JP2749048B2 - 超電導量子干渉計 - Google Patents
超電導量子干渉計Info
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- JP2749048B2 JP2749048B2 JP63023669A JP2366988A JP2749048B2 JP 2749048 B2 JP2749048 B2 JP 2749048B2 JP 63023669 A JP63023669 A JP 63023669A JP 2366988 A JP2366988 A JP 2366988A JP 2749048 B2 JP2749048 B2 JP 2749048B2
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- squid
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- superconducting
- film
- temperature superconductor
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁束計に係り、特に微小磁束の検出に好適な
超電導量子干渉計に関する。
超電導量子干渉計に関する。
［従来の技術］ 従来、高温超電導体薄膜による超電導量子干渉計（SQ
UID）についてはアプライド フィジックス レター，
第51巻，（1987年）、第200頁から第202頁（Appl.Phys.
Lett.,51，（1987）pp200〜202）において論じられてい
る。このSQUIDは超電導薄膜の中央に開口部を設け、そ
の両側に切れ込みを入れ、開口部の両側にくびれ部分を
設けてジョセフソン接合としている。
UID）についてはアプライド フィジックス レター，
第51巻，（1987年）、第200頁から第202頁（Appl.Phys.
Lett.,51，（1987）pp200〜202）において論じられてい
る。このSQUIDは超電導薄膜の中央に開口部を設け、そ
の両側に切れ込みを入れ、開口部の両側にくびれ部分を
設けてジョセフソン接合としている。
［発明が解決しようとする問題点］ 上部従来技術は開口部の両側に切れ込みを作ってジョ
セフソン接合を形成しているため素子のインダクタンス
が大きくなり、SQUIDの最適動作領域（Ｉ・In〜Φ0,L:
インダクタンス,In:超電導臨界電流，Φ0:磁束量子）を
越えてしまうという点について配慮がされておらず、出
力電圧が小さくなったり、動作温度範囲が狭くなったり
するという問題があった。
セフソン接合を形成しているため素子のインダクタンス
が大きくなり、SQUIDの最適動作領域（Ｉ・In〜Φ0,L:
インダクタンス,In:超電導臨界電流，Φ0:磁束量子）を
越えてしまうという点について配慮がされておらず、出
力電圧が小さくなったり、動作温度範囲が狭くなったり
するという問題があった。
本発明の目的は、高温超電導体によるSQUIDのインダ
クタンスを最適値にできるような構造を実現することに
ある。
クタンスを最適値にできるような構造を実現することに
ある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的はSQUIDインダクタンスとして、ワッシャ形
のインダクタンスを用い、さらに複数のワッシャ形イン
ダクタンスを並列接続してインダクタンスを低減するこ
とにより達成される。
のインダクタンスを用い、さらに複数のワッシャ形イン
ダクタンスを並列接続してインダクタンスを低減するこ
とにより達成される。
［作用］ ワッシャ形コイルでは、磁束が鎖交する開口部分とジ
ョセフソン接合を離すことができるため、ジョセフソン
接合の切れ込みによるインダクタンスをSQUIDインダク
タンスを小さくすることができる。さらにSQUIDインダ
クタンスを並列接続することによってもインダクタンス
を低減できるため、SQUIDの最適動作領域にインダクタ
ンスの値を設定できるため、出力電圧を大きくでき、誤
動作することがない。
ョセフソン接合を離すことができるため、ジョセフソン
接合の切れ込みによるインダクタンスをSQUIDインダク
タンスを小さくすることができる。さらにSQUIDインダ
クタンスを並列接続することによってもインダクタンス
を低減できるため、SQUIDの最適動作領域にインダクタ
ンスの値を設定できるため、出力電圧を大きくでき、誤
動作することがない。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面により説明する。第１図
（ａ）は本発明の実施例の模式図である。高温超電導体
膜１を加工して磁束の鎖交する開口部３とスリット４を
設けてSQUIDインダクタンスとする。さらにスリット４
の端部の両側に切り込み11を設けてジョセフソン接合２
を形成する。この場合のジョセフソン接合２はマイクロ
ブリッジ形の素子となる。この上に層間絶縁膜５を形成
する。さらに、この上に高温超電導体膜による変調コイ
ル６の入力コイル７を形成する。入力コイル７の一端は
層間絶縁膜５中のコンタクトホール８を介して下の接続
電極９により取り出される。第１図（ｂ）はSQUIDを磁
束として動作させる場合の回路例である。SQUID10に定
電流電源12,センサコイル15,位相検波増幅器13を接続す
る。第１図（ｃ）はSQUID10を定電流バイアスして磁束
