JPS61179841A - 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材 - Google Patents
半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップ電極と外部リード部の接続に用い
るボンディング用アルミニウム線材に関し、特にポール
ボンディング性とボンディフグ後の強度及び耐食性を改
善し、超音波圧接によるウェッジボンディングは勿論、
熱圧着によるボールボンディングにも使用できるアルミ
ニウム線材を提供するものである。
るボンディング用アルミニウム線材に関し、特にポール
ボンディング性とボンディフグ後の強度及び耐食性を改
善し、超音波圧接によるウェッジボンディングは勿論、
熱圧着によるボールボンディングにも使用できるアルミ
ニウム線材を提供するものである。
一般にボンディング用線材を用いる半導体チップ電極と
外部リード部の接続には、超音波接続によるウェッジボ
ンディングと熱圧着によるポールボンディングが用いら
れている。ウェッジボンディングはボンディング用線材
の端部側面を超音波エネルギーにより押潰して半導体チ
ップ電極と外部リード部に接続するもので、ポールボン
ディングに比べて接続に要する時間が2〜3倍も長く、
ボンディングに方向性を有し、配線の方向が平面内の方
向に限られ、放射状に配置した半導体素子の接続には使
用し難いものである。一方ポールボンディングはボンデ
ィング用線材の一端を電気的又は酸素−水素炎で溶融し
、その際形成されるボールに超音波を付加しながら押潰
して250〜400℃の温度に加熱した半導体チップ電
極に接続し、他端を超音波接続により外部リード部に接
続するものである。
外部リード部の接続には、超音波接続によるウェッジボ
ンディングと熱圧着によるポールボンディングが用いら
れている。ウェッジボンディングはボンディング用線材
の端部側面を超音波エネルギーにより押潰して半導体チ
ップ電極と外部リード部に接続するもので、ポールボン
ディングに比べて接続に要する時間が2〜3倍も長く、
ボンディングに方向性を有し、配線の方向が平面内の方
向に限られ、放射状に配置した半導体素子の接続には使
用し難いものである。一方ポールボンディングはボンデ
ィング用線材の一端を電気的又は酸素−水素炎で溶融し
、その際形成されるボールに超音波を付加しながら押潰
して250〜400℃の温度に加熱した半導体チップ電
極に接続し、他端を超音波接続により外部リード部に接
続するものである。
このようなボンディング用線材には次のような特性が要
求されている。
求されている。
(1)引張り強さが大きいこと。
(2)耐食性が優れていること。
(3)ボール形状が真球(ポールボンディングの場合)
に近く、その大きさにバラツキが少ないこと。
に近く、その大きさにバラツキが少ないこと。
(4)耐熱性が高く(ポールボンディングの場合)線材
とボールの間にくびれが起らないこと。
とボールの間にくびれが起らないこと。
(5)ボンディング後の強度が高いこと。
(6) 60μm以下の極細線まで伸線加工性が良いこ
と。
と。
従来ボンディング用線材にはAu線、Al1合金線、A
、e−Si合金線、1e−Ni合金線。
、e−Si合金線、1e−Ni合金線。
/M!−Mil1合金線等が用いられている。
ALIIilやAl1合金線はコストが高く、一方半導
体チツブ電極はほとんどA(又はA(合金で造られてい
るため、Au線やA1合金線を用いて接続すると、後工
程の加熱により接合面に金属間化合物を生成して脆くな
り、信頼性の面でのA(合金線を用いた場合よりも劣る
欠点がある。またA、e−sr合金線は前記(1)、(
2)。
体チツブ電極はほとんどA(又はA(合金で造られてい
るため、Au線やA1合金線を用いて接続すると、後工
程の加熱により接合面に金属間化合物を生成して脆くな
り、信頼性の面でのA(合金線を用いた場合よりも劣る
欠点がある。またA、e−sr合金線は前記(1)、(
2)。
(3)、(4)、(5)の特性が劣り、熱圧着には使用
できない。またA1−Ni合金線は前記(1)及び(2
)の特性が劣り、A、e−M(]合金線は前記(3)及
び(4)の特性が劣るものである。
できない。またA1−Ni合金線は前記(1)及び(2
)の特性が劣り、A、e−M(]合金線は前記(3)及
び(4)の特性が劣るものである。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、前記特性を満足し
、超音波圧接によるウェッジポンディグは勿論、熱圧着
によるポールボンディングにも使用できる半導体素子ボ
ンディング用アルミニウム線材を開発したものである。
、超音波圧接によるウェッジポンディグは勿論、熱圧着
によるポールボンディングにも使用できる半導体素子ボ
ンディング用アルミニウム線材を開発したものである。
即ち本発明線材の一つは、M!J 0.5〜4゜0w
1%、希土類元素0.01〜1.0w1%、 S i
0.02wt%以下、 Fe 0.02wt%以下、
CLI 0.031%以下を含み、残部AJ2からなる
ことを特徴とするものである。
1%、希土類元素0.01〜1.0w1%、 S i
0.02wt%以下、 Fe 0.02wt%以下、
CLI 0.031%以下を含み、残部AJ2からなる
ことを特徴とするものである。
また本発明線材の他の一つは、Mg o、s〜4、o
wt%、希土類元素0.01〜1.0w1%、Si0.
