KR960030442A - 파워 금속 산화막 반도체(mos) 트랜지스터 - Google Patents

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빈센트 비. 인그라시아
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Abstract

본 바령의 목적은 입력 단자로부터의 입력 신호를 각 게이트로의 전달 지연 시간을 균일하게 하고 줄이는 것이다.
파워 MOS 트랜지스터는 다수의 트랜지스터 블럭을 포함한다. 트랜지스터 블럭은 제1도전층(82,84,86및 810)에 의해 서로 연결된 소스와, 제2도전층(81,83,85및 89)에 의해 서로 연결된 드레인과, 연속적인 반도체층으로 이루어진 게이트(6)에 의해 형성된다. 상기 트랜지스터는 게이트 단자 Gin에 연결되어 있고, 게이트상에 적층된 제3도전층(11)을 갖는다.
본 발명은 따라서, 게이트상에 덮힌 제3도전층은 입력단자로부터의 입력 신호의 각 게이트로의 전달 지연 시간을 균일하게 하고 줄여준다. 상기 도전층을 게이트의 주표면 중심근처까지 확장시킴으로써 게이트 입력신호의 반도체 칩 중심에 위치한 트랜지스터 블럭까지의 지연 시간은 실질적으로 감소될 수 있다.

Description

파워 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 MOS 트랜지스터의 구조를 도시한 평면 투시도.

Claims (13)

  1. 제1도전층에 의해 서로 연결된 소스와, 제2도전층에 의해 서로 연결된 드레인과, 연속된 반도체층으로 이루어진 게이트에 의해 형성된 다수의 트랜지스터 블럭을 포함하는 금속산화막 반도체(MOS) 트랜지스터에 있어서, 게이트 단자에 연결되고 상기 게이트에 적충된 제3도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3도전층은 상기 게이트의 분포 영역에서 주변부를 따라 확장되는 주변 확장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제3도전층은 상기 게이트의 분포 영역에서 주변부를 따라 확장되는 주변 확장부와,분포 영역의 중심 또는 근처에 위치한 중간점과 상기 주변 확장부를연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 주변 확장부는 최소한 직사각형의 3면으로 이루어져 있고, 상기 연결부는 상기 주변부로부터 수직적으로 확장되는 직선 형태인 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 연결부는 상기 주변 확장부에 둘러쌓이고 이것으로부터 동일한 거리만큼 떨어진 직선선분상에 등거리로 분포한 중간점과 상기 주변부를 연결하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 중간점들 사이의 거리는 상기 중간점과 상기 주변확장부 사이의 거리와 동일한 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  7. 제4 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서, 상기 주변 확장부가 직사각형의 4면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  8. 제4 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주변 확장부는 직사각형의 3면으로 이루어지고, 상기 주변 확장부가 존재하지 않는 남는 한면 근처의 상기 직선의 끝으로부터 상기 남는 한면까지의 거리는 상기 3면으로부터 상기 주변부까지의 거리의 반이 되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 게이트는 반도체 기판의 주면에 따라 수직 및 수평적으로 확장되는 격자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 소스와 드레인은 상기 게이트내에서 수직이나 수평의 확장에 의해 분리된 각 확산영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  11. 제9항에 있어서, 상기 게이트내에서 상기 수직과 수평 확장부는 둘 모두 상기 소스와 드레인 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3도전층은 알루미늄과 폴리실리콘을 포함한 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층은 상기 확산 영역에서 형성된 소스와 드레인을 연결하기 위한 단일 방향 연결부와, 상기 단일 방향 연결부 사이의소스 공통 연결 및 드레인 공통 연결을 위한 타방향 연결부를 각각 갖고, 상기 단일 방향 연결부와 상기 제3도전층은 단일층 배선 공정 단계로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화막 반도체(MOS) 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960001473A 1995-01-27 1996-01-24 전력금속산화막반도체(mos)트랜지스터 KR100326693B1 (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0766309A3 (en) * 1995-08-28 1998-04-29 Texas Instruments Incorporated Field effect transistor which multi-level metallisation related to integrated circuits
US5977830A (en) * 1996-12-03 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Low noise transistor module and amplifier
FR2759493B1 (fr) * 1997-02-12 2001-01-26 Motorola Semiconducteurs Dispositif de puissance a semiconducteur
US6624484B2 (en) * 2001-07-31 2003-09-23 Nokia Corporation IGFET and tuning circuit
JP3696211B2 (ja) 2003-02-10 2005-09-14 株式会社東芝 パワースイッチング装置
JP4687066B2 (ja) * 2004-10-25 2011-05-25 株式会社デンソー パワーｉｃ
DE102016100504B4 (de) * 2016-01-13 2021-11-18 Infineon Technologies Ag Transistorbauelement mit segmentierter Kontaktschicht

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2558931B2 (ja) * 1990-07-13 1996-11-27 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JPH0499378A (ja) * 1990-08-18 1992-03-31 Nec Corp 半導体装置
JPH04109677A (ja) * 1990-08-29 1992-04-10 Seiko Instr Inc Ｍｏｓトランジスター
US5341014A (en) * 1992-01-07 1994-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and a method of fabricating the same
EP0623962A1 (en) * 1993-05-05 1994-11-09 Texas Instruments Deutschland Gmbh Gate electrode of power MOS field effect transistor
US5412239A (en) * 1993-05-14 1995-05-02 Siliconix Incorporated Contact geometry for improved lateral MOSFET
US5486715A (en) * 1993-10-15 1996-01-23 Ixys Corporation High frequency MOS device
US5355008A (en) * 1993-11-19 1994-10-11 Micrel, Inc. Diamond shaped gate mesh for cellular MOS transistor array

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