JPS5967704A - Mosfet演算増幅器 - Google Patents

Mosfet演算増幅器

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Publication number
JPS5967704A
JPS5967704A JP17657382A JP17657382A JPS5967704A JP S5967704 A JPS5967704 A JP S5967704A JP 17657382 A JP17657382 A JP 17657382A JP 17657382 A JP17657382 A JP 17657382A JP S5967704 A JPS5967704 A JP S5967704A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistors
trs
selecting
offset adjustment
operational amplifier
Prior art date
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Pending
Application number
JP17657382A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Tabata
田端 潤一
Sadayuki Shimoda
貞之 下田
Kaoru Takahashi
薫 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Publication of JPS5967704A publication Critical patent/JPS5967704A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、差動増幅器を初段に用いたMOSF]’DT
演算増幅器に関するものである。
従来、MO8FET演算増幅器の初段は、第1図に示す
ような差動増幅器によって構成されている。トランジス
タ1.2のソースはそれぞれ抵抗7.8を通して正電源
VDD  に接続され、トランジスタ3,4のソースは
トランジスタ5を通して負電源Vss  に接続されて
いる。またトランジスタ1と2のゲートは結線され、ト
ランジスタ1と3のドレインの接続点に結線されている
。差動出力6はトランジスタ2及び4の接続点から取り
出される。トランジスタ3及び4のゲートには信号が入
力されトランジスタ5のゲートには一定電圧がかかって
いる。
ところで、上記のような回路を集積回路化する場合、レ
イアウト上の位置関係及びプロセスのバラツキ等から、
例えばトランジスタ3及び4を全く同一サイズ及び同一
閾値’FIL圧でねらいこんでもその両者の特性には、
差異が生じてしまうことは周知のことである。これがい
わゆる演算増幅器のオフセット電圧として知られている
ものである。
このオフセット電圧の除失法として種々の方法が考案さ
れているが、第1図で示された抵抗7.8もその一例で
ある。この方法では、外部から可変抵抗器を端子9,1
0と正電源端子11との間に接続し、端子9と11及び
端子10と11の間の抵抗値を可変することによって、
オフセット電圧による回路の不平衡を吸収してしまうわ
けであるところが、トランジスタ1と2はPチャネルト
ランジスタであり、通常のCMOSプロセスを使用する
と、抵抗7,8がソー・スと正電源間に挿入されている
ため、トランジスタ1と2のソースと基板間に抵抗7.
8の電圧降下分だけの電位差が生じ、これがトランジス
タ1と2の閾値電圧を増加させてしまう。これがいわゆ
るバックゲート効果といわれるものである。このバック
ゲート効果による閾値?It I−Eの増加しjl、ト
ランジスタ1,2のコンダクタンスを減少させ、しいて
はOMRRの劣化を引き起こす。また、閾値電圧の変動
を起こすことから、その解析が困難になり、V組上やっ
かいなものになってしまうという欠点がある。
本発明は−に記欠点を除去するためになされたもので、
オフセット調整が容易でかつ設計の容易な演算増幅器を
提供することを目的としている。
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。第2図
において、Pチャネルトランジスタ1.2のソースは直
接正電源VDD  に、トランジスタ6.4のソースは
トランジスタ5を通して負電源yss  に接続されて
いる。トランジスタ3,4のゲートには信号が入力され
、トランジスタ5のゲートには一定電圧が印加される。
トランジスタ1と2のゲートは共にトランジスタ1と6
のドレインに接続されている。トランジスタ1と6のド
レインと正電源’VDD  との間に、選択スイッチ7
を介して、トランジスタ8(Z、81!1,8Cが並列
に接続されている。また同様にトランジスタ2と4のド
レインと正電源VDD  との間に選択スイッチ7を介
してトランジスタ8σ、t3b、F3aが並列に接続さ
れている。トランジスタF3a、8b。
8Cのゲートは負電源VSS  に接続されている。
トランジスタ8α、f3b、F1aはオフセット調整用
のON抵抗として利用するので、それぐれサイズを変え
ておけば、異った抵抗値が得られる。
そして、選択スイッチ7によってトランジスタ8α、8
h、8cのいずれか又は組合せを選ぶことにより、オフ
セット調整をする。本実施例では、オフセット調整用の
トランジスタは8α18h。
8Cと3つであるが、このトランジスタの数を増やせば
容易に調整の精度を向上できる。また、選択スイッチ7
は電気的でも機械的なスイッチでもよく、公知の技術で
実現できる。
以上のように本発明においては、回路構成上Pチャネル
トランジスタのソースと基板を同電位にしたものである
から、バックゲート効果による悪影響や、設言1上のわ
ずられしさをなくしたという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の実施例回路図、第2図は本発明による実
施例回路図である。 1.2・・・・・・Pチャネルトランジスタ3.4.5
・・・・・・Nチャネルトランジスタ7・・・・・・選
択スイッチ 一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 差動増幅器を初段に用いたMO8FFiT演算増幅器に
    おいて、前記差動増幅器の負荷トランジスタを構成する
    Pヂャネルトランジスタと並列に、MOS)ランジスタ
    を複数個選択スイッチを介して接続し、前記選択スイッ
    チによって、前記MOS)ランジスタを複数個の中から
    選択してオフセラ) Md整をすることを特徴としたM
    O3FET演算増幅器。
JP17657382A 1982-10-07 1982-10-07 Mosfet演算増幅器 Pending JPS5967704A (ja)

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