02wt%以下、F e 0.02wt%以下、CIJ
o、o3wt%以下、Ti 0.5%wt以下、3
0.1wt%以下を含み、残部Aλからなることを特徴
とするものである。
wt%、希土類元素0.01〜1.0w1%、Si0.
02wt%以下、F e 0.02wt%以下、CIJ
o、o3wt%以下、Ti 0.5%wt以下、3
0.1wt%以下を含み、残部Aλからなることを特徴
とするものである。
また本発明線材の更に他の一つは、Mo O05〜4
.0w1%、希土類元素0.01〜1.0wt%。
.0w1%、希土類元素0.01〜1.0wt%。
Si 0.02wt%以下、l:6 0.02wt%以
下、CLI0.03wt%以下、Ti o、swt%
以下、B 0.1wt%以下と、Sn、In、Sbの何
れか1種又は2種以上を合計o、swt%以下を含み、
残部A(からなることを特徴とするものである。
下、CLI0.03wt%以下、Ti o、swt%
以下、B 0.1wt%以下と、Sn、In、Sbの何
れか1種又は2種以上を合計o、swt%以下を含み、
残部A(からなることを特徴とするものである。
本発明においてM(+の添加は耐食性を低下させること
なく引張強さを改善するためであり、Mg含有量を0.
5〜4.0wt%(以下wt%を単に%と略記)と限定
したのは、0.5%未満では十分な強度が得られず、4
.0%を越えると加工硬化が著しく、極細線までの伸線
加工が不可能となるためである。希土類元素の添加はボ
ール形状を真球に近くし、耐熱性を高めて線材とポール
間のくびれを起りにククシ、かつボンディング後の強度
を増大さじるためであり、希土類元素の含有量を0.0
1〜1.0%と限定したのは、0.01%未満では良好
なポールボンディング性が得られず、ポールボンティン
グ後の強度が低下し、1.0%を越えると加工硬化が著
しくなり、極細線までの伸線加工が不可能となるためで
ある。
なく引張強さを改善するためであり、Mg含有量を0.
5〜4.0wt%(以下wt%を単に%と略記)と限定
したのは、0.5%未満では十分な強度が得られず、4
.0%を越えると加工硬化が著しく、極細線までの伸線
加工が不可能となるためである。希土類元素の添加はボ
ール形状を真球に近くし、耐熱性を高めて線材とポール
間のくびれを起りにククシ、かつボンディング後の強度
を増大さじるためであり、希土類元素の含有量を0.0
1〜1.0%と限定したのは、0.01%未満では良好
なポールボンディング性が得られず、ポールボンティン
グ後の強度が低下し、1.0%を越えると加工硬化が著
しくなり、極細線までの伸線加工が不可能となるためで
ある。
またSi含有量を0.02%以下、Fe含有吊を0.0
2%以下、 Cu含有量を0.03%以下と限定したの
は、これ等は何れも強度向上に有効なるも、これを越え
て含有せしめると耐食性及びボール形状を悪くするため
であり、特にこれ等含有量を何れも0.01%以下に抑
えることが望ましい。
2%以下、 Cu含有量を0.03%以下と限定したの
は、これ等は何れも強度向上に有効なるも、これを越え
て含有せしめると耐食性及びボール形状を悪くするため
であり、特にこれ等含有量を何れも0.01%以下に抑
えることが望ましい。
次に上記A柔−Mg−希土類元素−8i −Fe−Cu
合金に、更にTi及びBの添加は、これ等を同時に添加
することにより鋳塊の結晶粒を微細化し、線材の品質を
安定化させるためで、Ti含有量を0.5%以下、B含
有量0.1%以下と限定したのは、何れもこれを越えて
含有すると粗大な第2相が晶出し、伸線加工により極細
線とすることが不可能となるためである。
合金に、更にTi及びBの添加は、これ等を同時に添加
することにより鋳塊の結晶粒を微細化し、線材の品質を
安定化させるためで、Ti含有量を0.5%以下、B含
有量0.1%以下と限定したのは、何れもこれを越えて
含有すると粗大な第2相が晶出し、伸線加工により極細
線とすることが不可能となるためである。
更に上記へぶ−MIJ−希土類元素−Si −Fe−C
u−Ti−13合金に、3n、ln。
u−Ti−13合金に、3n、ln。
3nの何れか1種又は2種以上を添加するのは、M(+
との相開効果により一層耐食性を高めるためであり、こ
れ等元素の1種又は2種以上の合計含有量を0,5%以
下と限定したのは、これを越えて含有すると第2相を晶
出し、伸線加工によって極細線とすることが不可能とな
るためである。
との相開効果により一層耐食性を高めるためであり、こ
れ等元素の1種又は2種以上の合計含有量を0,5%以
下と限定したのは、これを越えて含有すると第2相を晶
出し、伸線加工によって極細線とすることが不可能とな
るためである。
尚本発明において、希土酸元素とはセリウム族(La、
Ce、 Pr、 Nd、 Pl、 3m >及びイツ
トリウム族(3c 、 Y、 E(1、(id 。
Ce、 Pr、 Nd、 Pl、 3m >及びイツ
トリウム族(3c 、 Y、 E(1、(id 。
