JPH02199876A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH02199876A JPH02199876A JP1019140A JP1914089A JPH02199876A JP H02199876 A JPH02199876 A JP H02199876A JP 1019140 A JP1019140 A JP 1019140A JP 1914089 A JP1914089 A JP 1914089A JP H02199876 A JPH02199876 A JP H02199876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- reflection mirror
- multilayer film
- dielectric multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超高速・大容量な光通信システムの主構成要
素となる半導体受光素子に関する。
素となる半導体受光素子に関する。
１μｍ帯における光通信の長距離・大容量化にともなっ
て、超高速で動作する受光素子の要求が高まっている。
て、超高速で動作する受光素子の要求が高まっている。
受光素子の応答は、ｌ）受光素子及び負荷回路のＣＲ時
定数、２）空乏層内部の光キヤリア走行時間、３）空乏
層外部で発生した光キヤリア拡散時間、４）へテロ接合
のバンド不連続による光キヤリアトラップ等によって定
まる。素子の層構造の最適化と受光面積の縮小化によっ
て、ＣＲ時定数、光キヤリア拡散時間・バンド不連続に
よる光キヤリアトラップ等による制限を最小限にして、
はぼ光キヤリア走行時間で決まる超高速な受光素子が提
案されている。超高速な受光素子として、例えばミウラ
（Ｓ、Ｍｉｕｒａ）らによりジャーナル オン ライト
ウェーブ チクロッジ−誌（Ｊｏｕｒａｎｌ ｏｒ
Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｖｏ
ｌ、ＬＴ−５ＮａｌＯ，ｐｐ、１３７１−１３７６．１
９８７）に詳しい記載がある。
定数、２）空乏層内部の光キヤリア走行時間、３）空乏
層外部で発生した光キヤリア拡散時間、４）へテロ接合
のバンド不連続による光キヤリアトラップ等によって定
まる。素子の層構造の最適化と受光面積の縮小化によっ
て、ＣＲ時定数、光キヤリア拡散時間・バンド不連続に
よる光キヤリアトラップ等による制限を最小限にして、
はぼ光キヤリア走行時間で決まる超高速な受光素子が提
案されている。超高速な受光素子として、例えばミウラ
（Ｓ、Ｍｉｕｒａ）らによりジャーナル オン ライト
ウェーブ チクロッジ−誌（Ｊｏｕｒａｎｌ ｏｒ
Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｖｏ
ｌ、ＬＴ−５ＮａｌＯ，ｐｐ、１３７１−１３７６．１
９８７）に詳しい記載がある。
これによる、半絶縁性基板上にＰ、ＩＮフォトダイオー
ドを選択的に形成し、かつ半絶縁性基板上にポンディン
グパッドを形成した構造の採用、２０μｍの串受光径化
によって０．θ８ｐＦの低容量化と１４Ｇｌ（ｚの高速
応答が実現されている。この素子は、高速低容量である
ばかりでなく、半絶縁性基板を用い、表面が平坦化され
ているため、電子素子とのモノリシック集積に適した構
造である。
ドを選択的に形成し、かつ半絶縁性基板上にポンディン
グパッドを形成した構造の採用、２０μｍの串受光径化
によって０．θ８ｐＦの低容量化と１４Ｇｌ（ｚの高速
応答が実現されている。この素子は、高速低容量である
ばかりでなく、半絶縁性基板を用い、表面が平坦化され
ているため、電子素子とのモノリシック集積に適した構
造である。
しかしながら、第３図に示すように従来例に於いては直
径３５μｍの選択亜鉛拡散を施したｐ形反転領域１５上
に内径２０μｍのリング状のオーミック電極１９を設は
受光面を形成している為、オーミック電極の外側に光を
感じる領域が存在する。受光径が２０μｍと小さいため
光ファイバーとの結合に大きな制約がある。光ファイバ
ーの結合ずれなどによる迷光があると、空乏層の外部で
発生した光キャリアの拡散電流成分によってパルス応答
に波尾を引くようになってＩ Ｇｂ／ｇ以上の高速応答
が不可能になるという欠点があった。この欠点を解決す
るために、オーミック電極の周囲を金属膜で覆い受光面
以外での光吸収をなくすことが考えられる。しかし、金
属膜を用いると受光素子層との間に０．２ＰＦ程度の大
きな容量が生じ、ＣＲ時定数によって応答が制限される
という問題があった。
径３５μｍの選択亜鉛拡散を施したｐ形反転領域１５上
に内径２０μｍのリング状のオーミック電極１９を設は
受光面を形成している為、オーミック電極の外側に光を
感じる領域が存在する。受光径が２０μｍと小さいため
光ファイバーとの結合に大きな制約がある。光ファイバ