を加えた際に発生する周期電圧を示している。この電圧
の周期が磁束量子Φ０（2.07×10-15Wb）に相当する微
小量であるため、SQUIDによる高感度磁気計測が可能と
なる。第１図（ｂ）の回路では、磁束の変化に対する電
圧の変化を位相検波増幅器13で検出して帰還回路14より
SQUID10の変調コイル６に帰還している。これにより、S
QUID10の動作点を固定して、そこからの変化を帰還信号
の変化として電気的に読み出すことができる。この回路
により磁束量子Φ０の千分の１から１万分の１の磁束量
まで検出できる。SQUID10及びセンサコイルは低温部16
に置かれるが、高温超電導体（例えばTc＝90KのYBa2Cu3
O7-x）を使用しているので、この磁束計は液体窒素温度
77K付近で使用できるという効果がある。さらに、本実
施例では、高温超電導体膜を２層、積層して素子を構成
するため、最も簡単にSQUIDを実現できるという効果が
ある。
（ａ）は本発明の実施例の模式図である。高温超電導体
膜１を加工して磁束の鎖交する開口部３とスリット４を
設けてSQUIDインダクタンスとする。さらにスリット４
の端部の両側に切り込み11を設けてジョセフソン接合２
を形成する。この場合のジョセフソン接合２はマイクロ
ブリッジ形の素子となる。この上に層間絶縁膜５を形成
する。さらに、この上に高温超電導体膜による変調コイ
ル６の入力コイル７を形成する。入力コイル７の一端は
層間絶縁膜５中のコンタクトホール８を介して下の接続
電極９により取り出される。第１図（ｂ）はSQUIDを磁
束として動作させる場合の回路例である。SQUID10に定
電流電源12,センサコイル15,位相検波増幅器13を接続す
る。第１図（ｃ）はSQUID10を定電流バイアスして磁束
を加えた際に発生する周期電圧を示している。この電圧
の周期が磁束量子Φ０（2.07×10-15Wb）に相当する微
小量であるため、SQUIDによる高感度磁気計測が可能と
なる。第１図（ｂ）の回路では、磁束の変化に対する電
圧の変化を位相検波増幅器13で検出して帰還回路14より
SQUID10の変調コイル６に帰還している。これにより、S
QUID10の動作点を固定して、そこからの変化を帰還信号
の変化として電気的に読み出すことができる。この回路
により磁束量子Φ０の千分の１から１万分の１の磁束量
まで検出できる。SQUID10及びセンサコイルは低温部16
に置かれるが、高温超電導体（例えばTc＝90KのYBa2Cu3
O7-x）を使用しているので、この磁束計は液体窒素温度
77K付近で使用できるという効果がある。さらに、本実
施例では、高温超電導体膜を２層、積層して素子を構成
するため、最も簡単にSQUIDを実現できるという効果が
ある。
第２図は、高温超電導体膜を三層用いてSQUIDを構成
した実施例の模式図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を作りSQUIDインダクタンスと
し、さらにジョセフソン接合２を設けている。この上に
層間絶縁膜５を設け、上に接続電極17,層間絶縁膜16を
積層して、最後に変調コイル６と入力コイル７を形成し
てSQUIDとする。このような構造において、一層目のSQU
UIDインダクタンスに一定のバイアス電流を流し、二層
目と三層目を組合せた入力コイル７から微小信号を加
え、さらに変調コイル６に帰還信号を加えて、微小磁束
を検出する。本実施例においては、入力コイル７がすべ
てSQUIDインダクタンスの上に積層されているため入力
コイル７からSQUIDインダクタンスへの結合係数が大き
くできるという効果がある。
した実施例の模式図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を作りSQUIDインダクタンスと
し、さらにジョセフソン接合２を設けている。この上に
層間絶縁膜５を設け、上に接続電極17,層間絶縁膜16を
積層して、最後に変調コイル６と入力コイル７を形成し
てSQUIDとする。このような構造において、一層目のSQU
UIDインダクタンスに一定のバイアス電流を流し、二層
目と三層目を組合せた入力コイル７から微小信号を加
え、さらに変調コイル６に帰還信号を加えて、微小磁束
を検出する。本実施例においては、入力コイル７がすべ
てSQUIDインダクタンスの上に積層されているため入力
コイル７からSQUIDインダクタンスへの結合係数が大き
くできるという効果がある。
第３図，第４図は、高温超電導体膜を二層用いてSQUI
Dを構成した実施例の模式図と平面図である。入力コイ
ル７と変調コイル６の一部を取り除いて下層の構造を示
している。高温超電導体膜１を加工して開口部３とスリ
ット４を２組形成する。中央部にジョセフソン接合２を
２個設け、層間絶縁膜５で絶縁した後、コンタクトホー
ル８を通して接続電極18を接続する。このようにする
と、第１図，第２図で用いているSQUIDインダクタンス
が並列接続された形になり、インダクタンスが半減す
る。このため、ジョセフソン接合２の電流を大きくして
もSQUIDの最適動作領域（Ｌ・In〜Φ０）に設定でき、
大きな出力電圧が得られるという効果がある。また、高
温動作時にInが大きくできれば、熱雑音による誤動作を
防止できるという効果がある。また、入力コイル６の結
合部が２倍になるため、入力信号をSQUIDに加える結合
度を大きくできるという効果がある。
