KR920010760A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제2실시예에서 MOSLSI의 부분적인 단면도,
제3도는 Al전극 배선에서 Mg도핑량에 대해 그려진 Al전극 배선에서 전자 이동에 대한 내구력 특성을 도시한 다이어그램도,
제4도는 Al전극 배선에서 Mg도핑량에 대해 그려진 Al전극 배선의 수율을 도시한 다이어그램도.
Claims (4)
- 알루미늄 전극 배선을 갖는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 마그네슘, 구리, 크롬, 철 및 티타늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 소자를 포함하고, 각각의 소자의 용량이 알루미늄의 백만 웨이프 부분당 5 내지 100웨이트 부분의 범위에 있는 개선점을 갖는 반도체 집적 회로 장치.
- 제1항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 약 1웨이트%의 실리콘을 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 마그네슘을 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 티타늄 및 구리를 포함하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2315334A JPH04186728A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 半導体集積回路装置 |
JP90-315334 | 1990-11-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920010760A true KR920010760A (ko) | 1992-06-27 |
KR950010039B1 KR950010039B1 (ko) | 1995-09-06 |
Family
ID=18064163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910020551A KR950010039B1 (ko) | 1990-11-20 | 1991-11-19 | 반도체 집적 회로 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04186728A (ko) |
KR (1) | KR950010039B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100363661B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-12-05 | 유앤아이 주식회사 | 골절 치료용 체외 고정 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100565A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS61179841A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材 |
JPS62235451A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-15 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用Al合金 |
JPS62240739A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用b、c、n含有アルミニウム合金 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2315334A patent/JPH04186728A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-19 KR KR1019910020551A patent/KR950010039B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100363661B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-12-05 | 유앤아이 주식회사 | 골절 치료용 체외 고정 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04186728A (ja) | 1992-07-03 |
KR950010039B1 (ko) | 1995-09-06 |
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