KR930008848B1 - 반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법

제 1 도는 종래의 공정 단면도.

제 2 도와 제 3 도는 종래 동작을 설명하기 위한 도면.

제 4 도는 본 발명의 공정 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 수정판 2 : 차광막

3, 6 : P/R 4, 5 : 광투광성막

본 발명은 반도체 소자의 위상이동 마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 0.5βm이하의 임계선폭을 갖는 소자에 적당하도록 한 것이다.

종래에는 위상이동 마스크를 제조하기 위하여 제 1a 도에 도시된 바와같이 수정판(1)위에 스퍼터(Sputter)로 차광막(예를 들어 크롬) (2)과 P/R(Photo Resist) (3)을 형성한 후 전자빔으로 P/R(3)을 패터닝(Patterning)하고 (b)와 같이 P/R(3)을 이용하여 차광막(2)을 습식식각한 후(c)와 같이 광투광성막(4)을 덮고 다시 P/R을 이용하여 패터닝하였다.

이와같은 종래기술에 있어서 위상이동 광투광성막을 이용할 경우 제 2 도와 같이 차광막(2)사이를 투과하는 빛과 위상이동 광투광성막(4)을 투과하는 빛이 굴절율의 차이로 인하여 위상 이동이 일어나 차광막(2) 바깥쪽으로 나가는 빛의 강도를 제 3 도와 같은 작은 보조패턴에 의해 보상해 주어야 했다.

그러나, 종래 상기와 같은 보조패턴을 사용하여도 투과하는 빛이 완전히 감쇄되지 못하여 형성하고자 하는 패턴과 똑같은 해상도를 얻기가 어려웠다.

본 발명은 이와같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 위상 이동 광투광성막을 차광막옆에 형성하여 마스크의 안정성을 향상시키고 형성하고자 하는 패턴과 동일한 패턴을 만들 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명을 첨부도면 제 4 도를 참고로 하여 상술하면 다음과 같다.

먼저 (a)와 같이 수정판(1)위에 차광막(2)과 광투광성막(4) 및 P/R(3)을 형성하고 마스킹작업에 의해 P/R(3)을 선택적으로 제거한다.

그리고 (b)와같이 제거되지 않은 P/R(3)을 이용하여 광투광성막(4)과 차광막(2)을 습식식각한다.

다음에 (c)와같이 다시 광투광성막(5)을 형성하고 (d)와같이 비등방성 식각으로 측벽을 형성한다.

이어서 (e)와같이 P/R(6)을 덮고 (f)와같이 차광막(2) 윗부분을 비등방성 식각한 후 P/R(6)을 제거하면 (c)와 같은 위상이동 마스크를 얻을 수 있다.

이와같은 본 발명은 차광막(2) 옆에 광투광성막(5)을 형성시키므로 빛이 투과할 경우 상기 광투광성막(5)에 의하여 빛의 위상이 180°바뀌어 패턴 바깥쪽으로 나가는 빛을 보상하여 줄수 있어 해상도를 높일 수 있다.

또한, 기존과 같이 보조패턴이 필요없어지므로 형성하고자 하는 패턴과 동일한 패턴을 얻을 수 있는 장점이 있다.

Claims (1)

1. 수정판 위에 차광막, 광투광성막, P/R을 형성하고 마스킹 작업에 의해 P/R을 선택적으로 제거하는 공정과, 제거되지 않은 P/R을 이용하여 상기 광투광성막과 차광막을 습식식각하는 공정과, 다시 광투광성막을 형성하여 비등방성 식각으로 측벽을 형성하는 공정과, P/R을 덮고 차광막 윗부분을 비등방성 식각하고 P/R을 제거하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체소자의 위상이동 마스크 제조방법.