ーの結合ずれなどによる迷光があると、空乏層の外部で
発生した光キャリアの拡散電流成分によってパルス応答
に波尾を引くようになってＩ Ｇｂ／ｇ以上の高速応答
が不可能になるという欠点があった。この欠点を解決す
るために、オーミック電極の周囲を金属膜で覆い受光面
以外での光吸収をなくすことが考えられる。しかし、金
属膜を用いると受光素子層との間に０．２ＰＦ程度の大
きな容量が生じ、ＣＲ時定数によって応答が制限される
という問題があった。
本発明の目的は、これらの欠点を除去し迷光の影響がな
く光応答がほぼ空乏層内部で生じた光キャリアの走行時
間できまる超高速な受光素子を提供することにある。
く光応答がほぼ空乏層内部で生じた光キャリアの走行時
間できまる超高速な受光素子を提供することにある。
本発明は、・半絶縁性半導体基板上に形成された半導体
層を含んでなる受光素子に於いて、前記半導体層の一部
に形成された受光面が誘電体多層膜からなる高反射鏡で
囲まれていることを特徴とするものである。又、前記半
絶縁性半導体基板上に電子素子が形成されてなる光電子
集積回路に、本発明の半導体受光素子を適用すると一層
効果的である。
層を含んでなる受光素子に於いて、前記半導体層の一部
に形成された受光面が誘電体多層膜からなる高反射鏡で
囲まれていることを特徴とするものである。又、前記半
絶縁性半導体基板上に電子素子が形成されてなる光電子
集積回路に、本発明の半導体受光素子を適用すると一層
効果的である。
受光面が誘電体多層膜からなる高反射鏡で囲まれている
から、迷光は高反射鏡で反射され受光面以外での光吸収
がなくなる。空乏層の外部での光吸収がないため光キャ
リアの拡散電流がなくなる。さらに誘電体多層膜で高反
射鏡を形成しているため受光素子層との間に余分な容量
が発生しない。従って、光応答がほぼ空乏層内で生じな
光キャリアの走行時間で決まる超高速な受光素子が得ら
れる。
から、迷光は高反射鏡で反射され受光面以外での光吸収
がなくなる。空乏層の外部での光吸収がないため光キャ
リアの拡散電流がなくなる。さらに誘電体多層膜で高反
射鏡を形成しているため受光素子層との間に余分な容量
が発生しない。従って、光応答がほぼ空乏層内で生じな
光キャリアの走行時間で決まる超高速な受光素子が得ら
れる。
次に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の主要部を示す受
光素子の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。
光素子の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。
この実施例は、ＦｅドープのＩｎＰからなる半絶縁性半
導体基板１０上に選択的に形成された半導体層である第
１．第２のバッファー層１１，１２、光吸収層１３、入
射光に対して透明なウィンドウ層１４を含んでなるＰＩ
Ｎフォトダイオードにおいて、受光面となるｐ形反転領
域１５の周囲に誘電体多層膜からなる高反射鏡１６を有
するものである。
導体基板１０上に選択的に形成された半導体層である第
１．第２のバッファー層１１，１２、光吸収層１３、入
射光に対して透明なウィンドウ層１４を含んでなるＰＩ
Ｎフォトダイオードにおいて、受光面となるｐ形反転領
域１５の周囲に誘電体多層膜からなる高反射鏡１６を有
するものである。
次に、この実施例の製造方法について説明する。ＳｉＯ
□膜をマスクにして、ＦｅドープのＩｎＰからなる半絶
縁性半導体基板１ｏを塩酸・燐酸からなる混合液を用い
てエツチングし、幅２００μｍ深さ５μｍの溝を形成す
る。次に、この５ｉ０２膜をマスクとして利用し、液相
成長法又は気相成長法又は分子線成長法により、ｎ −
１ｎＰからなる第１のバッファー層１１（厚さ１．０μ
ｍ、キャリア濃度１ Ｘ １０ ”Ｃａ１−’） 、ｎ
−１ｎＰからなる第２のバッファー層１２（厚さ０．
５μｍ、キャリア濃度５Ｘ１０ ”Ｃａ１−３） 、
ｎ −１１１０，７Ｃ１１０，５３Ａｌｌからなる光吸
収層１３（厚さ２．５μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０
層ｇｃＩ１１−’ ） 、ｎ −１ｎＰからなるウィン
ドウ層１４（厚さ１．０μｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １
０１６ｃｍ−３）を溝内に選択的に成長させる。次にウ
ィンドウ層１４の表面から選択的に亜鉛を拡散してｐ形
反転領域１５をウィンドウ層中に形成する。ｐ形反転領
域１５の周囲を囲むようにアモルファスシリコン（屈折
率３．４、厚さ９６ｎｍ）と５ｉ０２（屈折率！、５２
、厚さ２１４ｎｍ）の４層の多層膜からなる高反射鏡１
６を形成する。この場合反射率は９８％となる。更に、
受光面にＳｉＮｘからなる無反射膜１７（厚さ２００ｎ
