KR920022027A - 액티브 매트릭스 기판 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

액티브 매트릭스 기판
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 제1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 평면도,
제2도는 제1도의 액티브 매트릭스 기판의 단면도.

Claims (12)

  1. 절연 기판, 상기 절연 기판상에 매트릭스 상태로 배치되고 매트릭스 영역들을 한정하는 다수의 신호선과 다수의 주사선을 구비하고, 상기 각각의 영역은 화소 전극과 스위칭 소자를 포함하며, 상기 스위칭 소자는 이 스위칭 소자를 상기 화소 전극에 접속하기 위한 접속 전극을 갖는 액티브 매트릭스 기판으로서, 상기 접속 전극은 직사각형 요부와 이 요부에 연결된 연장부를 포함하고, 상기 요부는 상기 스위칭 소자의 폭과 거의 동일한 길이로된 측면을 가지며, 상기 요부와 연장부는 상기 화소 전극과 상기 절연 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 스위칭 소자는 대응 영역을 한정하는 2개의 인접 신호선들 중 하나로 부터 분기되는 분기 라인의 일부를 포함하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각 스위칭 소자는 대응 영역을 한정하는 2개의 인접 주사선들 중 하나로 부터 분기되는 분기 라인의 일부를 포함하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  4. 절연 기판, 상기 절연 기판상에 매트릭스 상태로 배치된 다수의 신호선과 다수의 주사선, 2개의 인접 신호선과 2개의 인접 주사선들에 의해 각각 한정되는 다수의 영역들을 포함하고, 상기 각 영역은 화소 전극과 이 화소 전극에 스위칭 소자를 접속시키기 위한 접속 전각을 갖는 다수의 스위칭 소자를 포함하는 액티브 매트릭스 기판으로서, 상기 접속 전극은 다수의 직사각헝 요부와 상기 요부들을 서로 연결시키기 위한 적어도 하나의 중간부를 포함하고, 상기 각 요부는 대응 스위칭 소자의 폭과 거의 동일한 길이로 된 측면을 가지며, 상기 요부와 상기 중간부는 상기 화소 전극과 상기 절연 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 각 스위칭 소자는 2개의 인접 신호선들 중 하나로 부터 분기되는 분기 라인의 일부를 포함하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 제4항에 있어서, 상기 각 스위칭 소자는 2개의 인접 주사선들 중 하나로 부터 분기되는 분기 라인의 일부를 포함하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  7. 제4항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 2개의 직사각형 요부와 하나의 중간부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  8. 제4항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 3개의 직사각형 요부와 2개의 중간부률 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  9. 제5항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 3개의 직사각형 요부와 하나의 중간부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  10. 제5항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 3개의 직사각형 요부와 2개의 중간부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  11. 제6항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 2개의 직사각헝 요부와 하나의 중간부를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  12. 제6항에 있어서, 상기 각 접속 전극은 3개의 직사각형 요부와 2개의 중간부률 포함하는 깃을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394838B1 (ko) * 1999-12-22 2003-08-19 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556253B2 (ja) * 1993-05-25 1996-11-20 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3311194B2 (ja) * 1995-02-24 2002-08-05 旭光学工業株式会社 光位相変調素子
US5994721A (en) * 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
US5641974A (en) 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
KR0182014B1 (ko) * 1995-08-23 1999-05-01 김광호 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판
JPH09236826A (ja) * 1995-09-28 1997-09-09 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
US6359672B2 (en) 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
US6011274A (en) * 1997-10-20 2000-01-04 Ois Optical Imaging Systems, Inc. X-ray imager or LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and dual insulating layers therebetween
JP3036513B2 (ja) * 1998-06-10 2000-04-24 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6545291B1 (en) * 1999-08-31 2003-04-08 E Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
JP2001272697A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR20030086168A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TW595005B (en) * 2003-08-04 2004-06-21 Au Optronics Corp Thin film transistor and pixel structure with the same
KR100553935B1 (ko) * 2003-08-20 2006-02-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101126396B1 (ko) * 2004-06-25 2012-03-28 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US20060050232A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Jerry Dukes Tinted contact lenses with gradient ring patterns
JP2006330021A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
JP2007139904A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Nec Corp 表示素子及びこれを備えた表示装置
TW200811569A (en) * 2006-08-21 2008-03-01 Prime View Int Co Ltd E-ink display panel
JP5157161B2 (ja) * 2006-12-27 2013-03-06 カシオ計算機株式会社 フォトセンサ
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR20080105762A (ko) * 2007-06-01 2008-12-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
CN101661941B (zh) * 2008-08-25 2011-07-20 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板结构及其制备方法
WO2011125453A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
US8730416B2 (en) * 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2585167B1 (fr) * 1985-07-19 1993-05-07 Gen Electric Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince
JPS62135814A (ja) * 1985-12-10 1987-06-18 Fuji Electric Co Ltd 液晶マトリクス表示装置
JPH01219824A (ja) * 1988-02-29 1989-09-01 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板
JPH01297624A (ja) * 1988-05-26 1989-11-30 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5042918A (en) * 1988-11-15 1991-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JP2746403B2 (ja) * 1989-02-13 1998-05-06 コニカ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP2518388B2 (ja) * 1989-04-19 1996-07-24 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示素子
JP2870016B2 (ja) * 1989-05-18 1999-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置
US5212574A (en) * 1989-07-05 1993-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix board having double-layer scan lines and capacity lines with discontinuous lower scan lines and lower capacity lines
JP2508851B2 (ja) * 1989-08-23 1996-06-19 日本電気株式会社 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法
JPH0391721A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Sharp Corp アクティブマトリクス基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394838B1 (ko) * 1999-12-22 2003-08-19 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0514218A2 (en) 1992-11-19
KR970004884B1 (ko) 1997-04-08
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DE69205333T2 (de) 1996-04-25
DE69205333D1 (de) 1995-11-16
US5302987A (en) 1994-04-12
EP0514218A3 (en) 1993-02-24

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