KR920008761A - 에스램 셀 - Google Patents

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KR920008761A
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김시호
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/412—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using field-effect transistors only

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

에스램 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 에스램 셀 회로도,
제5도 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 역바이어스된 스직구조의 다이오드 실시예구조도,
제6도 (가) 및 (나)는 본 발명을 설명하기 위한 다이오드 등가회로도 및 로드의 전류-전압 특성도,
제7도는 본 발명에 따른 스탠바이시 로드의 전류-전압 특성도.

Claims (4)

  1. 에스램 셀에 있어서, 로드저항을 역 바이어스된 수직구조의 다이오드(D2,D4),(D1,D3)로 구성하는 것을 특징으로 하는 에스램 셀.
  2. 제1항에 있어서, P-서브(1)상부에 매입된 액비트 영역인 n+층(2)의 일부가 노출되도록 분리 산화막(3)을 부분식각하여 그 노출되는 n+층(2)과 접촉되게 n+폴리 Si층(4)을 성장시킨후 그위에 P-타입 폴리 Si층(5), n-타입 폴리 Si층(6)을 순차적 성장시켜 역바이어스된 수직구조의 다이오드(D2,D4),(D1,D3)를 각기 구성하는 것을 특징으로 하는 에스램 셀.
  3. 제2항에 있어서, P-타입 폴리Si층(5)의 상부에 n-타입 폴리 Si층(6a)을 도핑시켜 역바이어스된 수직구조의 다이오드(D2,D4),(D1,D3)를 구성하는 것을 특징으로 하는 에스램 셀.
  4. 제2항에 있어서, P-타입 폴리Si층(5)위에 메탈층(6b)을 성장시켜 역바이어스된 수직구조의 다이오드(D2,D4),(D1,D3)를 구성하는 것을 특징으로 하는 에스램 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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