが重
ならないように積層させてなる構成のＳＱＵＩＤは、ス
リット部からリークしていた磁束が磁束遮蔽層によって
妨げられ、磁場分解能をより一層向上させるものとな
る。
【図１】実施例１のＳＱＵＩＤの構成を示す平面図であ
る。
る。
【図２】実施例２のＳＱＵＩＤに積層させる磁束遮蔽層
の構成を示す平面図である。
の構成を示す平面図である。
【図３】実施例２のＳＱＵＩＤの積層状態を示す斜視図
である。
である。
１1 ，１2 ＳＱＵＩＤ ２ 基板 ３ ワッシャー部 ４ ホール部 ５ スリット部 ６ ジョセフソン接合部 １’ 磁束遮蔽層 ２’ 支持基板 ３’ ワッシャー部分 ４’ ホール部分 ５’ スリット部分
Claims (4)
- 【請求項１】 酸化物超伝導体薄膜で形成されたワッシ
ャー部と、該ワッシャー部の略中央に開設されたホール
部と、高温超伝導体薄膜で構成された少なくとも１つの
ジョセフソン接合部と、該ジョセフソン接合部より外周
へ向かって設けられたスリット部とからなるＳＱＵＩＤ
であり、前記ワッシャー部の面積が２５〜１０００ｍｍ
2 であることを特徴とするＳＱＵＩＤ。 - 【請求項２】 ホール部の面積が４〜２０００μｍ2 で
あることを特徴とする請求項１に記載のＳＱＵＩＤ。 - 【請求項３】 ホール部の面積が１００〜２０００μｍ
2 であることを特徴とする請求項１乃至２に記載のＳＱ
ＵＩＤ。 - 【請求項４】 酸化物超伝導体で形成されたワッシャー
部分と、該ワッシャー部分の略中央に開設されたホール
部分と、該ホール部分から外周へ向かって延設されたス
リット部分とからなる磁束遮蔽層のワッシャー部分を、
ＳＱＵＩＤのワッシャー部と対向させると共に磁束遮蔽
層のスリット部分とＳＱＵＩＤのスリット部とが重なら
ないように積層させてなることを特徴とする請求項１乃
至３に記載のＳＱＵＩＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039479A JPH0773133B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｓｑｕｉｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039479A JPH0773133B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｓｑｕｉｄ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232463A true JPH06232463A (ja) | 1994-08-19 |
| JPH0773133B2 JPH0773133B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12554206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5039479A Expired - Lifetime JPH0773133B2 (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｓｑｕｉｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773133B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP5039479A patent/JPH0773133B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773133B2 (ja) | 1995-08-02 |
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