KR920008847A - 반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법 - Google Patents

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KR920008847A
KR920008847A KR1019900016278A KR900016278A KR920008847A KR 920008847 A KR920008847 A KR 920008847A KR 1019900016278 A KR1019900016278 A KR 1019900016278A KR 900016278 A KR900016278 A KR 900016278A KR 920008847 A KR920008847 A KR 920008847A
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송영진
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 공정 단면도.
제 2 도와 제 3 도는 종래 동작을 설명하기 위한 도면.
제 4 도는 본 발명의 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 수정판 2 : 차광막
3, 6 : P/R 4, 5 : 광투광성막

Claims (1)

  1. 수정판 위에 차광막, 광투광성말, P/R을 형성하고 마스킹 작업에 의해 P/R을 선택적으로 제거하는 공정과, 제거되지 않은 P/R을 이용하여 상기 광투광성막과 차광막을 습식식각하는 공정과, 다시 광투광성막을 형성하고 비등방성 식각으로 측벽을 형성하는 공정과, P/R을 덮고 차광막 윗부분을 비등방성 식각하고 P/R을 제거하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016278A 1990-10-13 1990-10-13 반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법 KR930008848B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790751B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-02 삼성전기주식회사 수정판 제조방법

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