JPH01200679A - 超電導量子干渉計 - Google Patents
超電導量子干渉計Info
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- JPH01200679A JPH01200679A JP63023669A JP2366988A JPH01200679A JP H01200679 A JPH01200679 A JP H01200679A JP 63023669 A JP63023669 A JP 63023669A JP 2366988 A JP2366988 A JP 2366988A JP H01200679 A JPH01200679 A JP H01200679A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 23
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
- G01R33/0358—SQUIDS coupling the flux to the SQUID
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は磁束計に係り、特に微小磁束の検出に好適な超
電導量子干渉計に関する。
電導量子干渉計に関する。
［従来の技術］
従来、高温超電導体薄膜による超電導量子干渉計（ＳＱ
ＵＩＤ）についてはアプライド フィジックス レター
、第５１巻、（１９８７年）、第２００頁から第２０２
頁（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、。
ＵＩＤ）についてはアプライド フィジックス レター
、第５１巻、（１９８７年）、第２００頁から第２０２
頁（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、。
５１、（１９８７）ｐｐ２００〜２０２）において論じ
られている。この５ＱＵＩＤは超電導薄膜の中央に開口
部を設け、その両側に切れ込みを入れ、開口部の両側に
くびれ部分を設けてジョセフソン接合としている。
られている。この５ＱＵＩＤは超電導薄膜の中央に開口
部を設け、その両側に切れ込みを入れ、開口部の両側に
くびれ部分を設けてジョセフソン接合としている。
［発明が解決しようとする問題点コ
上部従来技術は開口部の両側に切れ込みを作ってジョセ
フソン接合を形成しているため素子のインダクタンスが
大きくなり、５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｉ・Ｉｎ〜Φ
０１ Ｌ ：インダクタンス。
フソン接合を形成しているため素子のインダクタンスが
大きくなり、５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｉ・Ｉｎ〜Φ
０１ Ｌ ：インダクタンス。
工ｎ：超電導臨界電流、Φ。：磁束量子）を越えてしま
うという点について配慮がされておらず、出力電圧が小
さくなったり、動作温度範囲が狭くなったりするという
問題があった。
うという点について配慮がされておらず、出力電圧が小
さくなったり、動作温度範囲が狭くなったりするという
問題があった。
本発明の目的は、高温超電導体による５ＱＵＩＤのイン
ダクタンスを最適値にできるような構造を実現すること
にある。
ダクタンスを最適値にできるような構造を実現すること
にある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的は５ＱＵＩＤインダクタンスとして、ワッシャ
形のインダクタンスを用い、さらに複数のワッシャ形イ
ンダクタンスを並列接続してインダクタンスを低減する
ことにより達成される。
形のインダクタンスを用い、さらに複数のワッシャ形イ
ンダクタンスを並列接続してインダクタンスを低減する
ことにより達成される。
［作用］
ワッシャ形コイルでは、磁束が鎖交する開口部分とジョ
セフソン接合を雅すことができるため、ジョセフソン接
合の切れ込みによるインダクタンスを５ＱＵＩＤインダ
クタンスを小さくすることができる。さらに５ＱＵＤＩ
インダクタンスを並列接続することによってもインダク
タンスを低減できるため、５ＱＵＩＤの最適動作領域に
インダクタンスの値を設定できるため、出力電圧を大き
くでき、誤動作することがない。
セフソン接合を雅すことができるため、ジョセフソン接
合の切れ込みによるインダクタンスを５ＱＵＩＤインダ
クタンスを小さくすることができる。さらに５ＱＵＤＩ
インダクタンスを並列接続することによってもインダク
タンスを低減できるため、５ＱＵＩＤの最適動作領域に
インダクタンスの値を設定できるため、出力電圧を大き
くでき、誤動作することがない。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図（、）は本発明の実施例の模式図である。
