KR940004422B1 - 모서리 강조형 위상시프트 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
모서리 강조형 위상시프트 마스크 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 투과마스크를 사용한 경우를 설명하기 위한 도면.
제2도는 종래의 위상시프트 마스크를 사용한 경우를 설명하기 위한 도면.
제3도 내지 제5도는 본 발명에 따른 모서리 강조형 위상시프트 마스크의 제조 공정도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 수정판 2 : 크롬
3 : 유기감광체 4 : 무기감광체.
본 발명은 반도체 소자의 위상시프트 마스크에 관한 것으로, 특히 0.5μm 이하의 임계선폭을 갖는 소자의 마스크(또는 레티클)에 적용하는 무기감광제를 이용한 모서리 강조형 위상시프트 마스크에 관한 것이다.
일반적으로 사용되는 마스크로는 투과마스크나 위상시프트를 이용한 것이 사용되고 있으나, 제1도에 도시한 투과마스크의 경우에는 빛의 간섭현상이 발생되므로 패턴사이즈가 작을 때 윈도우사이의 크롬지역까지 빛의 투과가 발생된다.
여기서, 제1b도는 마스크상에서의 에너지분포를 나타낸 도면이며, 제1c도는 웨이퍼상에서의 에너지를 나타낸 도면이며, 제1d도는 웨이퍼상에서의 에너지를 나타낸 도면이며, 제1d도는 웨이퍼상에서의 빛의 강도를 나타낸 도면이다.
그러나, 제2도에 도시한 위상시프트를 사용하는 경우에는 윈도우에 시프터물질을 적층함으로 인하여 크롬지역으로의 빛의 굴절을 줄일 수 있기 때문에 웨이퍼상에서 한계해상력이 증진된다.
여기서, 제2b도는 마스크상에서의 에너지분포를 나타낸 도면이며, 제2c도는 웨이퍼상에서의 에너지를 나타낸 도면이며, 제2d도는 웨이퍼상에서의 빛의 강도를 나타낸 도면이다.
따라서, 위상시프터의 사용이 바람직함을 알 수 있다.
그러나, 종래의 위상시프터는 PMMA 유기감광체, SOG(Spin On Glass) 또는 SiO₂의 제한된 물질만 사용되어 왔다.
이러한 유기물질의 사용으로는 마스크의 기계적 강도면에서 안정적이지 못하며, 또한 공정이 복잡하게 된다.
본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 0.5μm 이하의 임계선폭을 갖는 소자의 마스크제작에 적용할 수 있는 무기감광제를 이용한 모서리 강조형 위상시프트 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 무기감광제를 이용한 위상시프트 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 수정판과 크롬을 포함하는 위상시프트 마스크에 있어서, 상기 크롬상에 무기감광제를 증착하여 만든 위상시프트 마스크에 있다.
본 발명의 다른 특징은 수정판상에 크롬과 무기감광제를 순차적으로 증착하는 공정과, 무기감광제를 식각하여 소정의 패턴으로 형성한 후 노출된 크롬을 식각하는 공정과, 수용성 용액에 의한 크롬의 사이드 에칭공정으로 이루어지는 무기감광제를 이용한 위상시프트 마스크의 제조방법에 있다.
이하, 본 발명을 첨부도면에 의하여 상세히 설명한다.
제3도 내지 제6도는 본 발명에 따른 무기감광제를 이용한 위상시프터의 제조공정도이며, 제1도 및 제2도와 동일부호는 동일재료를 나타낸다.
제3도에 도시한 바와 같이 수정판(1)상에 진공증착, 전자빔증착, 스퍼터링등 기존의 장치를 이용하여 크롬(2), 무기감광제(4) 예를들어 As2S3를 순차적으로 증착한다.
여기서, As2S3의 두께는 500Å-10000Å이다.
그후 제4도에 도시한 바와 같이 무기감광제(4)를 이산화규소 건식식각 방법으로 식각하여 패턴을 형성한 후 노출된 크롬(2)을 통상의 방법으로 식각한다.
그 다음, 제3도와 같이 수용성 식각용액에서 크롬(2)의 사이드에칭을 위한 추가에칭을 실시하여 위상시프트 마스크를 제조한다.
이와 같이 무기감광제를 크롬위에 형성하면 윈도우영역에서 무기감광제에 의해 빛의 위상변화가 발생되어 유기감광제를 사용한 것과 같은 효과를 얻을 수 있으며, 더욱이 굴절률이 유기감광제보다 우수한 As2S3와 같은 무기감광제를 사용하는 것은 더욱 큰 효과를 얻을 수 있는 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 시프터의 무기물질화로 유기물질에 비해 기계적 강도 및 마스크의 안정성의 향상을 도모할 수 있으며, 굴절율이 유기물질 보다 좋기 때문에 시프터의 효율이 좋은 이점이 있다.
또한 공정의 단순화에도 큰 기대를 할 수 있다.
Claims (5)
- 투명기판과, 상기 투명기판 위의 차광영역에 형성되는 크롬패턴과, 상기 크롬패턴상에 크롬패턴 폭보다 더 넓은 폭으로 형성되어 크롬패턴의 모서리 부분에 투과되는 빛을 반전시키는 As2S3층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 모서리 강조형 위상시프트 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 As₂S₃층의 두께는 500Å-10000Å인 것을 특징으로 하는 모서리 강조형 위상시프트 마스크.
- 수정판상에 크롬과 무기감광제를 순차적으로 증착하는 공정과, 상기 무기감광제를 선택 식각하여 소정의 패턴으로 형성한 후 노출된 크롬을 식각하는 공정과, 상기 패터닝된 크롬의 측면을 식각하는 공정을 포함하여 이루어지는 모서리 강조형 위상시프트 마스크의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 무기감광제는 As2S3인 것을 특징으로 하는 모서리 강조형 위상시프트 마스크의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 As2S3의 증착 두께는 500-10000Å인 것을 특징으로 하는 모서리 강조형 위상시프트 마스크의 제조방법.
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| KR920008977A (ko) | 1992-05-28 |
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