KR940003017A - 반도체 집적 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 동작 전원 전압의 범위의 제약, 신뢰성의 저하틀 초래하는 일이 없는 반도체 집적 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
외부 전원 전압(Vcc)을 받아서 이 외부 전원 전압이 미리 정해진 제1의 전압(Vsw)이하인 경우에 동작하고,외부 전원 전압을 그 이상의 전압으로 정상직으로 상승시키는 승압 회로(15)와, 외부 전원 전압이 미리 정해진 제1의 전압(Vsw)인상일때는 외부 전원 전압을 강하시키는 강압 회로(14)와, 상기 승압회로(15) 또는 상기 강압 회로(14)의 출럭이 내부 전압(Vint)으로서 공급되는 내부 회로(17)를 구비하고 있다.

Description

반도체 집적 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 반도체 집적 회로의 제1실시예에 관한 블록도,
제2도는 제1도의 실시예 회로의 특성도,
제3도는 제1도의 실시예 회로의 상세한 구성을 도시하는 회로도,
제4도는 제1도의 실시예 회로의 상세한 구성을 도시하는 회로도,
제5도는 제1도의 실시예 회로의 상세한 구성을 도시하는 회로도,
제6도는 제1도의 실시예 회로의 상세한 구성을 도시하는 회로도,
제7도는 제1도의 실시예 회로의 상세한 구성을 도시하는 회로도,
제8도는 본 발명에 관한 반도체 집적 회로의 제2실시예에 관한 블록도,
제9도는 제8도의 실시예 회로의 특성도.

Claims (12)

  1. 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압이 미리 정해진 제1의 전압 이하의 경우에 동작하여 외부 전원 전압을 그 이상의 전압으로 정상적으로 상승시키는 전압상승 수단과, 상기 전압상승 수단의 출력 전압이 공급되는 내부 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압이 미러 정해진 상기 제1의 전압 이상인 경우에 이 외부 전원 전압을 그 이하의 전압으로 정상적으로 강하시키는 전압 강하 수단이 설치되고, 이 전압 강하 수단의 출력 전압이 상기 내부 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  3. 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압를 그 이하의 전압으로 정상적 으로 강하시키는 전압 강하 수단과, 상기 전압 강하 수단의 출력 전압이 공급되고, 이 전압을 정상적으로 상승시키는 전압 상승 수단과, 상기 전압 상승 수단의 출력 전압이 공급되는 내부 회로를 구비하고, 외부 전원 전압이 미리 정해진 제1의 전압 이하인 경우에 상기 전압 상승 수단의 출력 전압이 외부 전원 전압이상의 전압이 되고, 외부 전원 전압이 상기 제1의 전압 이상인 경우에 상기 전앙 상승 수단의 출력 전압이 외부 전원 전압이하의 전압이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압 상승 수단이 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압에서 제2의 전압을 발생시키는 제1의 전압 발생 회로와, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전압 전압의 변화에 대응하여 전압이 변화하는 제3의 전압을 발생시키는 제2의 전알 발생 회로와, 상기 제2의 전압과 제3의 전압을 비교하는 제1의 전압 비교 회로와, 상기 제1의 전압 비교 회로의 출력 신호에 의하여 동작이 제어되고, 상기 외부 전압이 상기 제1의 전압 발생 회로, 제2의 전압 발생 회로 및 제1의 전압 비교 회로에 의하여 결정되는 전원 전압 이하인 경우에 외부 전원 전압 이상의 전압을 발생시키는 전압 상승 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 전압 강하 수단이 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압에서 일정치의 제1의 전압을 발생시키는 제1의 전압 발생 회로와, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압의 변화에 대응하여 전압이 변화하는 제2의 전압을 발생시키는 제2의 전압 발생 회로와, 상기 제1의 전압과 제2의 전압을 비교하는 제1의 전압 비교 회로와, 상기 제1의 전압 비교 최로의 출력 신호에 의하여 동작이 제어되고, 상기 외부 전원 전압이 가기 제1의 전압 발생 회로, 제2의 전압 발생 회로 및 제1의 전압 비교 회로에 의하여 결정되는 전원 전압이상인 경우에 외부 전원 전압이하의 전압을 발생시키는 전압 강하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  6. 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압이 미리 정채진 제1의 전압이하인 경우에 동작하여 이 외부 전원전압을 그 이하의 전압으로 정상적으로 강하시키는 전압 강하수단과, 상기 전압 강하 수단의 출력 전압이 공급되는 내부 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압이 미리 정해진 상기 제1의 전압 이상인 경우에 이 외부 전원 전압을 그 이상의 전압으로 정상적으로 상승시키는 전압 상승 수단이 설치되고, 이 전압 상승 수단의 출력 전압이 상기 내부 회로에 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  8. 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압을 고 이상의 전압으로 정상적으로 상승시키는 전압 상승 수단과, 상기 전압 상승 수단의 출력 전압이 공급되린, 이 전압을 정상적으로 강하시키는 전압 강하 수단과. 상기 전압 강하 수단의 출력 전압이 공급되는 내부 회로를 구비하고, 외부 전원 전압이 미리 정해진 제1의 전압 이하인 경우에 상기 전압 강하 수단의 출력 전압이 외부 전훤 전압이하의 전압이 되고, 외부 전원 전압이 상기 제1의 전압 이상인 경우에 상기 전압 강하 수단의 출력 전압이 외부 전원 전압 이상의 전압이 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  9. 제6항에 있어서, 상기 전압 강하 수단이 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압에서 제2의 전압을 발생시키는 제1의 전압 발생 회로와, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압의 변화에 대웅하여 전압이 변화하는 제3의 전압을 발생시키는 제2의 전압 발생 회로와, 상기 제2의 전압과 제3의 전압을 비교하는 제1의 전압 비교 회로와, 상기 제1의 전압 비교 회로의 출력 신호에 의하여 동작이 제어되고, 상기 외부 전원 전압이 상기 제1의 전압 발생 회로, 제2의 전압 발깅 회로 및 제1의 전압 비교 회로에 의하여 결정되는 전원 전압이하인 경우에 외부 전원 전압이하외 전압을 발생시키는 전압 강하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 전압 상승 수단이 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압에서 일정치의 제1의 전압을 발생시키는 제1의 전압 발생 회로와, 상기 외부 전원 전압을 받아서 이 외부 전원 전압의 변화에 대응하여 전압이 변화하는 제2의 전압을 발생시키는 제2의 전압 발생 회로와, 상기 제1의 전압과 제2의 전압을 비교하는 제1의 전압 비교 회로와, 상기 제1의 전압 비교 회로의 출력 신호에 의하여 동작이 제어되고, 상기 외부 전원 전압이 상기 제1의 전압 발생 회로, 제2의 전압 발생 회로 잊 제1의 전압 비교 회로에 의하여 결정되는 전원 전압 이상인 경우에 외부 전원 전압익상의 전압을 발생시키는 전압 상승 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전압 상승 수단이 차지 펌프형의 승압 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
  12. 제6항에 있어서, 상기 강하 수단이 차지 펌프형의 강압 회로률 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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