高温超電導体膜１を加工して磁束の鎖交する開口部３と
スリット４を設けて５ＱＵＩＤインダクタンスとする。
スリット４を設けて５ＱＵＩＤインダクタンスとする。
さらにスリット４の端部の両側に切れ込み１１を設けて
ジョセフソン接合２を形成する。この場合のジョセフソ
ン接合２はマイクロブリッジ形の素子となる。この上に
層間絶縁膜５を形成する。さらに、この上に高温超電導
体膜による変調コイル６と入力コイル７を形成する。入
力コイル７の一端は層間絶縁膜５中のコンタクトホール
８を介して下の接続電極９により取り出される。第１図
（ｂ）は５ＱＵＩＤを磁束として動作させる場合の回路
例である。５ＱＵＩＤＩＯに定電流電源１２．センサコ
イル１５１位相検波増幅器１３を接続する。第１図（ｃ
）は５ＱＵＩＤ１０を定電流バイアスして磁束を加えた
際に発生する周期電圧を示している。この電圧の周期が
磁束量子Φ。（２，０７Ｘ １ ｏ−１５ｗｂ）に相当
する微小量であるため、５ＱｔＪＩＤによる高感度磁気
計測が可能となる。第１図（ｂ）の回路では、磁束の変
化に対する電圧の変化を位相検波増幅器１３で検出して
帰還回路１４より５ＱｔＪＩＤ１０の変調コイル６に帰
還している。これにより、５ＱＵＩＤＩＯの動作点を固
定して、そこからの変化を帰還信号の変化として電気的
に読み出すことができる。この回路により磁束量子Φ。
ジョセフソン接合２を形成する。この場合のジョセフソ
ン接合２はマイクロブリッジ形の素子となる。この上に
層間絶縁膜５を形成する。さらに、この上に高温超電導
体膜による変調コイル６と入力コイル７を形成する。入
力コイル７の一端は層間絶縁膜５中のコンタクトホール
８を介して下の接続電極９により取り出される。第１図
（ｂ）は５ＱＵＩＤを磁束として動作させる場合の回路
例である。５ＱＵＩＤＩＯに定電流電源１２．センサコ
イル１５１位相検波増幅器１３を接続する。第１図（ｃ
）は５ＱＵＩＤ１０を定電流バイアスして磁束を加えた
際に発生する周期電圧を示している。この電圧の周期が
磁束量子Φ。（２，０７Ｘ １ ｏ−１５ｗｂ）に相当
する微小量であるため、５ＱｔＪＩＤによる高感度磁気
計測が可能となる。第１図（ｂ）の回路では、磁束の変
化に対する電圧の変化を位相検波増幅器１３で検出して
帰還回路１４より５ＱｔＪＩＤ１０の変調コイル６に帰
還している。これにより、５ＱＵＩＤＩＯの動作点を固
定して、そこからの変化を帰還信号の変化として電気的
に読み出すことができる。この回路により磁束量子Φ。
の十分の１から１万分の１の磁束量まで検出できる。Ｓ
ＱＵＩＤＩＯ及びセンサコイルは低温部１６に置かれる
が、高温超電導体（例えばＴｃ＝９０にのＹＢａ２Ｃｕ
３０７−Ｘ）を使用しているので、この磁束計は液体窒
素温度７７に付近で使用できるという効果がある。さら
に１本実施例では、高温超電導体膜を２層、積層して素
子を構成するため、最も簡単に５ＱＵＩＤを実現できる
という効果がある。
ＱＵＩＤＩＯ及びセンサコイルは低温部１６に置かれる
が、高温超電導体（例えばＴｃ＝９０にのＹＢａ２Ｃｕ
３０７−Ｘ）を使用しているので、この磁束計は液体窒
素温度７７に付近で使用できるという効果がある。さら
に１本実施例では、高温超電導体膜を２層、積層して素
子を構成するため、最も簡単に５ＱＵＩＤを実現できる
という効果がある。
第２図は、高温超電導体膜を三層用いて５ＱＵＩＤを構
成した実施例の模式図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を作り５ＱＵＩＤインダクタ
ンスとし、さらにジョセフソン接合２を設けている。こ
の上に層間絶縁膜５を設け、上に接続電極１７．Ｎ間絶
縁膜１６を積層して、最後に変調コイル６と入力コイル
７を形成して５ＱＵＩＤとする。このような構造におい
た入力コイル７から微小信号を加え、さらに変調コイル
６に帰還信号を加えて、微小磁束を検出する。本実施例
においては、入力コイル７がすべてＳＱＵ’ＩＤインダ
クタンスの上に積層されているため入力コイル７から５
ＱＵＩＤインダクタンスへの結合係数が大きくできると
いう効果がある。
成した実施例の模式図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を作り５ＱＵＩＤインダクタ
ンスとし、さらにジョセフソン接合２を設けている。こ
の上に層間絶縁膜５を設け、上に接続電極１７．Ｎ間絶
縁膜１６を積層して、最後に変調コイル６と入力コイル
７を形成して５ＱＵＩＤとする。このような構造におい
た入力コイル７から微小信号を加え、さらに変調コイル
６に帰還信号を加えて、微小磁束を検出する。本実施例
においては、入力コイル７がすべてＳＱＵ’ＩＤインダ
クタンスの上に積層されているため入力コイル７から５
ＱＵＩＤインダクタンスへの結合係数が大きくできると
