KR930005192A - 가변 내부 전원 전압 레벨용 전압 조정 유니트를 갖는 반도체 집적 회로장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치의 회로 배열을 나타내는 도시도,
제6도는 제5도에 도시된 반도체 집적회로 장치에 포함되는 기준 전압 발생기의 회로 배열을 나타내는 도시도.
Claims (6)
- 가변 기준 전압 레벨(Svr)로 조정된 내부 전원 전압레벨(1Vcc)을 발생하도록 동작하는 내부 원전 유니트(12b), 가변 기준 전압 레벨을 발생하도록 동작하는 기준 전압 발생 유니트를 구비하며, 상기 기준 전압 발생 유니트는, 외부 전원 전압 레벨으로부터 예비 기준 전압 레벨을 발생하는 예비 기준 전압 발생기(12c), 일차 기준전압 레벨(Vref1)을 발생하도록 예비기준 전압 레벨에 응답하는 전압 조정기(12d), 외부 전원 전압 레벨로 부터 임계 전압 레벨 및 이차 기준 전압 레벨을 발생하도록 외부 제어 신호(PON)에 응답하는 이차 기준 전압 발생기(12e,22e), 일차 기준 전압 레벨이 임계 전압 레벨(BREF)보다 높은 동안 가변 기준 전압 레벨을 일차 기준 레벨로 조정하도록 일차 기준 전압 레벨에 응답하는 제1메인 전압 조정기(12g)외부 제어 신호로 인에이블되며, 활성화 신호(BIDM)를 발생하기 위해 임계 전압 레벨 및 일차 기준 전압 레벨을 비교하도록 동작하는 제어기(l2f,22f), 활성화 신호로 활성화되며, 일차 기준 전압 레벨이 임계 전압 레벨보다 더 작은 후 가변 기준 전압 레벨을 이차 기준 전압 레벨로 조정하기 위해 이차 기준 신호로 조정하기 위해 상기 이차 기준 신호에 응답하는 제2메인 전압 조정기(12h)를 구비하는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 리세트 신호로 리세트 상태로 시프트되며, 상기 활성화 신호를 상기 제2메인 전압 조정기에 연속적으로 제공하는 상기 제어기로부터 상기 활성화 신호를 래칭시키는 래칭 수단(12i,22i)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도제 집적 회로장치.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 제어신호(PON)는 상기 래칭 수단에 제공된 상기 리세트 신호로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치.
- 제2항에 있어서, 상기 래칭 수단(12i)은 상기 제1 및 제2NOR게이트의 제1입력 노드에 접속된 각각의 출력 노드를 갖는 제1 및 제2NOR게이트(12j/12k)를 구비하며, 상기 외부 제어 신호(PON)는 상기 제1NOR게이트의 제2입력 노드에 제공되며, 상기 활성화 신호는 상기 제2NOR게이트의 제2입력 노드에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기준 전압 발생 유니트는, 상기 일차 기준 전압 레벨이 상기 이차 기준 전압 레벨보다 더 높게 될 때 상기 리세트 신호를 발생하는 보조 제어기(23)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치.
- 제4항에 있어서, 상기 보조 제어기(23)는 상기 이차기준 전압 레벨보다 더 높은 상기 일차 기준 전압 레벨을 표시하는 출력 신호를 발생하도록 이차 기준 전압 레벨과 일차 기준 전압 레벨을 비교하는 비교기(23a)와, 직렬로 접속되며 상기 리세트 신호(RS)를 발생하도록 상기 비교기의 출력 신호에 응답하는 다수의 인버터(23b/23c)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치.
- 제5항에 있어서, 상기 래칭 수단(22i)은 상기 제2 및 제1NOR게이트의 제1입력 노드에 접속되는 각각의 출력 노드를 갖은 제1 및 제2NOR게이트(12j/12k)를 구비하며, 상기 리세트 신호(RS)는 다수의 인버터로부터 제1NOR게이트의 제2입력 노드로 제공되며, 상기 활성화 신호(BIOM)은 제2NOR게이트의 제2입력 노드에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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