Dを構成した実施例の模式図と平面図である。入力コイ
ル７と変調コイル６の一部を取り除いて下層の構造を示
している。高温超電導体膜１を加工して開口部３とスリ
ット４を２組形成する。中央部にジョセフソン接合２を
２個設け、層間絶縁膜５で絶縁した後、コンタクトホー
ル８を通して接続電極18を接続する。このようにする
と、第１図，第２図で用いているSQUIDインダクタンス
が並列接続された形になり、インダクタンスが半減す
る。このため、ジョセフソン接合２の電流を大きくして
もSQUIDの最適動作領域（Ｌ・In〜Φ０）に設定でき、
大きな出力電圧が得られるという効果がある。また、高
温動作時にInが大きくできれば、熱雑音による誤動作を
防止できるという効果がある。また、入力コイル６の結
合部が２倍になるため、入力信号をSQUIDに加える結合
度を大きくできるという効果がある。
第５図は、高温超電導体膜を２層用いてSQUIDを構成
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、中央部にジョセフ
ソン部分を２個作り、層間絶縁膜５で絶縁した後、コン
タクトホール８を通して接続電極18を接続する。この実
施例においては第４図の実施例と同様にSQUIDインダク
タンスを並列接続してインダクタンスを減らしている。
このため、SQUIDの最適動作領域（Ｌ・In〜Φ０）に定
数を設定し易く、また、ジョセフソン接合２の超電導電
流Imを大きくでき、熱雑音による誤動作を防止できると
いう効果がある。本実施例では接続電極18の周辺の電極
を小さくして寄生容量が小さいという効果がある。ま
た、第３図，第５図の実施例で、SQUIDインダクタンス
を２個並列にしているが、これは２個以上を並列接続し
ても同様の効果がある。また、第２図のように三層の超
電導体膜を用いても同様の効果がある。
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、中央部にジョセフ
ソン部分を２個作り、層間絶縁膜５で絶縁した後、コン
タクトホール８を通して接続電極18を接続する。この実
施例においては第４図の実施例と同様にSQUIDインダク
タンスを並列接続してインダクタンスを減らしている。
このため、SQUIDの最適動作領域（Ｌ・In〜Φ０）に定
数を設定し易く、また、ジョセフソン接合２の超電導電
流Imを大きくでき、熱雑音による誤動作を防止できると
いう効果がある。本実施例では接続電極18の周辺の電極
を小さくして寄生容量が小さいという効果がある。ま
た、第３図，第５図の実施例で、SQUIDインダクタンス
を２個並列にしているが、これは２個以上を並列接続し
ても同様の効果がある。また、第２図のように三層の超
電導体膜を用いても同様の効果がある。
第６図は高温超電導体膜を二層用いてSQUIDを構成し
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を２組作り、それぞれのスリット
４の端部にジョセフソン接合２を１個ずつ形成し、層間
絶縁膜５で絶縁した後コンタクトホール８を通して接続
電極18を接続する。この実施例においては、SQUIDイン
ダクタンスを並列接続してインダクタンスを半減してい
るが、第４図，第５図の実施例と異る点は左右２つのSQ
UIDインダクタンスに磁束が鎖交した場所の電流が打消
し合うようになっていることである。このようにすると
外部から入ってくる磁束ノイズを打消すことができると
いう効果がある。この場合には、入力コイル７の向きを
左右反対にして、入力コイルからの信号は打消さないよ
うにする。本実施例においてもSQUIDインダクタンスを
小さくでき、最適な動作範囲に設定できるという効果が
ある。
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を２組作り、それぞれのスリット
４の端部にジョセフソン接合２を１個ずつ形成し、層間
絶縁膜５で絶縁した後コンタクトホール８を通して接続
電極18を接続する。この実施例においては、SQUIDイン
ダクタンスを並列接続してインダクタンスを半減してい
るが、第４図，第５図の実施例と異る点は左右２つのSQ
UIDインダクタンスに磁束が鎖交した場所の電流が打消
し合うようになっていることである。このようにすると
外部から入ってくる磁束ノイズを打消すことができると
いう効果がある。この場合には、入力コイル７の向きを
左右反対にして、入力コイルからの信号は打消さないよ
うにする。本実施例においてもSQUIDインダクタンスを
小さくでき、最適な動作範囲に設定できるという効果が
ある。
第７図は、高温超電導体膜を二層用いてSQUIDを構成
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、SQUIDインダクタ
ンスを２個並列接続して、インダクタンス値を半減して
最適な動作範囲に設定している。さらに左右のSQUIDイ
ンダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すように向き
を変えている。このように、最適な動作領域の設定がで
きるという効果、磁束ノイズを打消すという効果の他
に、接続電極18周辺の電極を小さくして寄生容量が小さ
いという効果がある。
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、SQUIDインダクタ