いう効果がある。
第３図、第４図は、高温超電導体膜を二層用いて５ＱＵ
ＩＤを構成した実施例の模式図と平面図である。入力コ
イル７と変調コイル６の一部を取り除いて下層の構造を
示している。高温超電導体膜１を加工して開口部３とス
リット４を２組形成する。中央部にジョセフソン接合２
を２個設け、層間絶縁１１１５で絶縁した後、コンタク
トホール８を通して接続電極１８を接続する。このよう
にすると、第１図、第２図で用いている５ＱＵＩＤイン
ダクタンスが並列接続された形になり、インダクタンス
が半減する。このため、ジョセフソン接合２の電流を大
きくしても５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｌ・Ｉｎ〜Φ。
ＩＤを構成した実施例の模式図と平面図である。入力コ
イル７と変調コイル６の一部を取り除いて下層の構造を
示している。高温超電導体膜１を加工して開口部３とス
リット４を２組形成する。中央部にジョセフソン接合２
を２個設け、層間絶縁１１１５で絶縁した後、コンタク
トホール８を通して接続電極１８を接続する。このよう
にすると、第１図、第２図で用いている５ＱＵＩＤイン
ダクタンスが並列接続された形になり、インダクタンス
が半減する。このため、ジョセフソン接合２の電流を大
きくしても５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｌ・Ｉｎ〜Φ。
）に設定でき、大きな出力電圧が得られるという効果が
ある。また、高温動作時にＩｎが大きくできれば、熱雑
音による誤動作を防止できるという効果がある。また、
入力コイル６の結合部が２倍になるため、入力信号を５
ＱＵＩＤに加える結合度を大きくできるという効果があ
る。
ある。また、高温動作時にＩｎが大きくできれば、熱雑
音による誤動作を防止できるという効果がある。また、
入力コイル６の結合部が２倍になるため、入力信号を５
ＱＵＩＤに加える結合度を大きくできるという効果があ
る。
第５図は、高温超電導体膜を２層用いて５ＱＵＩＤを構
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を２組作り、中央部にジョセ
フソン部分を２個作り、層間絶縁膜５で絶縁した後、コ
ンタクトホール８を通して接続電極１８を接続する。こ
の実施例においては第４図の実施例と同様に５ＱＵＩＤ
インダクタンスを並列接続してインダクタンスを減らし
ている。このため、５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｌ・Ｉ
ｎ〜Φ０）に定数を設定し易く、また、ジョセフソン接
合２の超電導電流Ｉｍを大きくでき、熱雑音による誤動
作を防止できるという効果がある。本実施例では接続電
極１８の周辺の電極を小さくして寄生容量が小さいとい
う効果がある。また、第３図、第５図の実施例で、５Ｑ
ＵＩＤインダクタンスを２個並列にしているが、これは
２個以上を並列接続しても同様の効果がある。また、第
２図のように三層の超電導体膜を用いても同様の効果が
ある。
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を２組作り、中央部にジョセ
フソン部分を２個作り、層間絶縁膜５で絶縁した後、コ
ンタクトホール８を通して接続電極１８を接続する。こ
の実施例においては第４図の実施例と同様に５ＱＵＩＤ
インダクタンスを並列接続してインダクタンスを減らし
ている。このため、５ＱＵＩＤの最適動作領域（Ｌ・Ｉ
ｎ〜Φ０）に定数を設定し易く、また、ジョセフソン接
合２の超電導電流Ｉｍを大きくでき、熱雑音による誤動
作を防止できるという効果がある。本実施例では接続電
極１８の周辺の電極を小さくして寄生容量が小さいとい
う効果がある。また、第３図、第５図の実施例で、５Ｑ
ＵＩＤインダクタンスを２個並列にしているが、これは
２個以上を並列接続しても同様の効果がある。また、第
２図のように三層の超電導体膜を用いても同様の効果が
ある。
第６図は高温超電導体膜を二層用いて５ＱＵＩＤを構成
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、それぞれのスリッ
ト４の端部にジョセフソン接合２を１個ずつ形成し、Ｎ
開維縁膜５で絶縁した後コンタクトホール８を通して接
続電極１８を接続する。この実施例においては、５ＱＵ
ＩＤインダクタンスを並列接続してインダクタンスを半
減しているが、第４図、第５図の実施例と異る点は左右
２つの５ＱＵＩＤインダクタンスに磁束が鎖交した場所
の電流が打消し合うようになっていることである。この
ようにすると外部から入ってくる磁束ノイズを打消すこ
とができるという効果がある。この場合には、入力コイ
ル７の向きを左右反対にして、入力コイルからの信号は
打消さないようにする。本実施例においても５ＱＵＩＤ