Tb 、 Dy 、 Ho 、 Er 、 Tai 、
Yb 、 Lu )であり、一般にはLa 、Ce
、Y、S+ 、Gd又はミツシュメタル(希土類元素の
混合物、以下MMと略記)を用いるとよい。
Yb 、 Lu )であり、一般にはLa 、Ce
、Y、S+ 、Gd又はミツシュメタル(希土類元素の
混合物、以下MMと略記)を用いるとよい。
本発明線材は上記合金組成からなり、何れもAJ2地金
中に含まれる上記元素以外の不純物元素は、線材の耐食
性及びボール形状に悪影響を及ぼすため、できるだけ少
量に抑える必要があり、これ等不純物元素の合計含有量
を0.01%以下、更にはo、oos%以下とすること
が望ましい。このためには純度99.95%以上のAλ
地金中、上記元素以外の不純物元素の少ないものを選択
使用するか、又は純度99.99%以上、望ましくは純
度99,995%以上の高純度A(地金を用いるとよい
。
中に含まれる上記元素以外の不純物元素は、線材の耐食
性及びボール形状に悪影響を及ぼすため、できるだけ少
量に抑える必要があり、これ等不純物元素の合計含有量
を0.01%以下、更にはo、oos%以下とすること
が望ましい。このためには純度99.95%以上のAλ
地金中、上記元素以外の不純物元素の少ないものを選択
使用するか、又は純度99.99%以上、望ましくは純
度99,995%以上の高純度A(地金を用いるとよい
。
(実施例〕
純度99,999%の高純度へぶ地金をを溶解し、これ
に純度99,999%のA(と純度99.999%のM
(1,純度99.99%のFe、純度99.999のS
i。
に純度99,999%のA(と純度99.999%のM
(1,純度99.99%のFe、純度99.999のS
i。
純度99.999%のCu、純度99.9%のT1.純
度99%の8.純度99.9%のCe、純度99.9%
のLa、純度99,9%のNd 、 MM (Ce 4
0%以上)純度99.999%の3n、純度99.99
9%のIn、I[!度99.9999%のSbを用いて
作成した各母合金を添加して、第1表に示す組成の合金
を溶製し、これを25履角、長さ150Mの鋳型に鋳造
した。
度99%の8.純度99.9%のCe、純度99.9%
のLa、純度99,9%のNd 、 MM (Ce 4
0%以上)純度99.999%の3n、純度99.99
9%のIn、I[!度99.9999%のSbを用いて
作成した各母合金を添加して、第1表に示す組成の合金
を溶製し、これを25履角、長さ150Mの鋳型に鋳造
した。
この鋳塊を550℃の温度で48時闇ソーキングした後
、熱間溝ロール圧延により直径5IImの線材とし、こ
れに冷間伸線加工と360℃×2時間の中間焼鈍を繰返
して直径30μmの極細線とし、360℃の温度で最終
焼鈍を行なってボンディング用アルミニウム線材とした
。
、熱間溝ロール圧延により直径5IImの線材とし、こ
れに冷間伸線加工と360℃×2時間の中間焼鈍を繰返
して直径30μmの極細線とし、360℃の温度で最終
焼鈍を行なってボンディング用アルミニウム線材とした
。
これ等線材について伸線加工性を比較すると共に引張強
さ及び伸びを測定し、更に通常の手動式ポールボンディ
ング装置を用いて線材の一端にArガスを吹き付けなが
らアークにより溶解し、第1図に示すように線材(1)
の一端にボール(2)を形成し、これについて真空度H
/D及びくびれ率do/d (ただしHはポール縦方
向の直径、Dはボールの横方向の直径、dは線材の直径
、 doは(びれ部の直径)を測定し、続いてボールを
半導体チップ電極に熱圧着し、線材の伯端を外部リード
部に超音波圧接してボンディング後の線材の強度を測定
した。また上記冷間伸線加工中、直径1.O#ll11
の線材より試料を採取し、これについてJIS2371
に基づき4日間塩水噴霧を行なって耐食性を調べた。こ
れ等の結果を第2表に示す。
さ及び伸びを測定し、更に通常の手動式ポールボンディ
ング装置を用いて線材の一端にArガスを吹き付けなが
らアークにより溶解し、第1図に示すように線材(1)
の一端にボール(2)を形成し、これについて真空度H
/D及びくびれ率do/d (ただしHはポール縦方
向の直径、Dはボールの横方向の直径、dは線材の直径
、 doは(びれ部の直径)を測定し、続いてボールを
半導体チップ電極に熱圧着し、線材の伯端を外部リード
部に超音波圧接してボンディング後の線材の強度を測定
した。また上記冷間伸線加工中、直径1.O#ll11
の線材より試料を採取し、これについてJIS2371
に基づき4日間塩水噴霧を行なって耐食性を調べた。こ
れ等の結果を第2表に示す。
第1表及び第2表から明らかなように従来線材N054
は耐食性が劣るばかりか、ボールが形成されず、熱圧着
が不可能であり、従来線材NQ55は良好な耐食性を示
すも、ボールの真球度が低く、くびれ率も高く、ボール
ボンディング性が劣るばかりか、ボンディング後の強度
も低い。
は耐食性が劣るばかりか、ボールが形成されず、熱圧着