ｍ）を形成後、＾ｕＧｅＮｉからなるｎ電極１８、Ａｕ
Ｚｎからなるｐ電極１９、＾ｕ／Ｔ ｉからなる配線２
０とポンディングパッド２１を形成し、半導体受光素子
が完成する。
□膜をマスクにして、ＦｅドープのＩｎＰからなる半絶
縁性半導体基板１ｏを塩酸・燐酸からなる混合液を用い
てエツチングし、幅２００μｍ深さ５μｍの溝を形成す
る。次に、この５ｉ０２膜をマスクとして利用し、液相
成長法又は気相成長法又は分子線成長法により、ｎ −
１ｎＰからなる第１のバッファー層１１（厚さ１．０μ
ｍ、キャリア濃度１ Ｘ １０ ”Ｃａ１−’） 、ｎ
−１ｎＰからなる第２のバッファー層１２（厚さ０．
５μｍ、キャリア濃度５Ｘ１０ ”Ｃａ１−３） 、
ｎ −１１１０，７Ｃ１１０，５３Ａｌｌからなる光吸
収層１３（厚さ２．５μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０
層ｇｃＩ１１−’ ） 、ｎ −１ｎＰからなるウィン
ドウ層１４（厚さ１．０μｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １
０１６ｃｍ−３）を溝内に選択的に成長させる。次にウ
ィンドウ層１４の表面から選択的に亜鉛を拡散してｐ形
反転領域１５をウィンドウ層中に形成する。ｐ形反転領
域１５の周囲を囲むようにアモルファスシリコン（屈折
率３．４、厚さ９６ｎｍ）と５ｉ０２（屈折率！、５２
、厚さ２１４ｎｍ）の４層の多層膜からなる高反射鏡１
６を形成する。この場合反射率は９８％となる。更に、
受光面にＳｉＮｘからなる無反射膜１７（厚さ２００ｎ
ｍ）を形成後、＾ｕＧｅＮｉからなるｎ電極１８、Ａｕ
Ｚｎからなるｐ電極１９、＾ｕ／Ｔ ｉからなる配線２
０とポンディングパッド２１を形成し、半導体受光素子
が完成する。
第２図は、第２の実施例の主要部を示す断面図である。
この実施例は第１の実施例である半導体受光素子を光素
子集積回路に適用したものである。この実施例の製造方
法について説明する。第１の実施例と同様にして半導体
受光素子の結晶成長を行った後、５ｉ０２膜をマスクと
して用いて半絶縁性半導体基板１０を深さ１μｍμｍフ
ェッチバック気相成長法又は分子線成長法によりノシド
ープＧａＡｓからなる第３のバッファー層２２（厚さ１
μｍ ） 、ｎ−ＧａＡｓからなるチャネル層２３（厚
さ０．４ μｍ、 ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”Ｃ１１−
’）を成長させる。
子集積回路に適用したものである。この実施例の製造方
法について説明する。第１の実施例と同様にして半導体
受光素子の結晶成長を行った後、５ｉ０２膜をマスクと
して用いて半絶縁性半導体基板１０を深さ１μｍμｍフ
ェッチバック気相成長法又は分子線成長法によりノシド
ープＧａＡｓからなる第３のバッファー層２２（厚さ１
μｍ ） 、ｎ−ＧａＡｓからなるチャネル層２３（厚
さ０．４ μｍ、 ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”Ｃ１１−
’）を成長させる。
チャネル層２３を選択的にエツチング除去しＦＥＴ形成
領域を区画する。第１の実施例の半導体受光素子の製造
プロセスの他、＾ｕＧｅＮｉからなるソース電極２４、
ドレイン電極２５ 、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるゲート
電極２６を形成し、第２の実施例である光電子集積回路
が完成する。
領域を区画する。第１の実施例の半導体受光素子の製造
プロセスの他、＾ｕＧｅＮｉからなるソース電極２４、
ドレイン電極２５ 、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるゲート
電極２６を形成し、第２の実施例である光電子集積回路
が完成する。
この様に、受光面の周囲を誘電体多層膜からなる高反射
鏡で囲むことにより、迷光は高反射鏡で反射され受光面
以外での光吸収がなくなる。空乏層の外部での光吸収が
ないため光キャリアの拡散電流がなくなる。この高反射
鏡は誘電体であるので受光素子層との間に余分な容量が
発生しない。
鏡で囲むことにより、迷光は高反射鏡で反射され受光面
以外での光吸収がなくなる。空乏層の外部での光吸収が
ないため光キャリアの拡散電流がなくなる。この高反射
鏡は誘電体であるので受光素子層との間に余分な容量が
発生しない。
従って、光応答がほぼ空乏層内部で生じた光キャリアの
走行時間で決まる超高速な受光素子が実現できる。さら
にこの受光素子を光電子集積回路に適用すると、さらな
る高速高感度な受光素子が実現できる。
走行時間で決まる超高速な受光素子が実現できる。さら
にこの受光素子を光電子集積回路に適用すると、さらな
る高速高感度な受光素子が実現できる。
尚、上記の実施例に於いては寸法例も示したが、結晶成
長の様子は成長法・条件等で大幅に変化するからそれら