インダクタンスを小さくでき、最適な動作範囲に設定で
きるという効果がある。
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を２組作り、それぞれのスリッ
ト４の端部にジョセフソン接合２を１個ずつ形成し、Ｎ
開維縁膜５で絶縁した後コンタクトホール８を通して接
続電極１８を接続する。この実施例においては、５ＱＵ
ＩＤインダクタンスを並列接続してインダクタンスを半
減しているが、第４図、第５図の実施例と異る点は左右
２つの５ＱＵＩＤインダクタンスに磁束が鎖交した場所
の電流が打消し合うようになっていることである。この
ようにすると外部から入ってくる磁束ノイズを打消すこ
とができるという効果がある。この場合には、入力コイ
ル７の向きを左右反対にして、入力コイルからの信号は
打消さないようにする。本実施例においても５ＱＵＩＤ
インダクタンスを小さくでき、最適な動作範囲に設定で
きるという効果がある。
第７図は、高温超電導体膜を二層用いてＳＱＵＩＤを構
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を２組作り、５ＱＵＩＤイン
ダクタンスを２個並列接続して、インダクタンス値を半
減して最適な動作範囲に設定している。さらに左右の５
ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消す
ように向きを変えている。このように、最適な動作領域
の設定ができるという効果、磁束ノイズを打消すという
効果の他に、接続電極１８周辺の電極を小さくして寄生
容量が小さいという効果がある。
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して開口部３とスリット４を２組作り、５ＱＵＩＤイン
ダクタンスを２個並列接続して、インダクタンス値を半
減して最適な動作範囲に設定している。さらに左右の５
ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイズを打消す
ように向きを変えている。このように、最適な動作領域
の設定ができるという効果、磁束ノイズを打消すという
効果の他に、接続電極１８周辺の電極を小さくして寄生
容量が小さいという効果がある。
第８図は高温超電導体膜を三層用いて５ＱＵＩ縁膜１９
で絶縁した後、高温超電導体膜１を加工して開口部３と
スリット４を作り、５ＱＵｒＤインダクタンスとし、ジ
ョセフソン接合２を設けている。この上に層間絶縁膜５
で絶縁した後、入力コイル７．変調コイル６を形成して
５ＱＵＩＤとする。本実施例では、５ＱＵＩＤインダク
タンスが超電導グランドプレーンの上に積層されている
ためインダクタンスが減少し、５ＱＵＩＤの最適な動作
範囲を実現できるという効果がある。
で絶縁した後、高温超電導体膜１を加工して開口部３と
スリット４を作り、５ＱＵｒＤインダクタンスとし、ジ
ョセフソン接合２を設けている。この上に層間絶縁膜５
で絶縁した後、入力コイル７．変調コイル６を形成して
５ＱＵＩＤとする。本実施例では、５ＱＵＩＤインダク
タンスが超電導グランドプレーンの上に積層されている
ためインダクタンスが減少し、５ＱＵＩＤの最適な動作
範囲を実現できるという効果がある。
第９図は高温超電導体膜を二層用いて５ＱＵＩＤを構成
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を４組作り、５ＱＵＩＤインダ
クタンスを４個並列接続して、インダクタンス値を４分
の１にして最適な動作範囲に設定している。さらに、こ
れらの５ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイズ
を打消すように向きを変えている。このように、最適な
動作領域の設定でき、大きな出力電圧が得られるという
効果がある。また、外部からの磁束ノイズに影響を受け
にくいという効果がある。
した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工し
て開口部３とスリット４を４組作り、５ＱＵＩＤインダ
クタンスを４個並列接続して、インダクタンス値を４分
の１にして最適な動作範囲に設定している。さらに、こ
れらの５ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイズ
を打消すように向きを変えている。このように、最適な
動作領域の設定でき、大きな出力電圧が得られるという
効果がある。また、外部からの磁束ノイズに影響を受け
にくいという効果がある。
第１０図は高温超電導体膜を二層用いて５ＱＵＩＤを構
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して関口部３とスリット４を４組作り、５ＱＵＩＤイン
