KR920702552A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

반도체 집적회로 장치

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KR920702552A
KR920702552A KR1019920700623A KR920700623A KR920702552A KR 920702552 A KR920702552 A KR 920702552A KR 1019920700623 A KR1019920700623 A KR 1019920700623A KR 920700623 A KR920700623 A KR 920700623A KR 920702552 A KR920702552 A KR 920702552A
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circuit device
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미노루 사사끼
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아이자와 스스무
세이꼬엡슨 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 실시예 1에 따르는 반도체 집적회로장치의 전원배선 설치를 설명하기 위한 레이아우트도, 제2도는 실시예 1에 따르는 신호 배선이 공통버스라인에 모여지는 부분을 도시한 레이아우트도, 제3도는, 본 발명의 실시예 2에 따르는 신호 배선이 공통 버스라인에 모여지는 부분을 레이아우트도.

Claims (7)

  1. 복수의 신호 배선의 접속용역이 이산적으로 설치된 신호처리 회로와, 상기 신호 처리 회로에 집속된 상기한 신호 배선이 복수의 전원 배선간에 병열하도록 모여져 있는 배선이 부설되영역을 최소한 갖는 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 전원 배선이 분지되어 있는 모전원 배선이, 상기한 접속영역의 근처에 따라서 설치 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신호 처리회로는, 복수의 메모리 셀 블럭에 의해 구성된 메모리 셀 영역의 주변에 설치되어 있는 복수의 주변회로이며, 상기한 배선 부설대 영역인 공통버스라인에 의해, 이 주변회로와 상기한 메모리 셀 블럭의 사이에 설치되어 있는 디코더 회로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기한 모전원 배선은, 상기 한 신호 처리 회로의 전원배선과 병렬로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모전원 배선은, 상기한 신호 처리 회로의 전원배선인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  5. 제1항 내지 제4항중의 어느 한항에 있어서, 상기 모전원 배선은 상기한 배선부설대 영역과 직각으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  6. 제1항 내지 제5항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 모전원 배선은, 상기한 접속영역과 교차하도록 설치되어 있으며, 상기 접속 영역은, 이 모전원 배선 및 상기한 신호 배선이 형성된 제1의 배선층의 위층 및 아래층의 어느것에 절연층을 개재해서 적층된 제2의 배선층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1의 배선층은, 알루미늄 배선층이며, 상기 제2의 배선층은, 알루미늄 배선층 및 다결정 실리콘 배선층중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920700623A 1990-07-23 1991-07-19 반도체 집적회로 장치 KR100247267B1 (ko)

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