KR970022581A - 웨이퍼상에 형성된 질화막의 제거방법과 이에 사용되는 습식식각장치 - Google Patents

웨이퍼상에 형성된 질화막의 제거방법과 이에 사용되는 습식식각장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치의 웨이퍼상에 형성된 질화막을 제거하는 방법과 이 방법에 사용되는 습식식각장치에 관한 것으로서, 스트리핑용액이 담겨겨 있는 용액조(10)와, 이 용액조로부터 상기 스트리핑용액을 뽑아내서 순환되게 하는 순환펌프(16)와, 이 순환펌프에 의해서 제공되는 스트리핑용액으로부터 파티클을 제거하는 필터(18)와, 파티클이 제거된 스트리핑용액을 가열하여 상기 용액조로 제공하는 인라인 히터(20)를 구비한 습식식각장치를 사용하여서, 상기 인라인 히터(20)의 소비전력을 적어도 두배로 상승시키는 단계와, 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액의 온도를 상기 인라인 히터에 의해서 적정한 식각온도까지 급속히 상승시키는 단계를 포함한다. 상술한 본 발명의 질화막제거방법에 의하면, 질화막의 스트리핑용액인 인상용액의 경시변화를 상당히 개선할 수 있어서, 그 식각율을 적정수준으로 유지하면서 그 제거공정에 필요한 시간을 줄일 수 있다.

Description

웨이퍼상에 형성된 질화막의 제거방법과 이에 사용되는 습식식각장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 질화막의 제거방법이 적용된 습식식각장치의 구성을 보여주는 도면.

Claims (9)

  1. 스트리핑용액이 담겨져 있는 용액조(10)와, 이 용액조로부터 상기 스트리핑용액을 뽑아내서 순환되게 하는 순환펌프(16)와, 이 순환펌프에 의해서 제공되는 스트리핑용액으로부터 파티클을 제거하는 필터(18)와, 파티클이 제거된 스트리핑용액을 가열하여 상기 용액조로 제공하는 인라인 히터(20)를 구비한 습식식각장치를 사용하여 웨이퍼상에 있는 질화막의 제거방법에 있어서, 상기 인라인 히터(20)의 소비전력을 적어도 두배로 상승시키는 단계와, 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액의 온도를 상기 인라인 히터에 의해서 적정한 식각온도까지 급속히 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스트리핑용액은 인산용액인 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 인산용액의 식각적정온도는 약 163℃인 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인라인 히터의 소비전력을 상승시키는 단계는 약 12KW의 소비 전력으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 인라인 히터는 각각 6KW의 소비전력이 필요한 두개의 히터가 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  6. 스트리핑용액이 담겨져 있는 용액조(10)와, 이 용액조로부터 상기 스트리핑용액을 뽑아내서 순환되게 하는 순환펌프(16)와, 이 순환펌프에 의해서 제공되는 스트리핑용액으로부터 파티클을 제거하는 필터(18)와, 파티클이 제거된 스트리핑용액을 가열하여 상기 용액조로 제공하는 인라인 히터(20)를 구비한 습식식각장치를사용하여 웨이퍼상에 있는 질화막의 제거방법에 있어서, 상기 용액조(10)로부터 순화되는 스트리핑용액에서 파티클을 제거하여 순수한 스트리핑용액을 제공하는 단계와, 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액을 급속히 가열하여 상기 용액조(10)로 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화막의 제거방법.
  7. 웨이퍼상의 질화막을 제거하는 데 사용되는 습식식각장치에 있어서, 상기 스트리핑용액(12)이 담겨겨 있는 용액조(10)와; 상기 용액조로부터 상기 스트리핑용액을 뽑아내서 순환되게 하는 순환 펌프(16)와; 상기 순환펌프에 의해서 제공되는 스트리핑용액으로부터 파티클을 제거하는 필터(18)와: 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액을 가열하여 상기 용액조로 제공하기 위하여 각각 6KW의 소비전력이 필요한 적어도 두개의 히터가 병렬로 접속되어 있는 인라인 히터(20)를 구비하여, 상기 파티클이 제거된 스트리핑용액의 온도를 상기 인라인 히터에 의해서 적정한 식각온도까지 급속히 상승시키는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 습식식각장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 스트리핑용액은 인산용액인 것을 특징으로 하는 습식식각장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 인산용액의 식각적정온도는 약 163℃인 것을 특징으로 하는 습식식각장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207068B1 (en) * 1998-11-18 2001-03-27 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon nitride etch bath system
US6326313B1 (en) * 1999-04-21 2001-12-04 Advanced Micro Devices Method and apparatus for partial drain during a nitride strip process step
US6245681B1 (en) * 2000-01-25 2001-06-12 Advanced Micro Devices, Inc. Dual temperature nitride strip process
US20040115957A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for enhancing wet stripping of photoresist
JP2004214243A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Toshiba Corp 半導体ウェーハのエッチング方法及びエッチング装置
KR100498495B1 (ko) * 2003-05-07 2005-07-01 삼성전자주식회사 반도체 소자의 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법
KR100559040B1 (ko) * 2004-03-22 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4559098A (en) * 1983-05-23 1985-12-17 Azonic Technology, Inc. Nitride etch bath
JPH0296334A (ja) * 1988-10-01 1990-04-09 Nisso Eng Kk 高温エッチング液の循環方法

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