ンスを２個並列接続して、インダクタンス値を半減して
最適な動作範囲に設定している。さらに左右のSQUIDイ
ンダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すように向き
を変えている。このように、最適な動作領域の設定がで
きるという効果、磁束ノイズを打消すという効果の他
に、接続電極18周辺の電極を小さくして寄生容量が小さ
いという効果がある。
第８図は高温超電導体膜を三層応用いてSQUIDを構成
した実施例の模式図である。高温超電導体膜20を超電導
グランドプレーンとし、層間絶縁膜19で絶縁した後、高
温超電導体膜１を加工して開口部３とスリット４を作
り、SQUIDインダクタンスとし、ジョセフソン接合２を
設けている。この上に層間絶縁膜５で絶縁した後、入力
コイル7,変調コイル６を形成してSQUIDとする。本実施
例では、SQUIDインダクタンスが超電導グランドプレー
ンの上に積層されているためインダクタンスが減少し、
SQUIDの最適な動作範囲を実現できるという効果があ
る。
した実施例の模式図である。高温超電導体膜20を超電導
グランドプレーンとし、層間絶縁膜19で絶縁した後、高
温超電導体膜１を加工して開口部３とスリット４を作
り、SQUIDインダクタンスとし、ジョセフソン接合２を
設けている。この上に層間絶縁膜５で絶縁した後、入力
コイル7,変調コイル６を形成してSQUIDとする。本実施
例では、SQUIDインダクタンスが超電導グランドプレー
ンの上に積層されているためインダクタンスが減少し、
SQUIDの最適な動作範囲を実現できるという効果があ
る。
第９図は高温超電導体膜を二層用いてSQUIDを構成し
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を４組作り、SQUIDインダクタン
スを４個並列接続して、インダクタンス値を４分の１に
して最適な動作範囲に設定している。さらに、これらの
SQUIDインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すよ
うに向きを変えている。このように、最適な動作領域の
設定でき、大きな出力電圧が得られるという効果があ
る。また、外部からの磁束ノイズに影響を受けにくいと
いう効果がある。
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を４組作り、SQUIDインダクタン
スを４個並列接続して、インダクタンス値を４分の１に
して最適な動作範囲に設定している。さらに、これらの
SQUIDインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すよ
うに向きを変えている。このように、最適な動作領域の
設定でき、大きな出力電圧が得られるという効果があ
る。また、外部からの磁束ノイズに影響を受けにくいと
いう効果がある。
第10図は高温超電導体膜を二層用いてSQUIDを構成し
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を４組作り、SQUIDインダクタン
スを４個並列接続して、インダクタンス値を４分の１に
して最適な動作範囲に設定している。さらに、これらの
SQUIDインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すよ
うに組み合わせている。また、二層目の接続電極21の面
積を小さくして寄生容量を低減している。インダクタン
スを低減して最適な動作範囲に設定できたため大きな出
力電圧が得られるという効果があり、磁束ノイズを打消
すことができるためS/N比を良くできるという効果があ
る。さらに寄生容量を減しているため、周波数特性を拡
大したり出力電圧を大きくできるという効果がある。イ
ンダクタンスの並列接続は２個以上ならば同等の効果が
期待できる。
た実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工して
開口部３とスリット４を４組作り、SQUIDインダクタン
スを４個並列接続して、インダクタンス値を４分の１に
して最適な動作範囲に設定している。さらに、これらの
SQUIDインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消すよ
うに組み合わせている。また、二層目の接続電極21の面
積を小さくして寄生容量を低減している。インダクタン
スを低減して最適な動作範囲に設定できたため大きな出
力電圧が得られるという効果があり、磁束ノイズを打消
すことができるためS/N比を良くできるという効果があ
る。さらに寄生容量を減しているため、周波数特性を拡
大したり出力電圧を大きくできるという効果がある。イ
ンダクタンスの並列接続は２個以上ならば同等の効果が
期待できる。
第11図は高温超電導体膜一層の基板を２枚用いてSQUI
Dを構成した実施例の模式図である。基板21に形成した
高温超電導体膜１を加工して開口部３及びスリット４を
形成する。一方、別の基板22上にも高温超電導体膜を形
成し、それを加工して変調コイル６と入力コイルを形成
する。これら２枚の基板を間に層間絶縁膜５をはさんで
密着させて、SQUIDを構成する。層間絶縁膜５はどちら
の基板上に形成しても良い。このようにすると高温超電
導体膜によるSQUIDを簡単に構成できるという効果があ