が不可能であり、従来線材NQ55は良好な耐食性を示
すも、ボールの真球度が低く、くびれ率も高く、ボール
ボンディング性が劣るばかりか、ボンディング後の強度
も低い。
これに対し、本発明線材NQI〜36は何れも伸線加工
性が良好で、ボールの真球度が高く、くびれが小さく、
ボールボンディングが可能であり、ボンディング後の強
度も高いことが判る。
性が良好で、ボールの真球度が高く、くびれが小さく、
ボールボンディングが可能であり、ボンディング後の強
度も高いことが判る。
また耐食性はFe、Si、Cu及び不純物の合計含有口
が多い本発明線材NQ12〜15でやや劣るも、その他
は良好な耐食性を有し、特にTi及びBを同時に添加し
た本発明線材Nα1G〜21では引張強さ、伸び及びボ
ンディング後の強度に改善が見られ、更に3n、in、
3bの何れか1種又は2種以上を添加した本発明線材N
Q22〜36では耐食性の改善が認められる。
が多い本発明線材NQ12〜15でやや劣るも、その他
は良好な耐食性を有し、特にTi及びBを同時に添加し
た本発明線材Nα1G〜21では引張強さ、伸び及びボ
ンディング後の強度に改善が見られ、更に3n、in、
3bの何れか1種又は2種以上を添加した本発明線材N
Q22〜36では耐食性の改善が認められる。
これに対し本発明線材の組成範囲より外れる比較合金N
0.37〜53では引張り強さ、伸線加工性。
0.37〜53では引張り強さ、伸線加工性。
耐食性、ボールの真球度、ボンディング後の強度の何れ
かが劣ることが判る。即ち、Mg含有mの少ない比較合
金111f137では引張り強さ及びボンディング後の
強度が劣り、希土類元素含有量の少ない比較合金NQ3
9.41.43ではボールの真球度が悪く、ボンディン
グ後の強度も低い。またM(1,希土類元素、Ti 、
B等の含有量が多い比較合金Nα38.40.42.4
4.49.50及び Sn、In、Sbの何れか1種又
は2種以上の合計含有量の多い比較合金順49〜53で
は何れも伸線加工性が悪り30μmの極細線に加工する
ことができなかった。
かが劣ることが判る。即ち、Mg含有mの少ない比較合
金111f137では引張り強さ及びボンディング後の
強度が劣り、希土類元素含有量の少ない比較合金NQ3
9.41.43ではボールの真球度が悪く、ボンディン
グ後の強度も低い。またM(1,希土類元素、Ti 、
B等の含有量が多い比較合金Nα38.40.42.4
4.49.50及び Sn、In、Sbの何れか1種又
は2種以上の合計含有量の多い比較合金順49〜53で
は何れも伸線加工性が悪り30μmの極細線に加工する
ことができなかった。
更にSi、Fe、Cu及び不純物合計含有酊が多い比較
線材11k145〜48では何れも耐食性が劣ることが
判る。
線材11k145〜48では何れも耐食性が劣ることが
判る。
このように本発明線材はボンディング線材に要求される
前記特性を満足し、ウェッジボンディングは勿論、ポー
ルボンディングに使用することができるもので、高価な
AU又はAL1合金線に代り、コストが易く、同等の性
能を示し、しかも接合面における金属間化合物の生成の
恐れもないなど顕著な効果を奏するものである。
前記特性を満足し、ウェッジボンディングは勿論、ポー
ルボンディングに使用することができるもので、高価な
AU又はAL1合金線に代り、コストが易く、同等の性
能を示し、しかも接合面における金属間化合物の生成の
恐れもないなど顕著な効果を奏するものである。
第1図はポールボンディングにおけるボール真球度とく
びれ率の説明図である。
びれ率の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)M90.5〜4.0wt%、希土類元素0.01
〜1.0wt%、Si0.02wt%以下、Fe0.0
2wt%以下、Cu0.03wt%以下を含み、残部A
lからなる半導体素子ボンディング用アルミニウム線材
。 (2)Mg、希土類元素、Si、Fe、Cu以外の不純
物元素の含有量が0.01wt%以下である特許請求の
範囲第1項記載の半導体素子ボンディング用アルミニウ
ム線材。 (3)Mg0.5〜4.0wt%、希土類元素0.01
〜1.0wt%、Si0.02wt%以下、Fe0.0
2wt%以下、Cu0.03wt%以下、Ti0.5w
t%以下、B0.1wt%以下を含み、残部Alからな
る半導体素子ボンディング用アルミニウム線材。 (4)Mg、希土類元素、Si、Fe、Cu、Ti、B
以外の不純物元素の合計含有量が 0.01wt%以下である特許請求の範囲第3項記載の
半導体素子ボンディング用アルミニウム線材。 (5)Mg0.5〜4.0wt%、希土類元素0.01
〜1.0wt%、Si0.02wt%以下、Fe0.0
2wt%以下、Cu0.031%以下、Ti0.5wt
%以下、B0.1wt%以下と、更にSn、In、Sb
の何れか1種又は2種以上を合計0.5wt%以下を含
み、残部Alからなる半導体素子ボンディング用アルミ
