KR920010760A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents

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KR920010760A
KR920010760A KR1019910020551A KR910020551A KR920010760A KR 920010760 A KR920010760 A KR 920010760A KR 1019910020551 A KR1019910020551 A KR 1019910020551A KR 910020551 A KR910020551 A KR 910020551A KR 920010760 A KR920010760 A KR 920010760A
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aluminum electrode
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유끼노부 무라오
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세기모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제2실시예에서 MOSLSI의 부분적인 단면도,
제3도는 Al전극 배선에서 Mg도핑량에 대해 그려진 Al전극 배선에서 전자 이동에 대한 내구력 특성을 도시한 다이어그램도,
제4도는 Al전극 배선에서 Mg도핑량에 대해 그려진 Al전극 배선의 수율을 도시한 다이어그램도.

Claims (4)

  1. 알루미늄 전극 배선을 갖는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 마그네슘, 구리, 크롬, 철 및 티타늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 소자를 포함하고, 각각의 소자의 용량이 알루미늄의 백만 웨이프 부분당 5 내지 100웨이트 부분의 범위에 있는 개선점을 갖는 반도체 집적 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 약 1웨이트%의 실리콘을 포함하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 마그네슘을 포함하는 장치.
  4. 제2항에 있어서, 알루미늄 전극 배선이 티타늄 및 구리를 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910020551A 1990-11-20 1991-11-19 반도체 집적 회로 장치 KR950010039B1 (ko)

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JP90-315334 1990-11-20

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