JPS5839064A - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ - Google Patents
絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5839064A JPS5839064A JP13810181A JP13810181A JPS5839064A JP S5839064 A JPS5839064 A JP S5839064A JP 13810181 A JP13810181 A JP 13810181A JP 13810181 A JP13810181 A JP 13810181A JP S5839064 A JPS5839064 A JP S5839064A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- igfet
- terminals
- gate electrode
- current
- conductance
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタの電極構造に関するものである。
従来、この種の電界効果トランジスタはインピーダンス
の高いゲート電極に電圧を印加し、その電極の一様な電
位により、ソース及びドレイン間のコンダクタンスの変
化を得るものであり、ゲート電極上に定常的な電流は流
れない構造であった。
の高いゲート電極に電圧を印加し、その電極の一様な電
位により、ソース及びドレイン間のコンダクタンスの変
化を得るものであり、ゲート電極上に定常的な電流は流
れない構造であった。
また、素子のゲートしきい値電圧（Ｖｔｈ）は製造工程
及びその幾何学的構造により決定され、集積回路等に於
て、同一チップ内に異なるしきい値電圧をもつ素子を設
ける為には、製造工程の追加を必要とした。従って、こ
の種の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ
と略す）を用いて、低人出インピーダンス回路や、電気
的に異なるしきい値電圧を得たい場合には、トランジス
タ外部に抵抗等の素子を付加し、整合回路やバイアス回
路を構成する必要があシ、集積度を上げることが困難で
あるという欠点があった。
及びその幾何学的構造により決定され、集積回路等に於
て、同一チップ内に異なるしきい値電圧をもつ素子を設
ける為には、製造工程の追加を必要とした。従って、こ
の種の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ
と略す）を用いて、低人出インピーダンス回路や、電気
的に異なるしきい値電圧を得たい場合には、トランジス
タ外部に抵抗等の素子を付加し、整合回路やバイアス回
路を構成する必要があシ、集積度を上げることが困難で
あるという欠点があった。
本発明は、ゲート電極の端又は途中に少なくとも２つの
端子を設けることによシ、ゲート電極自身を抵抗素子と
して用いると同時に、ゲート電極上に電流を流し電位の
傾きを与えることにより、製造工程に何らの追加、変更
を行なうことなく、上記欠点を解消した、電気回路を構
成できるようなＩＧＦＥＴを提供するものである。
端子を設けることによシ、ゲート電極自身を抵抗素子と
して用いると同時に、ゲート電極上に電流を流し電位の
傾きを与えることにより、製造工程に何らの追加、変更
を行なうことなく、上記欠点を解消した、電気回路を構
成できるようなＩＧＦＥＴを提供するものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明の第１の実施例は、第１図に示すようにゲート電
極１０両端に端子２及び３を設け、第２図により電気的
に示されるようなＩＧＦＥＴを構成したものである。第
２図の５，６（すなわち、第１図の２．３）の間に電圧
を加え、電流を流すと、このＩＧＦＥＴのチャンネル領
域には、電位の傾きが生じ、各微小部分がその電位に応
じたソース−ドレイン間のコンダクタンスを持ち、その
結果全体として端子７．８間（第１図の４０関）がある
コンダクタンスを持つ。従ってゲート端子５，６間の電
流の変化がソース及びドレイン（７，８）間のコンダク
タンスの変化となシ、このＩＧＦＢＴは電流増幅素子と
して動作する。
極１０両端に端子２及び３を設け、第２図により電気的
に示されるようなＩＧＦＥＴを構成したものである。第
２図の５，６（すなわち、第１図の２．３）の間に電圧
を加え、電流を流すと、このＩＧＦＥＴのチャンネル領
域には、電位の傾きが生じ、各微小部分がその電位に応
じたソース−ドレイン間のコンダクタンスを持ち、その
結果全体として端子７．８間（第１図の４０関）がある
コンダクタンスを持つ。従ってゲート端子５，６間の電
流の変化がソース及びドレイン（７，８）間のコンダク
タンスの変化となシ、このＩＧＦＢＴは電流増幅素子と
して動作する。
第２の実施例として、第３図及び第４図に示すようなＩ
ＧＦＥＴを構成する。第４図の抵抗値Ｒ１ｔ −Ｒ１＊
、及びＲＬはゲート電極の材質２幅及び厚さから定ま
る定数Ｒと第３図１１．ｌｔ、Ｌだけから定まるので、
第４図の各端子１１〜１６を適当に結線することによシ
、容易にバイアス回路を構成することができる。
ＧＦＥＴを構成する。第４図の抵抗値Ｒ１ｔ −Ｒ１＊
、及びＲＬはゲート電極の材質２幅及び厚さから定ま
る定数Ｒと第３図１１．ｌｔ、Ｌだけから定まるので、
第４図の各端子１１〜１６を適当に結線することによシ
、容易にバイアス回路を構成することができる。
以上の例のように、本発明によれば、同一チップ上に、
何ら製造工程上の変更又は追加なくして。
何ら製造工程上の変更又は追加なくして。
幾何学的設計だけにより、任意の複数個の回路上のしき
い値や入出力インピーダンスを有するＩＧＦＥＴ回路を
構成することができる。これらのことは、ＭＯ８集積回
路などに於て、論理回路、記憶回路、線部増幅回路等が
混在する場合の実現方法として極めて有効なものである
。
い値や入出力インピーダンスを有するＩＧＦＥＴ回路を
構成することができる。これらのことは、ＭＯ８集積回
路などに於て、論理回路、記憶回路、線部増幅回路等が
混在する場合の実現方法として極めて有効なものである
。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はそれ
の等価回路を示したものである。 第３図社本発明の第二の実施例を示す平面図、第４図は
それを電気的に表わす等価回路図である。 図において、１・・・・・・ゲート電極％ ４＋７１８
Ｆ１３．１４・・・°・°ソース、ドレイン％２？３ｊ
５１６．９〜１２・・・・・・ゲート端子。 第２図 始３図 第４図
の等価回路を示したものである。 第３図社本発明の第二の実施例を示す平面図、第４図は
それを電気的に表わす等価回路図である。 図において、１・・・・・・ゲート電極％ ４＋７１８
Ｆ１３．１４・・・°・°ソース、ドレイン％２？３ｊ
５１６．９〜１２・・・・・・ゲート端子。 第２図 始３図 第４図
Claims (1)
- ゲート電極上に少なくとも２つの端子をもち、それらの
端子間に電流を流して用いることを特徴とする絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810181A JPS5839064A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810181A JPS5839064A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839064A true JPS5839064A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15213969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13810181A Pending JPS5839064A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839064A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602170A (en) * | 1983-09-08 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Resistive gate field effect transistor logic family |
| US5406576A (en) * | 1992-07-09 | 1995-04-11 | Nec Corporation | High power ion laser tube having discharge portion of amorphous carbon |
| WO2001050537A1 (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-12 | Robert Patti | Bipolar transistor that can be fabricated in cmos |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13810181A patent/JPS5839064A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602170A (en) * | 1983-09-08 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Resistive gate field effect transistor logic family |
| US5406576A (en) * | 1992-07-09 | 1995-04-11 | Nec Corporation | High power ion laser tube having discharge portion of amorphous carbon |
| WO2001050537A1 (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-12 | Robert Patti | Bipolar transistor that can be fabricated in cmos |
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