KR950003919A - 반도체 제조용 습식식각 방법 - Google Patents

반도체 제조용 습식식각 방법 Download PDF

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KR950003919A KR1019930014366A KR930014366A KR950003919A KR 950003919 A KR950003919 A KR 950003919A KR 1019930014366 A KR1019930014366 A KR 1019930014366A KR 930014366 A KR930014366 A KR 930014366A KR 950003919 A KR950003919 A KR 950003919A
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박상훈
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 습식식각장치인 인산조(H3PO4bath)를 이용하여 질화막 또는 산화막을 식각하는 반도체 제조용 습식식각 방법에 관한 것으로 상온의 인산을 가열하여 고정하고자 하는 온도 보다 5 내지 25℃ 낮은 온도에서 최초로 순수를 주입하여 발열반응을 유도하여 온도를 상승시킴으로써 불안정한 인산용액의 온도를 안정화시키는 효과가 있고, 또한 웨이퍼를 한 단위로 하여 산화막 또는 질화막을 제거할 경우, 인산용액(2)에 딥하는 시간은 웨이퍼를 인산조(1)에 딥하여 원하는 만큼의 식각공정을 실시한 최초의 딥시간을 확인한 뒤 이후의 딥시간은 상기 최초의 딥시간에 일정 시간을 더한 동차수열의 방식으로 설정하여 줌으로써 딥단계에 무관하게 균일한 식각률을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 제조용 습식식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 인산조 구조도, 제2도는 본 발명의 일 실시예에 따른 인산조 구조도, 제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 인산조 구조도.

Claims (4)

  1. 인산조(1)를 이용한 반도체 제조용 습식식각 방법에 있어서, 상온의 인산을 가열하여 고정하고자 하는 온도보다 5 내지 25℃ 낮은 온도에서 최초로 순수를 주입하여 발열반응을 유도함으로써 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 습식식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고정하고자 하는 인산용액의 온도범위는 150 내지 200℃인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 습식식각 방법.
  3. 인산조(1)를 이용한 반도에 제조용 습식식각 방법에 있어서, 다수의 웨이퍼를 한 단위로 하여 산화막 또는 질화막을 제거할 경우, 인산용액(2)에 딥하는 시간은 웨이퍼를 인산조(1)에 딥하여 원하는 만큼의 식각공정을 실시한 최초의 딥시간을 확인한 뒤 이후의 딥시간은 상기 최초의 딥시간에 일정 시간을 더한 등차 수열의 방식으로 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 습식식각 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 등차수열 방식으로 추가된는 딥시간의 공차는 최초 딥시간의 1퍼센트 내지 10퍼센트인 것을 특징으로 한는 반도체 제조용 습식식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100857685B1 (ko) * 2007-06-07 2008-09-08 주식회사 동부하이텍 습식식각공정에서의 인산베스와 이의 시즈닝 방법

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