ダクタンスを４個並列接続して、インダクタンス値を４
分の１にして最適な動作範囲に設定している。さらに、
これらの５ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイ
ズを打消すように組み合わせている。また、二層目の接
続電極２１の面積を小さくして寄生容量を低減している
。インダクタンスを低減して最適な動作範囲に設定でき
たため大きな出力電圧が得られるという効果があり、磁
束ノイズを打消すことができるためＳ／Ｎ比を良くでき
るという効果がある。
成した実施例の平面図である。高温超電導体膜１を加工
して関口部３とスリット４を４組作り、５ＱＵＩＤイン
ダクタンスを４個並列接続して、インダクタンス値を４
分の１にして最適な動作範囲に設定している。さらに、
これらの５ＱＵＩＤインダクタンスに鎖交する磁束ノイ
ズを打消すように組み合わせている。また、二層目の接
続電極２１の面積を小さくして寄生容量を低減している
。インダクタンスを低減して最適な動作範囲に設定でき
たため大きな出力電圧が得られるという効果があり、磁
束ノイズを打消すことができるためＳ／Ｎ比を良くでき
るという効果がある。
さらに寄生容量を減しているため、周波数特性を拡大し
たり出力電圧を大きくできるという効果がある。インダ
クタンスの並列接続は２個以上ならば同等の効果が期待
できる。
たり出力電圧を大きくできるという効果がある。インダ
クタンスの並列接続は２個以上ならば同等の効果が期待
できる。
第１１図は高温超電導体膜−層の基板を２枚用いて５Ｑ
ＵＩＤを構成した実施例の模式図である。
ＵＩＤを構成した実施例の模式図である。
基板２１に形成した高温超電導体膜１を加工して開口部
３及びスリット４を形成する。一方、別の基板２２上に
も高温超電導体膜を形成し、それを加工して変調コイル
６と入力コイルを形成する。
３及びスリット４を形成する。一方、別の基板２２上に
も高温超電導体膜を形成し、それを加工して変調コイル
６と入力コイルを形成する。
これら２枚の基板を間に層間絶縁膜５をはさんで密着さ
せて、５ＱＵＩＤを構成する。層間絶縁膜５はどちらの
基板上に形成しても良い。このようにすると高温超電導
体膜による５ＱＵＩＤを簡単に構成できるという効果が
ある。
せて、５ＱＵＩＤを構成する。層間絶縁膜５はどちらの
基板上に形成しても良い。このようにすると高温超電導
体膜による５ＱＵＩＤを簡単に構成できるという効果が
ある。
以上の実施例で用いるジョセフソン接合としては、超電
導体膜の線幅あるいは膜厚を小さくしたブリッジ形接合
や、サンドイッチ形接合、近接効果形接合を用いること
ができる。
導体膜の線幅あるいは膜厚を小さくしたブリッジ形接合
や、サンドイッチ形接合、近接効果形接合を用いること
ができる。
［発明の効果］
本発明によれば、高温治電導体で５ＱＵＩＤを構成し、
高温で動作させることができるので、生体磁気計測など
の微小磁界測定が容易にできるという効果がある。
高温で動作させることができるので、生体磁気計測など
の微小磁界測定が容易にできるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図。
第３図、第８図及び第１１図は本発明の他の実施例を示
す模式図、第４図、第５図、第６図、第７図、第９図及
び第１０図は本発明の他の実施例の平面構成を示す図で
ある。 １・・・高温超電導体膜、２・・・ジョセフソン接合、
３・・・開口部、４・・・スリット、５・・・層間絶縁
膜。 ６・・・変調コイル、７・・・入力コイル、８・・・コ
ンタクトホール、９・・・接続電極、１０・・・５ＱＵ
ＩＤ、１１・・・切れ込み、１２・・・定電流電源、１
３・・・位相検波増幅器、１４・・・帰還回路、１５・
・・センサコイル、１６・・・低温部、１７・・・接続
電極、１８・・・接続電極、１９・・・層間絶縁膜、２
ｏ・・・高温超電導体膜、２１・・・基板、２２・・・
基板。 １７ 回（１１） 箋 ２ 口 ８４圓 ８ｇ羽 ７２面 ２ｂ タ １ｌｆｆｉ 、ぐ 第７θ回 −ぐ
す模式図、第４図、第５図、第６図、第７図、第９図及
び第１０図は本発明の他の実施例の平面構成を示す図で
ある。 １・・・高温超電導体膜、２・・・ジョセフソン接合、
３・・・開口部、４・・・スリット、５・・・層間絶縁
膜。 ６・・・変調コイル、７・・・入力コイル、８・・・コ
ンタクトホール、９・・・接続電極、１０・・・５ＱＵ
ＩＤ、１１・・・切れ込み、１２・・・定電流電源、１
３・・・位相検波増幅器、１４・・・帰還回路、１５・
・・センサコイル、１６・・・低温部、１７・・・接続
電極、１８・・・接続電極、１９・・・層間絶縁膜、２
ｏ・・・高温超電導体膜、２１・・・基板、２２・・・
基板。 １７ 回（１１） 箋 ２ 口 ８４圓 ８ｇ羽 ７２面 ２ｂ タ １ｌｆｆｉ 、ぐ 第７θ回 −ぐ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超電導インダクタンス用の高温超電導体膜電極と、
