KR0163556B1 - 트랜지스터의 면적을 최소화하기 위한 레이아웃 방법 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 ;

트랜지스터의 레이아웃에 관한 것이다.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 ;

감소된 레이아웃 면적 및 증가된 스피드를 갖는 트랜지스터를 제공함에 있다.

3. 발명의 해결방법의 요지 ;

활성영역상에 소정의 기울기를 가지는 폴리층을 가운데로 하여 양옆으로 드레인과 소오스영역이 형성된 트랜지스터의 레이아웃을 제공한다.

4. 발명의 중요한 용도 ;

고집적 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

트랜지스터의 면적을 최소화하기 위한 레이아웃방법

제1(a)도 및 제1(b)도는 종래의 기술에 따른 트랜지스터의 레이아웃이다.

제2(a)도 및 제2(b)도는 본 발명에 따른 트랜지스터의 레이아웃이다.

본 발명은 트랜지스터의 레이아웃방법에 관한 것이다.

일반적인 트랜지스터의 게이트 폴리층의 기본형태는 직선형태이며, 양쪽에 각기 드레인과 소오스영역을 두고 있는데 이러한 것은 제1(a)도 및 제1(b)도를 통하여 설명할 것이다.

제1(a)도를 참조하면, 상기 활성영역(10)상에 상기 드레인 및 소오스영역을 각각 접속하기 위한 콘택들(Contact; 12, 13)과, 상기 게이트 폴리층(11)이 형성된 도면이다.

제1(b)도를 참조하면, 상기 활성영역(10)상에 두 트랜지스터가 소오스영역(또는 드레인영역)을 공유하여 설계된 레이아웃이다.

이때 상기 드레인영역과 소오스영역의 확산영역은 최소 디자인 루울보다 훨씬 큰 영역을 가지는데 이는 상기 드레인과 소오스영역이 전기적으로 연결될 이종의 배선을 위한 콘택(Contact)을 형성시켜야 하기 때문이며, 이러한 문제는 일차적으로 공정능력에 관련한 것이며 상기 드레인과 소오스영역을 최소 디자인 루울보다 넓게 하는 이유이다. 또한 상기 드레인과 소오스영역의 면적증가는 졍션 캐패시턴스(Junction Capacitance)값을 증가시켜 속도측면에서 불리하게 되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 트랜지스터의 점유면적을 감소시킬 수 있는 레이아웃방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 트랜지스터의 동작 스피드를 증가시킬 수 있는 레이아웃방법을 제공함에 있다.

상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 활성영역상에 소정의 기울기를 가지는 폴리층을 가운데로 하여 양옆으로 드레인과 소오스영역이 굴곡형성된 트랜지스터의 레이아웃을 가지는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예들의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.

도면들 중 동일한 구성요소 및 부분들은 가능한한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다.

제2(a)도 및 제2(b)도는 본 발명에 따른 트랜지스터의 레이아웃을 나타낸 도면이다.

제2(a)도를 참조하면, 활성영역(20)상에 형성된 게이트 폴리층(21)이 90°, 45°형태로 기울여서 레이아웃을 하였다. 또한 드레인과 소오스영역과 금속층에 의한 접속을 하기 위한 콘택들(22, 23)이 대각선 방향으로 접속되어 있다. 한편 상기 레이아웃함에 있어 상기 콘택(23)과 활성영역(20)의 일측사이의 폭 W1 및 상기 게이트 폴리층(21)과 상기 활성영역(20)사이의 폭 W2는 트랜지스터의 디자인 루울에 의한 최소한의 거리를 나타낸다.

제2(b)도를 참조하면, 두 트랜지스터가 활성영역(20)상에 소오스영역 또는 드레인영역을 공유하여 접속된 레이아웃이다. 레이아웃 면적을 줄이기 위하여 상기 활성 영역(20) 상에 게이트 폴리층(21)을 90°형태 구부려서 레이아웃을 하였다.

한편, 상기 게이트 폴리층(21)을 변경함으로써 SEC 0.8급 공정에서 트랜지스터의 폭이 10㎛ 이상인 경우 트랜지스터의 면적을 약 80%수준으로 축소가 가능하다.

따라서, 상기 트랜지스터의 레이아웃 면적이 감소되었기에 스피드면에서도 증가될 것이라는 것을 알 수 있다.

본 발명은 게이트 폴리층(21)을 90°또는 45°로 구부려서 각각 실시하였지만 이들은 동일한 효과를 얻는 범위내에서 다른 각도(30°, 75°..)들을 가지고 실시되어질 수도 있다.

상기한 바와 같이 본 발명은 트랜지스터의 면적을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 또한 본 발명은 트랜지스터의 속도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 활성영역상에 게이트 폴리층을 가운데로 하여 양옆으로 드레인과 소오스영역이 형성된 트랜지스터의 레이아웃방법에 있어서: 활성영역상에 형성된 상기 게이트 폴리층을 소정의 기울기를 가지고 굴곡형성시킨 트랜지스터의 레이아웃방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 기울기는 90°또는 45°임을 특징으로 하는 트랜지스터의 레이아웃방법.