と共に適切な寸法を採用すべきことは言うまでもない、
又、電極金属・配線金属の種類に関して制限はない。半
導体受光素子はＰＩＮフォトダイオードに限らずアバラ
ンシフォトダイオード（ＡＰＤ）等、他のタイプの受光
素子であってもよい。また電子素子に関してもＭＥＳＦ
ＥＴの他ＭＩ ５ＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＨＢＴ等でもよい
。
長の様子は成長法・条件等で大幅に変化するからそれら
と共に適切な寸法を採用すべきことは言うまでもない、
又、電極金属・配線金属の種類に関して制限はない。半
導体受光素子はＰＩＮフォトダイオードに限らずアバラ
ンシフォトダイオード（ＡＰＤ）等、他のタイプの受光
素子であってもよい。また電子素子に関してもＭＥＳＦ
ＥＴの他ＭＩ ５ＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＨＢＴ等でもよい
。
以上詳述したように、本発明によれば、半絶縁性半導体
基板上に形成された半導体層を含んでなる受光素子に於
いて、前記半導体層の一部に選択的に形成された受光面
が誘電体からなる高反射鏡で囲まれていることによって
迷光による拡散電流がなくなり且つ寄生容量の増加がな
いため、光応答がほぼ空乏層内部で生じた光キャリアの
走行時間で決まる超高速な受光素子が実現できる。
基板上に形成された半導体層を含んでなる受光素子に於
いて、前記半導体層の一部に選択的に形成された受光面
が誘電体からなる高反射鏡で囲まれていることによって
迷光による拡散電流がなくなり且つ寄生容量の増加がな
いため、光応答がほぼ空乏層内部で生じた光キャリアの
走行時間で決まる超高速な受光素子が実現できる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の主要部を示す受
光素子の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。第２図は、第２の実施例の主要部を示
す断面図である。第３図は従来例の受光素子の斜視図で
ある。 １０・・・半絶縁性半導体基板１１・・・第１のバッフ
ァー層、１２・・・第２のバッファー層、１３・・・光
吸収層、１４・・・ウィンドウ層、１５・・・ｐ形反転
領域、１６・・・高反射鏡、１７・・・無反射膜、１８
・・・ｎ電極、１９・・・ｐ電極、２０・・・配線、２
１・・・ポンデイグバッド、２２・・・第３のバッファ
ー層、２３・・・チャネル層、２４・・・ソース電極、
２５・・・ドレイン電極、２６・・・ゲート電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 （ｂ） 肩 図 肩 図
光素子の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ
線断面図である。第２図は、第２の実施例の主要部を示
す断面図である。第３図は従来例の受光素子の斜視図で
ある。 １０・・・半絶縁性半導体基板１１・・・第１のバッフ
ァー層、１２・・・第２のバッファー層、１３・・・光
吸収層、１４・・・ウィンドウ層、１５・・・ｐ形反転
領域、１６・・・高反射鏡、１７・・・無反射膜、１８
・・・ｎ電極、１９・・・ｐ電極、２０・・・配線、２
１・・・ポンデイグバッド、２２・・・第３のバッファ
ー層、２３・・・チャネル層、２４・・・ソース電極、
２５・・・ドレイン電極、２６・・・ゲート電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 （ｂ） 肩 図 肩 図
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板上に形成された半導体層を含んでな
る半導体受光素子に於いて、前記半導体層の一部に形成
された受光面が誘電体多層膜からなる高反射鏡で囲まれ
ていることを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019140A JPH02199876A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019140A JPH02199876A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199876A true JPH02199876A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11991149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1019140A Pending JPH02199876A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199876A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000156520A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子およびその製造方法 |