ジョセフソン接合と基板、層間絶縁膜、配線用の高温超
電導体膜電極から成る超電導量子干渉計において、超電
導インダクタンス用の高温超電導体膜電極の中心部に開
口を設け、そこからスリットを外周近傍まで延ばし、当
該スリットの両側にジョセフソン接合を設けた後、層間
絶縁膜を積層し、さらに配線用の高温超電導体膜を形成
、加工して変調コイル及び入力コイルを形成したことを
特徴とする超電導量子干渉計。 ２、特許請求の範囲第１項の超電導量子干渉計において
、配線用の高温超電導体膜及び層間絶縁膜を２層以上積
層して入力コイルの端子を取り出すことを特徴とする超
電導量子干渉計。 ３、特許請求の範囲第１項の超電導量子干渉計において
、超電導インダクタンス用の高温超電導体膜に２個の開
口部を設け、当該２個の開口部が始まる２本のスリット
を設け、当該２本のスリットの端部が近接した領域に２
個のジョセフソン接合を設け、超電導インダクタンスが
並列接続により、当該超電導インダクタンスの値が減少
することを特徴とする超電導量子干渉計。 ４、特許請求の範囲第３項の超電導量子干渉計において
、ジョセフソン接合周辺の電極面積を小さくしたことを
特徴とする超電導量子干渉計。 ５、特許請求の範囲第３項の超電導量子干渉計において
、超電導インダクタンスの形状をＳ字状に形成しことを
特徴とする超電導量子干渉計。 ６、特許請求の範囲第１項の超電導量子干渉計において
、高温超電導体膜及び層間絶縁膜によるグランドプレー
ンを設けたことを特徴とする超電導量子干渉計。 ７、特許請求の範囲第５項の超電導量子干渉計において
、超電導インダクタンスの形状をＳ字を直交させる形状
に形成したことを特徴とする超電導量子干渉計。 ８、特許請求の範囲第１項の超電導量子干渉計において
、配線用の高温超電導体膜を超電導インダクタンスを形
成する基板と別の基板に形成することを特徴とする超電
導量子干渉計。 ９、特許請求の範囲第１項の超電導量子干渉計において
、高温超電導体膜として、Ｃａ、Ｓｅ、Ｓｃ、Ｙ、希土
類元素、バリウム、銅のいずれかを含む混合酸化物を用
いることを特徴とする超電導量子干渉計。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023669A JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
| EP19890101953 EP0327123B1 (en) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Superconducting quantum interference device |
| DE1989607737 DE68907737T2 (de) | 1988-02-05 | 1989-02-03 | Supraleitende Quanteninterferenzanordnung (SQUID). |
| US07/884,473 US5218297A (en) | 1988-02-05 | 1992-05-13 | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023669A JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200679A true JPH01200679A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2749048B2 JP2749048B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12116895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023669A Expired - Lifetime JP2749048B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 超電導量子干渉計 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0327123B1 (ja) |
| JP (1) | JP2749048B2 (ja) |
| DE (1) | DE68907737T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH042979A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Seiko Instr Inc | 高感度磁場検出器 |