る。
Dを構成した実施例の模式図である。基板21に形成した
高温超電導体膜１を加工して開口部３及びスリット４を
形成する。一方、別の基板22上にも高温超電導体膜を形
成し、それを加工して変調コイル６と入力コイルを形成
する。これら２枚の基板を間に層間絶縁膜５をはさんで
密着させて、SQUIDを構成する。層間絶縁膜５はどちら
の基板上に形成しても良い。このようにすると高温超電
導体膜によるSQUIDを簡単に構成できるという効果があ
る。
以上の実施例で用いるジョセフソン接合としては、超
電導体膜の線幅あるいは膜厚を小さくしたブリッジ形接
合や、サンドイッチ形接合、近接効果形接合を用いるこ
とができる。
電導体膜の線幅あるいは膜厚を小さくしたブリッジ形接
合や、サンドイッチ形接合、近接効果形接合を用いるこ
とができる。
［発明の効果］ 本発明によれば、高温治電導体でSQUIDを構成し、高
温で動作させることができるので、生体磁気計測などの
微小磁界測定が容易にできるという効果がある。
温で動作させることができるので、生体磁気計測などの
微小磁界測定が容易にできるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図，第３図，
第８図及び第11図は本発明の他の実施例を示す模式図、
第４図，第５図，第６図，第７図，第９図及び第10図は
本発明の他の実施例の平面構成を示す図である。 １……高温超電導体膜、２……ジョセフソン接合、３…
…開口部、４……スリット、５……層間絶縁膜、６……
変調コイル、７……入力コイル、８……コンタクトホー
ル、９……接続電極、10……SQUID、11……切れ込み、1
2…定電流電源、13……位相検波増幅器、14……帰還回
路、15……センサコイル、16……低温部、17……接続電
極、18……接続電極、19……層間絶縁膜、20……高温超
電導体膜、21……基板、22……基板。
第８図及び第11図は本発明の他の実施例を示す模式図、
第４図，第５図，第６図，第７図，第９図及び第10図は
本発明の他の実施例の平面構成を示す図である。 １……高温超電導体膜、２……ジョセフソン接合、３…
…開口部、４……スリット、５……層間絶縁膜、６……
変調コイル、７……入力コイル、８……コンタクトホー
ル、９……接続電極、10……SQUID、11……切れ込み、1
2…定電流電源、13……位相検波増幅器、14……帰還回
路、15……センサコイル、16……低温部、17……接続電
極、18……接続電極、19……層間絶縁膜、20……高温超
電導体膜、21……基板、22……基板。
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、上記基板上に設けられた複数の開
口部および上記複数の開口部のそれぞれから外周まで延
びたスリットを有する超電導体膜電極と、上記スリット
の片側に設けられたジョセフソン接合と、上記超電導体
膜電極上に順次積層された層間絶縁膜、変調コイルおよ
び入力コイルを形成する配線用の超電導体膜と、を有す
ることを特徴とする超電導量子干渉計。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の超電導量子
干渉計において、上記層間絶縁膜および上記配線用の超
電導体膜を２層以上積層して入力コイルの端子を取り出
すことを特徴とする超電導量子干渉計。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項に記載の超電導量子
干渉計において、上記超電導体膜電極は、Ca、Se、Sc、
Ｙ、希土類元素、バリウム、銅のいずれかを含む混合酸
化物よりなることを特徴とする超電導量子干渉計。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023669A JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
| EP19890101953 EP0327123B1 (en) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Superconducting quantum interference device |
| DE1989607737 DE68907737T2 (de) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Supraleitende Quanteninterferenzanordnung (SQUID). |
| US07/884,473 US5218297A (en) | 1988-02-05 | 1992-05-13 | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023669A JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200679A JPH01200679A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2749048B2 true JP2749048B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12116895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023669A Expired - Lifetime JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0327123B1 (ja) |
