KR920007127A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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세끼자와 다다시
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 에칭(etching)장치의 개략도.
제2도는 저농도 인상용액의 공급량 제어의 후로우챠트.
제3도는 저농도 인산용액 공급량 제어 및 고온 인산용액의 온도제어의 타이밍 챠트.
제4도는 인산용액 농도대 질화실리콘층 에칭 속도의 관계를 나타내는 그래프.
제5a-c도는 반도체장치의 제조공정을 나타내는 도면.

Claims (8)

  1. 에칭탱크중에 들어 있고 가열수단에 의해 가열되며, 일정한 농도범위내로 제어되는 고온 인산용액중에, 반도체장치를 첨지시킴으로써 상기 반도체장치상에 형성된 질화실리콘층층을 에칭하는 공정을 행하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 에칭공정에서, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 소정농도범위보다 낮은 소정농도의 저농도 인산용액을 공급하는 수단을 제조하는 공정과, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 온도를 검출하는 공정과, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 검출온도가 제1소정온도보다 높아진 후에 소정시점에서, 상기 에칭탱크내로 저농도 인산용액공급을 개시하는 공정과, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 검출온도가 상기 제1소정온도보다 낮은 제2소정온도보다 낮아질 때 상기 에칭탱크중에 저농도 인산용액의 공급을 정지하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고온 인산용액이 소정농도에서 소정 비점을 갖으며, 상기 제1소정온도가 상기 비점이상인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고온 인산용액의 대략 83%의 소정농도에 유지되는 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소정시점이 상기 제1소정온도로부터 소정온도 상승시점인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소정시점이, 상기 고온 인산용액의 검출온도가 상기 제2소정온도보다 더 높아지는 시점으로부터 소정시간 경과시점인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고온 인산용액이, 농도가 대략 83%이고, 온도가 대략 150℃이고, 이 고온 인산용액의 온도가 대략 150℃의 소정온도범위내로 제어되는 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고온 인산용액의 온도가, 상한치와 150℃ 부근의 하한치를 갖는 소정온도범위로 제어되며, 상기 제1소정온도가 150℃ 또는 그 이상이고, 상기 제2소정온도가 150℃ 이하인 것이 특징인 반도체장치의 제조방법.
  8. 반도체장치상에 형성된 질화실리콘층층을 에칭하는 에칭장치에 있어서 ; 소정농도범위로 제어되는 고온 인산용액이 들어 있고, 가열수단이 내장된 에칭탱크와 ; 상기 에칭탱크내의 고온 인산용액의 소정농도보다 낮은 소정농도를 갖는 저농도 인산용액이 들어 있는 공급탱크와 ; 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 온도를 검출하는 수단과, 상기 에칭탱크의 고온 인산용액의 농도를 소정온도범위내로 제어하는 제어수단을 구비하며, 이 제어수단이, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 검출온도가 제1소정온도보다 높아진 후에 소정시점에서, 상기 공급탱크로부터 상기 에칭탱크내로 저농도 인산용액 공급을 개시하는 수단과, 상기 에칭탱크중의 고온 인산용액의 검출온도가 상기 제1소정온도보다 낮은 제2소정온도보다 낮아질 때, 상기 공급탱크로부터 상기 에칭탱크로의 저농도 인산용액의 공급을 정지하는 수단을 구비하는 것이 특징인 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910015471A 1990-09-05 1991-09-05 반도체장치의 제조방법 KR940002917B1 (ko)

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