ニウム線材。 (6)Mg、希土類元素、Si、Fe、Cu、Ti、B
、Sn、In、Sb以外の不純物元素の合計含有量が0
.01wt%以下である特許請求の範囲第5項記載の半
導体素子ボンディング用アルミニウム線材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60019753A JPS61179841A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60019753A JPS61179841A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61179841A true JPS61179841A (ja) | 1986-08-12 |
Family
ID=12008099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60019753A Pending JPS61179841A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 半導体素子ボンデイング用アルミニウム線材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61179841A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186728A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-03 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2011174159A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | アルミニウム合金 |
CN102828075A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-12-19 | 南昌大学 | 一种Al-Mg-Sm稀土铸造铝合金及其制备方法 |
CN110438375A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-12 | 南昌大学 | 一种用于过共晶铝硅铜合金的变质剂及其制备方法 |
CN110846540A (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-28 | 国网辽宁省电力有限公司沈阳供电公司 | 一种耐热合金单丝及其制备方法 |
WO2022045134A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | Al配線材 |
WO2022045133A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | Al配線材 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP60019753A patent/JPS61179841A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186728A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-03 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2011174159A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | アルミニウム合金 |
CN102828075A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-12-19 | 南昌大学 | 一种Al-Mg-Sm稀土铸造铝合金及其制备方法 |
CN110846540A (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-28 | 国网辽宁省电力有限公司沈阳供电公司 | 一种耐热合金单丝及其制备方法 |
CN110438375A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-11-12 | 南昌大学 | 一种用于过共晶铝硅铜合金的变质剂及其制备方法 |
WO2022045134A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | Al配線材 |
WO2022045133A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 日鉄マイクロメタル株式会社 | Al配線材 |
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