| JPH07191113A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019978A1 (en) * | 1987-05-11 | 1992-11-12 | Datalight Limited | Portable nmr and nqr spectrometers |
| JP2893714B2 (ja) * | 1989-05-25 | 1999-05-24 | 株式会社日立製作所 | 薄膜型ｓｑｕｉｄ磁束計およびこれを用いた生体磁気計測装置 |
| US5053834A (en) * | 1990-08-31 | 1991-10-01 | Quantum Magnetics, Inc. | High symmetry dc SQUID system |
| JPH05297089A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気センサ |
| AU5126493A (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-27 | Conductus, Inc. | Improved squid coupling structure |
| US5600243A (en) * | 1993-09-07 | 1997-02-04 | Conductus, Inc. | Magnetically shielded magnetic sensor with squid and ground plane |
| DE19513481A1 (de) * | 1995-04-13 | 1996-10-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | HF-SQUID-Gradiometer mit resonanter Flußfokussierungsstruktur |
| FI102695B1 (fi) * | 1996-06-11 | 1999-01-29 | Nanoway Oy | CB-Tunnelointiin perustuva lämpömittari |
| JP5771137B2 (ja) | 2011-12-21 | 2015-08-26 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 高温超電導磁気センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59148890A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | センサ−用磁気結合回路 |
| JPS61196587A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 直流駆動型超伝導量子干渉素子 |
| JPS6370089U (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-11 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3769201D1 (de) * | 1986-05-21 | 1991-05-16 | Siemens Ag | Squid-magnetometer fuer eine vorrichtung zur messung schwacher magnetfelder. |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023669A patent/JP2749048B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-03 DE DE1989607737 patent/DE68907737T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-03 EP EP19890101953 patent/EP0327123B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPH07191113A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0327123A2 (en) | 1989-08-09 |
| EP0327123B1 (en) | 1993-07-28 |
| DE68907737T2 (de) | 1993-11-11 |
| DE68907737D1 (de) | 1993-09-02 |
| EP0327123A3 (en) | 1989-12-13 |
| JP2749048B2 (ja) | 1998-05-13 |
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