| KR100520626B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-10-10 | 삼성전자주식회사 | 핀 구조의 포토다이오드 |
| JP2008047580A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1019140A patent/JPH02199876A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000156520A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子およびその製造方法 |
| KR100520626B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-10-10 | 삼성전자주식회사 | 핀 구조의 포토다이오드 |
| JP2008047580A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9276162B2 (en) | Semiconductor photodetector and method for manufacturing the same | |
| US5347601A (en) | Integrated optical receiver/transmitter | |
| US6683326B2 (en) | Semiconductor photodiode and an optical receiver | |
| US5006906A (en) | Integrated semiconductor waveguide/photodetector | |
| JP2001024210A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| JPH03156980A (ja) | 受光素子 | |
| JPH02199876A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US20050161695A1 (en) | Systems and methods having a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector with buried oxide layer | |
| JPH04286168A (ja) | アバランシェ・フォト・ダイオード | |
| JPS6032812B2 (ja) | 光検出器 | |
| JPH05102513A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2841876B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP7485262B2 (ja) | 光導波路型受光素子 | |
| JP2570424B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS60233872A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01175776A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0316275A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPH01264273A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0480973A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2004158763A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS63229867A (ja) | チヤネル導波路形シヨツトキ・フオトダイオード | |
| JPH05304279A (ja) | 光・電子集積回路 | |
| JPS61224468A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0590629A (ja) | フオトダイオード | |
| KR100243411B1 (ko) | 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 광소자 구조및 제조 방법 |