| JP (1) | JP2749048B2 (ja) |
| DE (1) | DE68907737T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019978A1 (en) * | 1987-05-11 | 1992-11-12 | Datalight Limited | Portable nmr and nqr spectrometers |
| JP2893714B2 (ja) * | 1989-05-25 | 1999-05-24 | 株式会社日立製作所 | 薄膜型ｓｑｕｉｄ磁束計およびこれを用いた生体磁気計測装置 |
| JPH042979A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Seiko Instr Inc | 高感度磁場検出器 |
| US5053834A (en) * | 1990-08-31 | 1991-10-01 | Quantum Magnetics, Inc. | High symmetry dc SQUID system |
| JPH05297089A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気センサ |
| US5600243A (en) * | 1993-09-07 | 1997-02-04 | Conductus, Inc. | Magnetically shielded magnetic sensor with squid and ground plane |
| WO1995007470A2 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-16 | Conductus, Inc. | Improved squid coupling structure |
| JPH07191113A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
| DE19513481A1 (de) * | 1995-04-13 | 1996-10-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | HF-SQUID-Gradiometer mit resonanter Flußfokussierungsstruktur |
| FI102695B (fi) * | 1996-06-11 | 1999-01-29 | Nanoway Oy | CB-Tunnelointiin perustuva lämpömittari |
| JP5771137B2 (ja) | 2011-12-21 | 2015-08-26 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 高温超電導磁気センサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59148890A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | センサ−用磁気結合回路 |
| JPS61196587A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
| EP0246419B1 (de) * | 1986-05-21 | 1991-04-10 | Siemens Aktiengesellschaft | SQUID-Magnetometer für eine Vorrichtung zur Messung schwacher Magnetfelder |
| JPS6370089U (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-11 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023669A patent/JP2749048B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-03 EP EP19890101953 patent/EP0327123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-03 DE DE1989607737 patent/DE68907737T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68907737D1 (de) | 1993-09-02 |
| EP0327123A3 (en) | 1989-12-13 |
| EP0327123A2 (en) | 1989-08-09 |
| DE68907737T2 (de) | 1993-11-11 |
| JPH01200679A (ja) | 1989-08-11 |
| EP0327123B1 (en) | 1993-07-28 |
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